《易軸垂直取向巨磁電阻器件中電流驅動的磁矩翻轉效應》是依託復旦大學，由張宗芝擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：易軸垂直取向巨磁電阻器件中電流驅動的磁矩翻轉效應
- 依託單位：復旦大學
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：張宗芝
- 批准號：50771033
- 申請代碼：E0107
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2008-01-01 至 2010-12-31
- 支持經費：33（萬元）
項目摘要
超高密度磁性隨機存儲器要求不斷減小記憶單元（自旋閥或隧道結）的尺寸和鄰近單元的距離，但是磁渦旋態和近鄰干擾(cross talk)問題應運而生。解決磁渦旋態的有效方法是選用垂直各向異性磁性材料作為記憶單元的參考層和自由層，而近鄰干擾問題則可採用電流直接驅動磁化翻轉來解決。本課題擬把兩者有機地結合起來，研究易軸垂直膜面的巨磁阻器件中的自旋轉移矩效應。通過最佳化磁化矢量完全垂直取向的高矯頑力磁性參考層和低矯頑力自由層薄膜的製備工藝條件，並採用強垂直各向異性合金膜和平面取向高極化率軟磁膜來構建易軸垂直取向的交換耦合複合膜，同時擬設計非均勻電流分布結構等方法，研究影響易軸垂直取向磁電阻薄膜器件中自旋轉移矩效率的因素，探索獲得降低臨界翻轉電流和提高CPP-GMR信號的最佳材料和結構設計。
