電子對互斥來理論是1940年美國的SidgwickNV等人相繼提出的。
基本介紹
- 中文名：電子對互斥
- 提出者：SidgwickNV等
- 提出時間：1940年
電子互斥理論即價電子互斥理論：
一個分子的中心原子究竟採取哪種類型的軌道雜化，直接可以預測整個分子的空間構型。雜化軌道理論成功地解釋了部分共價分子雜化與空間構型關係，但是，僅用雜化軌道理論預測有時是難以確定的。1940年美國的SidgwickNV等人相繼提出了價層電子對互斥理論（valenceshellelectronpairrepulsiontheory），簡稱vsepr法，該法適用於主族元素間形成的ABn型分子或離子。該理論認為，一個共價分子或離子中，中心原子A周圍所配置的原子B（配位原子）的幾何構型，主要決定於中心原子的價電子層中各電子對間的相互排斥作用。這些電子對在中心原子周圍按儘可能互相遠離的位置排布，以使彼此間的排斥能最小。所謂價層電子對，指的是形成σ鍵的電子對和孤對電子。孤對電子的存在，增加了電子對間的排斥力，影響了分子中的鍵角，會改變分子構型的基本類型。根據此理論，只要知道分子或離子中的中心原子上的價層電子對數，就能比較容易而準確地判斷ABn型共價分子或離子的空間構型。
