金屬-絕緣體-半導體結構是2019年公布的物理學名詞。
基本介紹
- 中文名：金屬-絕緣體-半導體結構
- 外文名： metal-insulator-semiconductor struc ture，MIS
- 所屬學科：物理學_凝聚態物理學_固體及其性質
- 公布年度： 2019年
公布時間,出處,
公布時間
2019年全國科學技術名詞審定委員會公審定布的物理學名詞。
出處
《物理學名詞》。
金屬-絕緣體-半導體結構是2019年公布的物理學名詞。
金屬－絕緣體－半導體系統（簡寫為 MIS）系統的三層結構如圖1所示。如絕緣層採用氧化物，則稱為金屬-氧化物-半導體（簡寫為MOS）系統。矽片上生長一層薄氧化膜後再覆蓋一層鋁，就是最常見的MOS結構。60年代以來MIS系統無論在技術套用...
MIS結構，即Metal-Insulator-Semiconductor（金屬-絕緣層-半導體）結構 理想情況下，MIS結構滿足：1. 金屬與半導體之間功函式差為零。即金屬與半導體之間無電壓，也就是說不會對絕緣層加壓 2. 絕緣層內沒有電荷存在，完全不導電 3. ...
金屬-絕緣體-半導體結構 金屬-絕緣體-半導體結構是2019年公布的物理學名詞。 公布時間 2019年全國科學技術名詞審定委員會公審定布的物理學名詞。出處 《物理學名詞》。
本書探討了製備絕緣體-半導體、金屬-絕緣體-半導體型層狀結構的各種方法，以及對其參數和電學性質的研究，並總結了對MIS系統非平衡過程的各種測試和分析方法等內容。圖書目錄 前言 主要符號和縮寫字說明 目錄 第一章 在半導體襯底上生長...
根據柵的結構,場效應電晶體可以分為三種：①結型場效應管(用PN結構成柵極)；②MOS場效應管（用金屬-氧化物－半導體構成柵極,見金屬－絕緣體－半導體系統）；③MES場效應管（用金屬與半導體接觸構成柵極）;其中MOS場效應管使用最廣泛。
壓力、溫度等外界因素會改變晶格常數甚至晶體結構，從而改變固體各個能帶之間的相對位置，使本來能量重疊的兩個能帶分開而顯現能隙，導致金屬導體變為絕緣體或半導體；或者使絕緣體的滿帶和空帶在能量上發生重疊，能隙消失導致絕緣體變成金屬...
非晶半導體和其他非晶材料一樣，都是短程有序、長程無序結構。它主要是通過改變原子相對位置，改變原有的周期性排列，形成非晶矽。晶態和非晶態主要區別於原子排列是否具有長程式。非晶態半導體的性能控制難，隨著技術的發明，非晶態半導體...
為了消除多晶材料中各小晶體之間的晶粒間界對半導體材料特性參量的巨大影響，半導體器件的基體材料一般採用單晶體。單晶製備一般可分大體積單晶(即體單晶)製備和薄膜單晶的製備。體單晶的產量高，利用率高，比較經濟。但很多的器件結構要求...
其次，有氧化膜的矽表面比自由表面有更好的電特性，因而矽器件比較容易解決表面的鈍化問題，容易使器件特性獲得良好的重複性和穩定性；此外，由於二氧化矽是一種性能很穩定的絕緣體，將它夾在矽與金屬之間構成的金屬一氧化物一半導體結構。
半導體製程有點像是蓋房子，分成很多層，由下而上逐層依藍圖布局迭積而成，每一層各有不同的材料與功能。隨 著功能的複雜，不只結構變得更繁複，技術要求也越來越高。與建築物最不一樣的地方，除了尺寸外，就是建築物是一棟一棟...
金屬能帶理論（band theory of metals）是用分子軌道理論說明金屬鍵本質的理論。金屬原子間組成若干分子軌道，它是一組擴展到整塊金屬的非定域軌道，且相鄰的分子軌道間能級差很小，形成一個能帶，各不同能量的能帶排列起來，形成能帶結構...
金氧半場效電晶體在數位訊號處理上最主要的成功來自互補式金屬氧化物半導體邏輯電路的發明，這種結構最大的好處是理論上不會有靜態的功率損耗，只有在邏輯門的切換動作時才有電流通過。互補式金屬氧化物半導體邏輯門最基本的成員是互補式...
眾所周知，半導體中的載流子為電子和正孔(空穴)。依靠電子導電的半導體叫n-型半導體；反之，由正孔傳導的則叫p-型半導體。半導體的比電導在金屬和絕緣體之間，其值為10～10歐姆·厘米，比電導的溫度係數大幹零是半導體的特徵之一。金屬...
第二章 半導體中雜質和缺陷能級 第三章 半導體中載流子的統計分布 第四章 半導體的導電性 第五章 非平衡載流子 第六章 p—n結 第七章 金屬和半導體的接觸．第八章 半導體表面與MIs結構 第九章 異質結 第十章 半導體的光學性質和...
現今通常把例如鍺（Ge）、矽（Si）等一類導體稱為半導體。這類導體的電阻率介乎金屬與絕緣體之間，且隨溫度的升高而迅速減小。這類材料中存在一定量的自由電子和空穴，後者可看作帶有正電荷的載流子。與金屬或電解液的情況不同，半導體...
例如晶體在某一方向上具有金屬導電性,而在其他方向上則可能呈現出半導體的導電特性,電導率可以相差二三個數量級或者更多。因此就其導電特性來說，可以把這種物質看作是一維導體，或準一維導體。石墨就是一個熟知的例子，是二維導體。結構 ...
，單電荷現象產生條件是隧穿結電容的充電能應該遠大於熱能. 一般來說，隧穿結的電容應該小於10F，已經製造出的金屬-絕緣體-金屬隧穿結、半導體異質結構中的隧穿結就具有這樣小的電容。由於在金屬和半導體中電荷密度有很大差別，其相應...
能帶結構可以解釋固體中導體、半導體、絕緣體三大類區別的由來。材料的導電性是由“傳導帶”中含有的電子數量決定。當電子從“價帶”獲得能量而跳躍至“傳導帶”時，電子就可以在帶間任意移動而導電。一般常見的金屬材料，因為其傳導帶與...
因此，對於一個在相同電場下的本徵半導體和絕緣體會有類似的電特性，不過半導體的能頻寬度小於絕緣體也意味著半導體的導電性更容易受到控制而改變。套用 半導體器件可以通過結構和材料上的設計達到控制電流傳輸的目的，並以此為基礎構建各種...
固體的導電性能由其能帶結構決定。對一價金屬，價帶是未滿帶，故能導電。對二價金屬，價帶是滿帶，但禁頻寬度為零，價帶與較高的空帶相交疊，滿帶中的電子能占據空帶，因而也能導電，絕緣體和半導體的能帶結構相似，價帶為滿帶，...
8.3.3 金屬-半導體的歐姆接觸 8.4 少子的擴散電流 8.5 MS肖特基結太陽電池 8.5.1 肖特基結太陽電池的光伏效應 8.5.2 光電流和光電壓 第9章 金屬-絕緣體-半導體（MIS）結構與MIS太陽電池 9.1 理想MIS結構...
1962年，第一次成功地在矽表面上用SiO2作絕緣層製成了金屬-氧化物-半導體結構的絕緣柵場效應電晶體，簡稱MOS電晶體，為發展大規模積體電路提供了技術基礎。分類和套用 從器件結構來看，固態電子器件大致可分為二端器件和三端器件兩大...
能帶論指出，導體、半導體、絕緣體導電性是由於它們的能帶結構不同造成的。金屬導體具有未被電子填滿的能帶，這種帶中的電子能起導電作用，稱為導帶。能帶理論還指出，在嚴格的周期性勢場中，電子可保持處於某個本徵態，且不隨時間改變，...
在金屬表面上，吸附粒子往往位於具有高度對稱性的，或者能和周圍原子形成較多價鍵的位置上，在金屬和吸附粒子之間有電荷轉移，因此金屬表面的逸出功函式隨表面的吸附而有相應的變化。半導體表面結構半導體的表面結構比較複雜，例如對於研究得...