基本介紹
簡介,背景與闡述,產品,參見,
簡介
3D XPoint（發音three dee cross point）是一種由英特爾和美光科技於2015年7月宣布的非易失性記憶體（NVM）技術。英特爾為使用該技術的存儲設備冠名Optane，而美光稱為QuantX。它通常被認為是一種基於相變化記憶體的技術，但也有其他可能性被提出。
該種技術的材料和物理細節尚未公布。比特存儲基於bulk電阻的變化，結合可堆疊的跨格線數據訪問陣列。
美光的存儲解決方案副總裁說：“3D Crosspoint將是DRAM價格的一半左右，但會比NAND快閃記憶體貴4到5倍。”相較NAND快閃記憶體，英特爾宣稱其有10倍的低延遲，3倍寫入耐久，4倍每秒寫入、3倍每秒讀取的性能提升，以及30%的功耗。
背景與闡述
3D XPoint的開發始於2012年。英特爾和美光之前已開發了其他非易失性相變化記憶體（PCM）技術；美光Mark Durcan說：3D XPoint架構不同於以前提供的PCM，並為快閃記憶體單元的選擇器和存儲部分採用硫族化物材料，從而比傳統的PCM材料（例如GST）更快、更穩定。
截至2015年，英特爾或美光尚未提供該技術的完整細節，儘管該項技術已經聲明“不基於電子”。3D XPoint已經被聲明使用電阻並且是比特可定址。類似Crossbar公司正在開發的可變電阻式記憶體，但3D XPoint存儲的物理結構不同。3D XPoint的開發商表示其基於“bulk材料的電阻變化”。英特爾執行長Brian Krzanich回應了對XPoint材料的提問，稱切換是基於“bulk材料性能”。英特爾已表示3D XPoint不使用相變或憶阻器技術。
根據最近的一篇文章，“似乎沒有其他供應商有能比擬XPoint性能和耐用性的類似的電阻式記憶體/相變存儲器技術。”
各個數據單元不需要電晶體，因此封裝密度將是DRAM的4倍。
產品
在最初，由IM Flash TechnologiesLLC（英特爾-美光合資）運營的位於猶他州李海的晶圓廠在2015年生產了少量128 Gbit晶片，其堆疊兩個64 Gbit平面（plane）。2016年初，IM Flash執行長Guy Blalock表示，晶片批量生產仍需約12至18個月。
2015年中期，英特爾宣布基於3D XPoint技術的Optane品牌，預計每比特價格將高於NAND但低於DRAM，具體仍取決於最終產品。
2016年早期，IM Flash宣布其首個固態硬碟世代將達到9微秒潛伏時間、95000IOPS吞吐量。2016年英特爾開發者論壇上演示的PCI Express（PCIe）140GB開發板在基準測試方面顯示了相較於PCIe NAND SSD 2.4-3倍的改進。
