基本介紹
- 書名:巨磁阻器件
- 作者:E.Hirota、H.Sakakima、K.Inomata
- 出版社:清華大學出版社
- 出版時間:2014年1月1日
- 定價:59 元
- ISBN:9787302343653
《巨磁阻器件》是2014年1月清華大學出版社出版的圖書,作者是E.Hirota、H.Sakakima、K.Inomata。內容簡介 巨磁阻器件是目前商業化最為成功的磁學器件,廣泛套用於計算機硬碟的磁頭中。最初發現GMR效應的科學家Albert Fert和Peter Grünberg也因此獲得2007年度的諾貝爾物理學獎。從器件發展的趨勢來看,信息的載體從最初...
《巨磁電阻器件中極化電流激發的自旋波效應研究》是依託復旦大學,由張宗芝擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 新近在納米尺度巨磁電阻器件中發現的,源於自旋轉移矩效應(spin-transfer torque)激發的磁化翻轉或周期振盪行為,不僅在理論上提出了自旋電流調控薄膜磁矩的嶄新理念,而且有望發展出新型的自旋電子...
由於自旋電子器件比傳統電子器件具有諸多優點,所以,自Baibich等人報導巨磁阻效應後,國際上就開始了自旋電子器件的研製。自旋電子器件主要是基於鐵磁金屬,已研製成功的自旋電子器件包括巨磁電阻、自旋閥和磁隧道結和磁性隨機存取存儲器。對於普通金屬和半導體,自旋向上和自旋向下的電子在數量上是一樣的,所以傳統的...
《易軸垂直取向巨磁電阻器件中電流驅動的磁矩翻轉效應》是依託復旦大學,由張宗芝擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 超高密度磁性隨機存儲器要求不斷減小記憶單元(自旋閥或隧道結)的尺寸和鄰近單元的距離,但是磁渦旋態和近鄰干擾(cross talk)問題應運而生。解決磁渦旋態的有效方法是選用垂直各向異性磁性材料作為...
而磁電阻器件的輸出信號與MR值成正比關係,因此MR數值比AMR大一個數量級以上的巨磁電阻(giantmagnetoresistance,GMR)效應的發現才真正推動了該領域的發展。巨磁電阻效應是在磁性/非磁性多層膜交疊結構中的一種量子力學效應,當不同鐵磁層的磁矩之間相互平行時,載流子自旋相關的散射截面小,材料表現低阻態;當不同...
6、Ⅲ—V 族半導體異質結構材料的開發和套用,通過外延技術,形成異質結構,提高 磁敏器件的性能。發展現狀 國外磁敏感測器的現狀 1、國外磁感測器的常見種類 就市場占有情況來看,國外磁敏感測器主要品種依然是霍爾元件,磁阻元件,近期的 巨磁阻元件也有良好的發展空間。2、國外磁感測器的套用情況 磁敏感測器套用的...
對於磁電子中心和東方微磁科技有限公司的發展,錢正洪傾注了全部的心力。在他的努力下,杭電磁電子中心和東方微磁科技有限公司形成了良好的磁電子材料和器件產、學、研一體化的工作模式。研究團隊在短短的不到一年的時間裡即取得了很多令人矚目的成果。東方微磁科技有限公司已成功開發出SA系列巨磁阻感測器產品,該系列...
《橫向受限對自旋閥納米結構巨磁阻與自旋轉移矩的影響》是依託北京工商大學,由朱耀輝擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 電流流向垂直於膜面的自旋閥是一種非常重要的自旋電子器件結構形式。最近的一系列實驗結果表明,當自旋閥納米結構的橫向(垂直於電流方向)尺寸與電子平均自由程相當時,電子與側面的散...
這種新的器件利用自旋相關的效應(載流子的自旋和材料的磁學性質相互作用),同時結合標準的半導體技術,將具有非揮發、低功耗、高速和高集成度的優點。自旋量子器件的發展和套用 由於自旋量子器件比傳統量子器件具有諸多優點,所以,自Baibich等人報導巨磁阻效應後,國際上就開始了自旋量子器件的研製。自旋量子器件主要是...
gmr磁場感測器即巨磁阻(gmr=giant magneto resistive)磁場感測器。它是一個集磁性薄膜,半導體集成及納米技術為一體的高新技術產品,套用非常廣泛。其技術結構套用一個數學公式:gmr感測器=磁性材料+納米技術+半導體集成。產品效應 一、gmr效應的簡介 2007年諾貝爾物理學獎分別授予來自德國於利希亥姆霍茲研究中心的彼得·...
在MRAM發展初期所使用的磁阻元件是被稱為巨磁阻(GMR)的結構,此結構由上下兩層磁性材料,中間夾著一層非磁性材料的金屬層所組成。由於GMR元件需較大電流成為無法突破的難點,因此無法達到高密度存儲器的要求。與GMR不同的另一種結構是磁性隧道結 (MTJ),如圖1所示。MTJ與GMR元件的最大差異是隔開兩層磁性材料的是...
利用對電子自旋屬性的控制以及電子自旋的諸多效應可以設計電子器件。例如,基於巨磁阻效應的自旋電子器件在硬碟上作為磁頭的廣泛使用,使硬碟容量在過去20年增長超過10萬倍,巨磁阻效應的發現者—法國科學家阿爾貝·費爾(Albert Fert)和德國科學家彼得·格林貝格(Peter Grünberg)也因此於2007年被授予諾貝爾物理學獎。...
原因在於雖然二維體系的磁交換作用更強但磁交換少了一個維度;並進一步拓展開來,研究了過渡金屬吸附於GaAs二維平面薄膜對其磁性的影響,(4)研究了應力對GaMnAs一維納米線的居里溫度的影響,發現應力可小幅度調控磁穩定性,並進一步構造了基於GaMnAs納米線器件且發現其可做整流閥與巨磁阻器件(5)進一步將工作拓展到...
16.4分子巨磁阻和分子自旋電子學 16.4.1巨磁阻材料 16.4.2自旋相關散射雙電流模型 16.4.3多層膜巨磁阻器件 16.4.4分子磁體的自旋電子學 參考文獻 第17章光伏電池和化學儲能 17.1新能源 17.1.1 化學電池 17.1. 2太陽能光解制氫和氫燃料電池 17.1.3光伏效應和矽太陽能電池的結構和特性 17.2有機...