電阻記憶存儲器

電阻記憶存儲器是由英國倫敦大學學院等機構研究人員於2012年研發出的一種基於“電阻性記憶體”的新型存儲設備，與普通的快閃記憶體相比，耗電量更低，而存取速度要快上一百倍。

基本介紹

• 中文名：電阻記憶存儲器
• 研發機構：英國倫敦大學學院
• 基礎：憶阻材料
• 基於：電阻性記憶體

簡介

常規存儲器圖片

工作原理

電阻性記憶體的基礎是憶阻材料，這種材料的特殊性在於，在外加電壓時其電阻會發生變化，隨後即使取消外加電壓，它也能“記住”這個電阻值。

研究發明

這項成果源於意外。研究人員最開始是在用矽氧化物製作發光二極體，但在實驗過程中出了故障，發現所用材料的電學性質變得不穩定了，檢查之後發現它們電阻在變化，原因是已經變成了憶阻材料，於是正好把它們轉用於研發新型存儲設備。

優點

一、比快閃記憶體更快更節能。其能耗只有快閃記憶體的約千分之一，而其存取速度是快閃記憶體的一百倍以上。

二、可在常規環境下運行，套用價值極高。