離子束沉積，金屬表面塗層技術之一。屬氣相沉積方法。用離子源將用作沉積的材料離子化,在電場作用下射向工件(基材)表面沉積成膜層。目的是改變工件表面性能。
基本介紹
- 中文名：離子束沉積
- 定義：用離子源將用作沉積的材料離子化,在電場作用下射向工件(基材)表面沉積成膜層
離子束沉積，金屬表面塗層技術之一。屬氣相沉積方法。用離子源將用作沉積的材料離子化,在電場作用下射向工件(基材)表面沉積成膜層。目的是改變工件表面性能。
離子束沉積，金屬表面塗層技術之一。屬氣相沉積方法。用離子源將用作沉積的材料離子化,在電場作用下射向工件(基材)表面沉積成膜層。目的是改變工件表面性能。...
雙離子束沉積系統是一種用於物理學、化學、材料科學領域的工藝試驗儀器，於1994年12月15日啟用。技術指標 1．極限真空度：6×10-4Pa2．主源：1000eV，100—120mA輔源：800eV，100mA3．濺射靶：F100mm4．基片台：F40mm，旋轉，掃描...
《離子束輔助沉積塗層導體緩衝層的取向競爭機制研究》是依託北京理工大學，由王志擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 在製備塗層導體緩衝層的各種工藝中，離子束輔助沉積（IBAD）技術具有獨特的優勢；研究IBAD過程中雙軸織構的形成...
離子束沉積薄膜技術及套用 《離子束沉積薄膜技術及套用》是國防工業出版社2003年出版的圖書，作者是劉金聲。《離子束沉積薄膜技術及套用》由國防工業出版社出版。
《C60半導體薄膜的簇團離子束沉積製備和離子摻雜》是依託武漢大學，由范湘軍擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 探索了C60的製備和提純工藝，採用一種高效提純新方法，得到99.5%以上純度的C60粉末。研製了一台簇團離子束沉積設備，製備了...
《分子團簇負離子束沉積超薄BiSe二維拓撲絕緣體》是依託武漢大學，由劉雍擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 本項目發展適用於二維超薄材料製備的分子團簇負離子束技術，用串列加速器的銫濺射負離子源產生BiSe,FeSe和BiFeSe等化合物...
3.9 離子增強沉積的工業套用 第4章 磁過濾離子束沉積技術 4.1 簡介 4.2 磁過濾離子束金剛石薄膜沉積的套用 4.3 Ti沉積改善H13鋼抗腐蝕性能 4.4 Ti+C+N共沉積膜的製備及其性能改善 4.5 聚合物表面沉積 4.6 Mo+C和Ti+C...
從理論上和實驗上研究了裝置參數對薄膜沉積速率和厚度均勻性的影響。石墨濺射未獲得預期的富勒烯。用簇團離子束沉積法製備了品質良好的C60多晶膜，系統研究了成膜條件對樣品成份和結構的影響。用多種離子轟擊證實了C60在低能低劑量離子...
自Asienberg和Chabotv在1979年用離子束沉積法(Ion beam deposition)製得第一片DLC薄膜以來，人們對類金剛石膜的特性、製備方法及其套用領域進行了廣泛和深入的研究，類金剛石膜產品已被廣泛套用到機械、電子、光學和醫學等各個領域。類...
在理論的預言下，人們採用各種手段試圖在實驗室合成出這種新的低密度高硬度的非極性共價鍵化合物，常用的製備方法有震盪波壓縮、高壓熱解、離子注入、反應濺射、電漿化學氣相沉積、電化學沉積、離子束沉積、低能離子輻射、脈衝電弧放電和...
類金剛石薄膜都是亞穩態材料，在製備方法中需要有荷能離子轟擊生長表面這一關鍵。自從Aisenberg 和Chabot 兩位科學家利用碳離子束沉積出DLC 薄膜以來，人們已經成功地研究出了許多物理氣相沉積、化學氣相沉積以及液相法製備DLC 薄膜的新方法...
5.8.4射頻放電離子鍍膜裝置233 5.8.5磁控濺射離子鍍膜裝置233 5.8.6真空陰極電弧離子鍍膜裝置236 5.8.7冷電弧陰極離子鍍膜裝置244 5.8.8熱陰極強流電弧離子鍍膜裝置245 參考文獻246 第6章離子束沉積與離子束輔助沉積247 6.1...
30kV)；束流強度：最大束流22nA；電子槍壽命：保證使用1年；可用探頭：二次電子探測器、高分辨背散射電子探測器。主要功能 製作3DAP針尖，離子束刻蝕、離子束沉積、電子束沉積；高分辨掃描電鏡功能可對離子束加工試樣進行實時觀測。
683空心陰極放電離子鍍膜裝置 684射頻放電離子鍍裝置 685磁控濺射離子鍍膜裝置 686真空陰極電弧離子鍍膜裝置 687冷電弧陰極離子鍍膜裝置 688熱陰極強流電弧離子鍍裝置 參考文獻 第7章離子束沉積與離子束...