各向異性磁電阻效應

基本介紹

• 中文名：各向異性磁電阻效應
• 外文名：Anisotropic magnetoresistance

各向異性磁電阻效應（AMR）是指鐵磁材料的電阻率隨自身磁化強度和電流方向夾角改變而變化的現象。它的微觀機制是基於自旋軌道耦合作用誘導的態密度及自旋相關散射的各向異性。這一點有別於其他依賴於自旋電子注入和檢測的磁電阻效應（如GMR、TMR等）。