可變電阻式存儲器(英語:Resistive random-access memory,縮寫為RRAM 或ReRAM),是一種新型的非易失性存儲器,和另一種新型的磁阻式隨機存取存儲器一起屬於新世代的...
可變電阻式記憶體(英語:Resistive random-access memory,縮寫為RRAM 或ReRAM),是一種新型的非易失性記憶體。類似的技術還有CBRAM與相變化記憶體,目前許多公司都正在發展...
納米記憶體,是台灣“國研院”開發的一種全球最小的9納米功能性電阻式記憶體(R-RAM)數組晶胞。這個新記憶體在幾乎不需耗電的情況下,容量比現在的快閃記憶體增大20倍,1平方...
DDR3 SDRAM(Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Random Access Memory),是一種電腦存儲器規格。它屬於SDRAM家族的存儲器產品,提供相較於DDR2 SDRAM更高的...
阻變式存儲器(RRAM)是以非導性材料的電阻在外加電場作用下,在高阻態和低阻態之間實現可逆轉換為基礎的非易失性存儲器。...
之所以說它並不是一種記憶體型號,那是因為並不是一種影響記憶體結構和存儲速度的技術,它可以套用到不同的記憶體類型之中,就象前講到的“奇偶校正”記憶體,它也不是一種...
記憶體是計算機中重要的部件之一,它是與CPU進行溝通的橋樑。計算機中所有程式的運行都是在記憶體中進行的,因此記憶體的性能對計算機的影響非常大。記憶體(Memory)也被稱為內...
記憶體條是CPU可通過匯流排定址,並進行讀寫操作的電腦部件。記憶體條在個人電腦歷史上...DDR II通過調整上拉(pull-up)/下拉(pull-down)的電阻值使兩者電壓相等。使用...
非易失性存儲器(nonvolatile memory)是所有形式的固態(沒有可動部分)存儲器的...ReRAM(RRAM): Resistive random-access memory 可變電阻式存儲器。...
電阻記憶存儲器是由英國倫敦大學學院等機構研究人員於2012年研發出的一種基於“電阻性記憶體”的新型存儲設備,與普通的快閃記憶體相比,耗電量更低,而存取速度要快上一...
類似Crossbar公司正在開發的可變電阻式記憶體,但3D XPoint存儲的物理結構不同。3D XPoint的開發商表示其基於“bulk材料的電阻變化”。英特爾執行長Brian Krzanich...
率再為數據頻率的一半,這樣即使核心頻率還在200MHz,DDR2記憶體的數據頻率也能達到800MHz—也就是所謂的DDR2 800。已有的標準DDR2記憶體分為DDR2 400和DDR2 533,...
因此,存儲器控制器將包括溫度感測器(通常是熱敏電阻器)以針對溫度變化正確地調節電流水平。這方面的一個例子是Digital Equipment Corporation用於其PDP-1計算機的核心...
記憶體故障是電腦硬體的常見故障,主要有以下幾種原因:1.記憶體與主機板兼容性不好。把記憶體插在其他主機板上,長時間運行穩定可靠;把其他記憶體插在故障主機板上也運行可靠穩定,...
PCM相變記憶體晶片存儲和寫入數據的方法是利用硫族材料遇熱時會在非晶態或結晶態之間變化,從而改變材料的電阻值的特性,在寫入數據時往硫族材料中通以大電流(產生較...
唯讀存儲器(ROM)是一種在正常工作時其存儲的數據固定不變,其中的數據只能讀出,不能寫入,即使斷電也能夠保留數據,要想在唯讀存儲器中存入或改變數據,必須具備特定...
CWD是作為寫入延遲之用,Reset提供了超省電功能的命令,可以讓DDR3 SDRAM記憶體顆粒電路停止運作、進入超省電待命模式,ZQ則是一個新增的終端電阻校準功能,新增這個線路腳...
在目前諸多的非易失性存儲器中,以Flash的技術最為成熟,但Flash因寫入速度慢(毫秒)、可擦寫次數有限等缺點而無法達到快取和主存的性能要求。其他的候選有可變電阻式...
帶有1GB記憶體和16GB SSD硬碟。通過micro SD卡可擴充。支持Flash內容。帶有重力感應晶片和電阻式多觸點技術。內置有130萬像素攝像頭和麥克風。...