晶體矽光電池有單晶矽與多晶矽兩大類，用P型（或n型）矽襯底，通過磷（或硼）擴散形成Pn結成製作，生產技術成熟，是光伏市場上的主導產品。
基本介紹
- 中文名：晶體矽光電池
- 分類：單晶矽與多晶矽
- 底部：P型（或n型）矽
- 技術：成熟
晶體矽光電池採用埋層電極、表面鈍化、強化陷光、密柵工藝、最佳化背電極及接觸電極等技術，提高材料中的載流子收集效率，最佳化抗反肘膜、凹凸表面、高反射背電極等方式，光電轉換效率有較大提高。單晶矽光電池面積有限，目前比較大的為 ∮10至 20cm的圓片，年產能力46MW/a。
目前主要課題是繼續擴大產業規模，開發帶狀矽光電池技術，提高材料利用率。國際公認最高效率在AM1.5條件下為24%，空間用高質量的效率在AMO條件約為13.5—18%地面用大量生產的在AM1條件下多在11—18%之間。以定向凝固法生長的鑄造多晶矽錠代替#晶矽，可降低成本，但效率較低。最佳化正背電極的銀漿和鋁漿絲網印刷，磨圖拋工藝，千方百計進一步降成本，提高效率，大晶粒多晶矽光電池的轉換效率最高18.6%。
