基本介紹
- 中文名:隧穿磁阻效應
- 外文名:Tunneling magnetoresistance effect
- 一級學科:工程技術
- 二級學科:自旋電子學
- 又稱:穿隧磁阻效應
- 特點:穿隧電阻隨鐵磁材料相對方向變化
隧穿磁阻效應可以用自旋相關隧穿理論予以解釋,如圖所示,對於鐵磁金屬,自旋向上(Spin-Up)和自旋向下(Spin-Down)的電子態在費米能級附近分布不均衡,其程度可用自旋極化率表示。當參考層與自由層磁化方向一致時,兩層鐵磁材料中處於多數...
《庫倫阻塞磁阻效應研究》是依託復旦大學,由殷立峰擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 對於有相互作用的多量子點體系,其狀態由量子點本身的束縛態、量子點間的庫倫相互作用和量子點間的隧穿這三個因素決定。當量子點間有強度合適的隧...
非鐵磁材料本身具有多種磁阻效應,比如洛倫茲力磁阻、弱局域化磁阻等等。另一方面,通過摻雜或缺陷誘導的方式可以使非鐵磁材料出現鐵磁性,在這類材料中人們還觀察到了與鐵磁性相關的磁輸運行為,比如反常霍爾效應、隧穿磁電阻效應等等。
2.2巨磁阻效應的自由電子模型 2.2.1金屬和金屬薄膜的電導率 2.2.2鐵磁金屬的電導率(兩電流模型)2.2.3巨磁阻效應的兩電流模型 2.3隧道磁阻(TMR)器件的自由電子模型 2.3.1隧穿電流的Simmons公式 2.3.2鐵磁隧道結 參考...
自由層(Free Layer), 它的磁化有兩個穩定的取向, 分別與參考層平行或反平行, 這將使磁隧道結處於低阻態或高阻態, 該現象被稱為隧穿磁阻效應(Tunnel Magnetoresistance, TMR)。兩個阻態可分別代表二進制數據“0”和“1”, 是MRAM...
自由層(FreeLayer),它的磁化有兩個穩定的取向,分別與參考層平行或反平行,這將使磁隧道結處於低阻態或高阻態,該現象被稱為隧穿磁阻效應(TunnelMagnetoresistance,TMR)。兩個阻態可分別代表二進制數據“0”和“1”,是MRAM存儲的...
全書共14章,主要包括自旋電子的起源與發展歷程、巨磁阻效應及器件、隧穿磁阻效應及器件、自旋轉移矩效應及器件、自旋軌道矩效應及器件、自旋納米振盪器、斯格明子、自旋晶片電路設計及仿真、自旋晶片特種設備及工藝、自旋晶片測試與表征技術...
magnetoresistance effect[電子] 磁阻效應 ; 磁電阻效應 ; 電阻效應 ; 阻效應 magnetoresistance head[電子] 磁阻磁頭 ; 磁阻磁頭英語 ; 翻譯 Ordinary Magnetoresistance 正常磁電阻 ; 正常磁電阻效應 tunnelling magnetoresistance 隧穿磁電阻...
4.5.1 巨磁阻效應與自旋電子學的誕生 140 4.5.2 隧穿磁阻效應與磁性隨機存儲器 141 4.5.3 自旋轉移矩磁性隨機存儲器 143 4.5.4 自旋軌道矩磁性隨機存儲器 145 4.6 總結與展望 148 思考題 149 參考文獻 149 第5章 數碼...
2013年歸國後開展超低功耗自旋存儲及邏輯相關研究領域,提出了將自旋軌道矩與自旋轉移矩結合實現高速讀寫的新型自旋電子存儲器件,研製了基於鎢薄膜的超高隧穿磁阻效應隧道結器件。近五年以第一或通訊作者已在 Nature Electronics、Proceedings...
4.5.1 巨磁阻效應與自旋電子學的誕生134 4.5.2 隧穿磁阻效應與磁性隨機存儲器135 4.5.3 自旋轉移動量矩磁性隨機存儲器137 4.5.4 自旋電子學的未來:全自旋計算139 4.6 總結與展望139 思考題140 第5章 ...
14.3 隧穿電流 14.4 鐵磁隧道結的磁阻效應 14.5 有超導體的單電子隧穿 14.6 約瑟夫森效應 14.7 通過量子點的電流 14.8 一維拉廷格導線的量子點系統 第15章 零溫格林函式的圖形技術 15.1 因果...