趙巍勝

趙巍勝，男，博士，教授，1980年出生，2007年獲得法國南巴黎大學物理學博士學位，2009年成為法國國家科學研究中心（CNRS）終身研究員。2013年全職加盟北航。現任北京航空航天大學副校長。

基本介紹

• 中文名：趙巍勝
• 國籍：中國 
• 出生日期：1980年 
• 畢業院校：巴黎薩克雷大學 
• 學位/學歷：博士
• 職業：教師
• 專業方向：自旋電子學、新型信息器件、非易失存儲器等
• 任職院校：北京航空航天大學

個人經歷

IEEE Fellow, 微電子學院院長，工信部空天信自旋電子重點實驗室主任，北航費爾北京研究院院長，北航歌爾微電子聯合研究院院長，北航合肥微納科學與技術研究中心主任，第九屆校學術委員會委員，2020年起擔任IEEE電路與系統旗艦期刊IEEE Transactions on Circuits and Systems-I 總主編。

2007年獲法國南巴黎大學物理學博士，2009年獲法國國家科學院研究員（終身職位）與法國南巴黎大學客座教授，博士生導師，負責法國科學院基礎電子研究所的自旋電子器件設計及建模團隊， 2013年全職加盟北京航空航天大學，10月組建自旋電子交叉學科研究中心，2014年與自旋電子創始人、諾貝爾獎得主費爾教授共同組建費爾北京研究院並擔任院長。

2014年起擔任IEEE Transactions on Circuits and Systems-I, IEEE Transactions on Nanotechnology 及IET Electronics Letters 等期刊副主編，擔任2016年 ACM/IEEE International Symposium on Nanoscale Architecture 大會主席。

2023年9月任北京航空航天大學副校長（試用期一年）。

主講課程

[1]科學寫作與報告

[2]自旋電子科技前沿

研究方向

長期從事自旋電子學、新型信息器件、非易失存儲器等領域的交叉研究。

學術成果

2013年歸國後開展超低功耗自旋存儲及邏輯相關研究領域，提出了將自旋軌道矩與自旋轉移矩結合實現高速讀寫的新型自旋電子存儲器件，研製了基於鎢薄膜的超高隧穿磁阻效應隧道結器件。近五年以第一或通訊作者已在 Nature Electronics、Proceedings of the IEEE等期刊發表論文200餘篇，其中ESI高被引論文7篇，總索引超過 8500次，H因子50，國際會議邀請報告（TMRC，NVMST，DATE等）50餘次。

主持國家自然科學基金重大儀器項目、國家重大專項核高基研發計畫等項目。

近5年代表性論文：

[1]Xiaoyang Lin, Wei Yang, K.L. Wang, andWeisheng Zhao*, "Two-dimensional spintronics for low-power electronics"Nature Electronics, vol.2, 274, 2019.

[2]Shouzhong Peng, Jiaqi Lu, Weixiang Li, Lezhi Wang, Xiang Li,K.L. Wang, andWeisheng Zhao*,"Field-Free Switching of Perpendicular Magnetization through Voltage-GatedSpin-Orbit Torque",IEDM 2019(65th International Electron Devices Meeting).

[3]Mengxing Wang, Wenlong Cai, Daoqian Zhu, Zhaohao Wang, Jimmy Kan, Zhengyang Zhao, Kaihua Cao, Zilu Wang, Youguang Zhang, Tianrui Zhang, Chando Park, Jianping Wang, Albert Fert andWeisheng Zhao*, "Field-Free switching of a perpendicular magnetic tunnel junction through the interplay of spin-orbit and spin-transfer torques"Nature Electronics, vol.1, 582, 2018.

[4]Mengxing Wang, Wenlong Cai, Kaihua Cao, Jiaqi Zhou, Jerzy Wrona, Shouzhong Peng, Huaiwen Yang, Jiaqi Wei, Wang Kang, Youguang Zhang, Jurgen Langer, Berthold Ocker, Albert Fert andWeisheng Zhao*, "Current-induced magnetization switching in atomthick tungsten engineered perpendicular magnetic tunnel junctions with large tunnel magnetoresistance"Nature communications, vol.9, 671, 2018. (ESI 高被引論文，熱點論文)

[5]Xueying Zhang, Nicolas Vernier,Weisheng Zhao*, Haiming Yu, Laurent Vila, Yue Zhang and Dafine Ravelosona, "Direct Observation of Domain-Wall Surface Tension by deflating or inflating a magnetic bubble",Physical Review Applied, vol.9, 024032, 2018.

[6]Zhaohao Wang, Lei Zhang, Mengxing Wang, Zilu Wang, Daoqian Zhu, Youguang Zhang andWeisheng Zhao*"High-density NAND-like spin transfer torque memory with spin orbit torque erase operation",IEEE Electron Device Letters, vol.39, 343, 2018.(ESI 高被引論文)

[7]Yangqi Huang, Wang Kang, Xichao Zhang, Yan Zhou andWeisheng Zhao*, "Magnetic skyrmion-based synaptic devices"Nanotechnology, vol. 28, 08LT02, 2017.(IOP 高被引論文)

[8]Wang Kang, Yangqi Huang, Xichao Zhang, Yan Zhou, andWeisheng Zhao*, "Skyrmion-Electronics: An Overview and Outlook",Proceedings of the IEEE, vol. 104 (10), pp. 2040-2061, 2016.(ESI 高被引論文)

2024年3月，杭州市北京航空航天大學國際創新研究院自旋晶片與技術全國重點實驗室趙巍勝教授團隊與巴黎薩克雷大學Albert Fert教授團隊合作，在軌道電子學領域取得重要進展。團隊提出了一種基於光誘導軌道流產生並發射太赫茲的新實驗方法，在Ni/NM/MgO多層膜體系中發現了光誘導的超快軌道流，實驗獲得了軌道載流子速度和軌道退相干時間。此工作為下一代積體電路器件研製開闢了新方法。2024年3月6日，相關研究成果以“Orbitronics: light-induced orbital currents in Ni studied by terahertz emission experiments”為題線上發表於《自然·通訊》（Nature Communications）雜誌。

榮譽獎項

2017年獲得北京市海淀區“五四獎章”。

2019年獲中國電子學會優秀科技工作者，2019年中國電子學會自然科學二等獎（第一完成人），2021年中國電子學會自然科學一等獎（第一完成人）。2017年獲得北京市海淀區“五四獎章”，2020年獲北京市高校優秀共產黨員。2022年入選北京市優秀研究生指導教師。

2021年9月，獲得獲第三屆“科學探索獎”。

2022年，華為奧林帕斯先鋒獎。

社會兼職

中國科協第十屆委員會常務委員（2021-2026），教育部第八屆科技委員會委員（2021-2026），北航積體電路科學與工程學院院長（2018-2021），工信部“空天信自旋電子”重點實驗室主任（2019-）。