RRAM,阻變式存儲器(Resistive Random Access Memory), 可顯著提高耐久性和數據傳輸速度的可擦寫記憶體技術。
基本介紹
- 中文名:阻變式存儲器
- 外文名:Resistive Random Access Memory
- 簡稱:RRAM
- 優點:顯著提高耐久性和數據傳輸速度
- 屬性:可擦寫記憶體技術
- 最新動向:三星電子成功開發出阻變式存儲器
RRAM,阻變式存儲器(Resistive Random Access Memory), 可顯著提高耐久性和數據傳輸速度的可擦寫記憶體技術。
RRAM,阻變式存儲器(Resistive Random Access Memory), 可顯著提高耐久性和數據傳輸速度的可擦寫記憶體技術。...
惠普實驗室的研究人員認為RRAM就是Chua所說的憶阻器,其報導的基於TiO2的RRAM器件在2008年5月1日的《自然》期刊上發表。加州大學伯克利分校教授蔡少棠,1971年發表《...
可變電阻式記憶體(英語:Resistive random-access memory,縮寫為RRAM 或ReRAM),是一種新型的非易失性記憶體。類似的技術還有CBRAM與相變化記憶體,目前許多公司都正在發展...
Reset Instability in Cu/ZrO2:Cu/Pt RRAM Device26. Wentai Lian, Hangbing Lv, Qi Liu, Shibing Long, Wei Wang, Yan Wang, Yingtao Li, Sen Zhang, ...
可變電阻式存儲器(英語:Resistive random-access memory,縮寫為RRAM 或ReRAM),是一種新型的非易失性存儲器,和另一種新型的磁阻式隨機存取存儲器一起屬於新世代的...
11.項目負責人,天津市自然科學基金,基於氧化釩相變薄膜的RRAM構建及阻變特性研究,(13JCYBJC15700) ,2013.04~2016.03,10萬;12.項目負責人,天津市教委重點項目,...
電阻式記憶體Resistive random-access memory,縮寫為 RRAM 或ReRAM),是一種新型的非揮發性記憶體。類似的技術還有CBRAM與相變化記憶體,許多公司都正在發展這種技術...
Reset Instability in Cu/ZrO2:Cu/Pt RRAM Device26. Wentai Lian, Hangbing Lv, Qi Liu, Shibing Long, Wei Wang, Yan Wang, Yingtao Li, Sen Zhang, ...
阻變式存儲器(RRAM)是以非導性材料的電阻在外加電場作用下,在高阻態和低阻態之間實現可逆轉換為基礎的非易失性存儲器。...
一般分為單段式和多段式兩 類,單段式又有非循環操作和循環操作兩種.、 沸騰床反應器flvidiacxl bed rrammr;eLullated 6cd reactor 又稱流化床反應器。將...
主要從事集成磁電子與自旋電子學、 MEMS 技術領域的研究工作,包括集成磁場感測器、磁生物感測器( bio-sensor )、新型存儲技術( MRAM 、 RRAM )、 MEMS 技術等。...