阻變式存儲器

阻變式存儲器（RRAM）是以非導性材料的電阻在外加電場作用下，在高阻態和低阻態之間實現可逆轉換為基礎的非易失性存儲器。

作為阻變式存儲器晶片一個重要的電子元件，憶阻器（memristor）的電阻會隨外加電壓的高低而改變。相比其它非易失性存儲技術，RRAM是高速存儲器。工程師在對憶阻器（memristor）技術進行潛心研發的道路上遇到的攔路虎，恰恰是阻變式存儲器（RRAM）的潛路通。