透明導電金屬氧化物薄膜的P型摻雜研究

透明導電金屬氧化物薄膜的P型摻雜研究

《透明導電金屬氧化物薄膜的P型摻雜研究》是依託浙江大學,由季振國擔任項目負責人的面上項目。

基本介紹

  • 中文名:透明導電金屬氧化物薄膜的P型摻雜研究
  • 依託單位:浙江大學
  • 項目負責人:季振國
  • 項目類別:面上項目
  • 批准號:60576063
  • 申請代碼:F0405
  • 負責人職稱:教授
  • 研究期限:2006-01-01 至 2008-12-31
  • 支持經費:22(萬元)
項目摘要
透明導電金屬氧化物(TCO)已經被廣泛地套用在各種光電器件中,如液晶顯示,智慧型視窗,光伏器件等,但目前商品化的TCO膜都是電子導電的n型薄膜。但在很多情況下,採用空穴導電的p型TCO不但可以簡化光電器件的結構,提高器件的效率,而且可以利用p型的TCO與n型的TCO薄膜結合製作透明的光電器件。目前雖然已經有幾種p型導電的金屬氧化物透明導電薄膜,但對p型透明導電金屬氧化物薄膜中受主的摻雜機理、原生施主的抑止、雜質-缺陷的相互作用以及空穴在薄膜內的輸運情況等基本問題還沒有進行深入的研究。本項目計畫對以上幾個科學問題展開系統、深入的研究,並通過共摻雜技術提高受主的有效濃度,以獲得性能穩定、空穴濃度高、電阻率低的p型透明導電金屬氧化物薄膜。因此本項目既具科學研究價值,又有非常重要的套用前景。

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