《CoFeB/MgO磁性多層膜中自旋軌道矩與自旋轉移矩耦合效應研究》是依託北京航空航天大學，由趙巍勝擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：CoFeB/MgO磁性多層膜中自旋軌道矩與自旋轉移矩耦合效應研究
- 依託單位：北京航空航天大學
- 項目負責人：趙巍勝
- 項目類別：面上項目
- 批准號：61571023
- 申請代碼：F0122
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2016-01-01 至 2019-12-31
- 支持經費：67（萬元）
項目摘要
自旋電子學是構建“後摩爾時代”超低功耗積體電路的關鍵技術，基於磁電效應的垂直磁各向異性非易失存儲器件成為研究熱點，特別是自旋軌道矩的發現可以實現高速及高可靠性數據存儲，具有廣泛套用前景。然而垂直磁各向異性器件中的自旋軌道矩效應機理尚未明確，存在電流密度高及需要外界磁場輔助等問題，針對自旋霍爾、界面自旋相關效應等自旋軌道耦合現象的研究有待於進一步深入。申請者已經通過仿真驗證了自旋霍爾效應對自旋轉移矩的輔助作用，本課題擬針對界面垂直磁各向異性多層膜開展自旋軌道矩－自旋轉移矩耦合效應研究，實現無磁場、低電流密度磁矩翻轉。我們將設計新型超薄膜結構可同時增強自旋注入效率及界面垂直磁各向異性；通過調節鐵磁／非鐵磁金屬薄膜的界面自旋相關效應調節自旋軌道矩；製備納米級器件探索自旋軌道矩－自旋轉移矩的耦合機制及調控。本課題將實現一種新的自旋電子器件寫入方法，為超低功耗存儲器研發提供理論與實驗依據。
