雙面對準光刻機是一種用於電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，於2011年9月21日啟用。
基本介紹
- 中文名：雙面對準光刻機
- 產地：美國
- 學科領域：電子與通信技術
- 啟用日期：2011年9月21日
- 所屬類別：工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設備 > 半導體積體電路工藝實驗設備
技術指標,主要功能,
技術指標
光強均勻性Beam Uniformity:：--±1% over 2” 區域 --±2% over 4” 區域 --±3% over 6” 區域 接觸式樣曝光特徵尺寸CD（深紫外DUV）：0.35 um 接觸式樣曝光特徵尺寸CD（近紫外NUV）： 0.5 um 支持接近式曝光，特徵尺寸CD：--0.8um 硬接觸--1um 20 um 間距時--2um 50um 間距時 正面對準精度±0.5um 支持正膠、負膠及Su8膠等的厚膠光刻，特徵尺寸：100um-300um 支持LED優異電流控制技術PSS工藝光刻 支持真空、接近式、接觸式曝光 支持恆定光強或恆定功率模式。
主要功能
主要用於積體電路、半導體元器件、光電子器件、光學器件研製；本機不僅適合矽片、玻璃片、陶瓷片的曝光，而且也適合易碎片如砷化鉀、磷化銦等基片的曝光。
