基本介紹
- 中文名:磁阻效應感測器
- 原理:磁性材料的磁阻效應
- 特點:性能明顯優於霍爾器件
- 工作溫度範圍:-40℃到150℃,
磁阻效應感測器是根據磁性材料的磁阻效應製成的。磁阻感測器能製作在矽片上,並形成產品。其靈敏度和線性度已經能滿足磁羅盤的要求,各方面的性能明顯優於霍爾器件。...
磁阻效應(Magnetoresistance Effects)的定義:是指某些金屬或半導體的電阻值隨外加磁場變化而變化的現象。金屬或半導體的載流子在磁場中運動時,由於受到電磁場的變化產生...
一定條件下,導電材料的電阻值R隨磁感應強度B的變化規律稱為磁阻效應。...... 相對變化率 正比於 ,式中 ,因此也可以用磁阻感測器電阻的相對改變數 來表示磁阻效應...
利用這種效應已製成三端、四端磁阻器件。四端磁阻橋已大量用於磁編碼器中,用來...磁感測器已經在許多領域獲得了產業性的套用,每年所需用的磁感測器的總數量以數...
半導體有大的磁電阻各向異性。利用磁電阻效應,可以製成磁敏電阻元件,其常用材料有銻化銦、砷化銦等。磁敏電阻元件主要用來構造位移感測器、轉速感測器、位置感測器和...
磁阻效應及磁敏位置感測器[J]. 電子學報, 1996(11):122-124.詞條標籤: 科學百科信息科學分類 , 中國通信學會 , 中國電子學會 , 科學, 學科 ...
但這種感測器對磁場的作用機理不同,感測器內載流子運動方向與被檢磁場在一平面內。(順便提醒一點,霍爾效應於磁阻效應是並存的。在製造霍爾器件時 應努力減少磁阻效應...
隧穿磁阻效應(又稱穿隧磁阻效應)是指在鐵磁-絕緣體薄膜-鐵磁材料中,其穿隧電阻大小隨兩邊鐵磁材料相對方向變化的效應。...
產品說明KMXP磁阻感測器沿著磁尺移動,位置的變化產生正弦和餘弦輸出信號。為了取得滿意的測量結果,KMXP磁阻感測器邊沿與磁尺表面的間隙不能超過半個磁極距。由於KMXP...
薄膜磁致電阻感測器鐵磁性物質在磁化過程中,它的電阻值沿磁化方向將增加,並達到飽和的現象稱 為磁阻效應。薄膜磁阻元件是利用薄膜工藝和微細加工技術,將NiPe。NiCo...
同時它們也為進一步探索新物理——比如隧穿磁阻效應(TMR: Tunneling Magnetoresistance)、自旋電子學(Spintronics)以及新的感測器技術——奠定了基礎。但是大家應該注意到...
物理磁阻效應是指某些金屬或半導體的電阻值隨外加磁場變化而變化的現象。同霍爾效應一樣,磁阻效應也是由於載流子在磁場中受到洛倫茲力而產生的。在達到穩態時,某—...
磁感測器 磁感測器主要基於霍爾效應和磁阻效應的原理。利用霍爾效應的器件稱為霍爾器件。當施加磁通B 時,電阻增加率墹R/R 可用下式表示...
採用電阻、電感、電容及應變效應、磁阻效應、熱阻效應製成的感測器都屬於被動型感測器。主動型感測器是指感測器本身在吸收了能量(光能和熱能)經它本身變換後再輸出電能...
GMR磁場感測器工作原理 編輯 磁電阻(gmr)效應是1988年發現的一種磁致電阻效應,由於相對於傳統的磁電阻效應大一個數量級以上,因此名為巨磁電阻(giant magnetoresistan...