《透明導電金屬氧化物薄膜的P型摻雜研究》是依託浙江大學,由季振國擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名:透明導電金屬氧化物薄膜的P型摻雜研究
- 依託單位:浙江大學
- 項目負責人:季振國
- 項目類別:面上項目
- 批准號:60576063
- 申請代碼:F0405
- 負責人職稱:教授
- 研究期限:2006-01-01 至 2008-12-31
- 支持經費:22(萬元)
《透明導電金屬氧化物薄膜的P型摻雜研究》是依託浙江大學,由季振國擔任項目負責人的面上項目。
《透明導電金屬氧化物薄膜的P型摻雜研究》是依託浙江大學,由季振國擔任項目負責人的面上項目。項目摘要透明導電金屬氧化物(TCO)已經被廣泛地套用在各種光電器件中,如液晶顯示,智慧型視窗,光伏器件等,但目前商品化的TCO膜都是...
在此基礎上,通過PAD技術實現金屬離子替位p型摻雜,通過可控氮化處理實現N元素有效摻雜,製備具有良好透明和導電特性的高質量摻雜CuAlO2外延薄膜。系統研究各種工藝條件對摻雜薄膜成分、結構及其光電性能的影響,揭示它們之間的內在相互關係;闡明受主雜質在CuAlO2外延薄膜中的特徵、變化規律、能帶結構和摻雜機理等基本問題。
《p型氧化物透明薄膜電晶體的研製》是依託北京交通大學,由王永生擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 氧化物TFT由於具有遷移率大、開口率高,被學術界認為是替代目前顯示器中套用最廣的a-Si TFT的理想候選開關元件。為解決當前p型氧化物TFT光學敏感性和穩定性問題,本項目擬用濺射在ITO玻璃和Si基片上用Li和N共摻...
《中紅外透明導電膜的研究》是依託吉林大學,由王一丁擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 中紅外透明導電膜主要套用于軍事領域,也可民用。其研究既有科學意義,又有套用前景。已套用的透明導電膜,僅透射可見和近紅外光,不透射中紅外光,主要原因是中紅外光與電子作用,產生電漿共振吸收,其ωp決定了透射頻率...
《新型MgO摻雜透明導電薄膜及其導電機理的研究》是依託深圳大學,由偰正才擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 採用以輕金屬類氧化物-MgO的非晶態薄膜為主體材料,以摻雜C和H等方式,研究其薄膜實現自絕緣相至導電相轉換的可能性和可行性,進行下一代新型透明導電薄膜開發的探索性研究。本項目的創新點是(1)、直接以...
實現p-GaN表面高透光率、低電阻率歐姆接觸的離子注入製備,研究揭示電極材料與p-GaN接觸的機制和特性、提高GaN基LED的發光亮度。在此基礎上開展p-GaN表面摻雜銦氧化物的Ni、Cu、Zn、Ga等元素的離子注入摻雜研究,促進透明導電氧化物與p-GaN材料的低阻歐姆接觸,為製備高效率GaN基LED提供新的途徑和科學依據。
第ⅢA族元素(Al、Ga、In等)摻雜製備的的氧化鋅具有了透明導電薄膜最基本的兩個特性:高透過率、低電阻率,被認為有潛力取代ITO而成為GaN基LED的理想電極材料。本項目通過研究GaN發光面生長ZnO透明薄膜電極的工藝與生長機理研究、p型GaN的表面預處理及工藝方法研究、ZnO/p-GaN歐姆接觸的製備及其形成機理研究、電極...
(1)建立不同濃度S摻雜p型CuAlO2薄膜模型,獲得硫化對p型CuAlO2薄膜的透明導電性的影響規律,得到最優S濃度摻雜量;(2)揭示不同鹼土金屬的受主摻雜對p型CuAlO2薄膜載流子輸運特性的影響規律,得到最佳鹼土元素受主;(3)分析硫與鹼土金屬共摻雜p型CuAlO2薄膜的導電機制及其影響規律,建立最優共摻雜物理模...
(1)、主持國家自然科學基金,兩種直接帶隙型Cu基p型透明導電材料的理論設計與性能最佳化,項目批准號:61204104,起止年月2013-01-2015-12 (2)、主持廣西海外高層次人才引進“百人計畫”資助項目 (3)、主持廣西大學“學術骨幹”啟動經費,新型p型透明導電材料的理論探索研究,項目批准號:XGZ-130718,起止年月:...
這個工作表明Cu-Ga共摻的方法可用於製備p-型導電ZnO,為製備p-型導電ZnO提供了一個新的路徑,可能會推動ZnO基同質結器件和ZnO基p-型透明導電薄膜的研究。 製備了n-ZnO/SiO2/p-GaN異質結器件,分別從ZnO側和GaN側測試了室溫電致發光譜,卻得到了不同的發光譜。在GaN側發光峰在約391.3 nm處,而在ZnO側...
第1章透明導電氧化物薄膜概述1 1 1引言1 1 2太陽光譜基礎知識2 1 2 1太陽常數與大氣質量2 1 2 2太陽光譜分布3 1 3TCO薄膜的透明導電機理4 1 3 1TCO薄膜的透光性4 1 3 2TCO薄膜的導電性6 1 3 3導電性與透光性的關係14 1 4TCO薄膜的材料體系17 1 4 1n型摻雜TCO薄膜18 1 4 2p型摻雜TCO薄膜...
透明導電氧化物(TCOs)因其晶體結構和組分元素變化多樣而呈現豐富的電磁特性,被廣泛套用於平板液晶顯示、薄膜電晶體和印刷電路等領域中。本項目使用組分替換、相變等手段調控基於In2O3的透明導電材料的光電特性。通過幾何結構、電子結構的理論分析發現Zn/Sn共摻可提高In2O3中雜質的摻雜比例,降低In的含量,並且能夠...
黃富強,夏玉娟,方愛華,劉戰強,謝曉明,一類摻雜的鐵基高溫超導材料的製備方法 (200910050397.4)黃富強,萬冬雲,表面織構化n型ZnO基透明導電薄膜及其製備方法 (200910051996.8)Huang FQ, Belinski-Wolfe J, Fan CW, Isostatic-pressed ZnS raw materials making the lamp brighter. CM-1347 (USPatent)Huang FQ, ...
在國際上較早開展ZnO研究。1989年ZnO研究結果發表在國際期刊Appl.Opt.上;1990年“ZnO摻In透明導電薄膜”獲浙江省科技三等獎。在ZnO薄膜製備、p型摻雜與LED室溫電致發射紫藍光,ZnO透明導電薄膜與低微材料可控制備及高真空CVD技術方面取得了創新成果。其中“ZnO基材料生長、p型摻雜與室溫電致發光研究”獲2006年浙江...
在硒化氫氣體中,從金屬合金靶反應濺射交替的吸收體層。RF濺射用於沉積不包含鎘的ZnS視窗層。反應濺射頂部透明電極ZnO摻雜鋁。描述了專用模組真空卷裝濺射機器。該機器適於與雙圓柱體旋轉磁控管一體化,在單一途徑中以製造改進的太陽能電池材料。2018年12月20日,《薄膜太陽能電池大規模生產的製造裝置與方法》獲得第...
然而多數氧化物半導體的p型摻雜存在困難,阻礙了高居里溫度稀磁性的獲得。銅鐵礦(ABO2)基氧化物是具有優良p型導電性的氧化物半導體之一,其中電導率最高的是CuCrO2薄膜(220 S cm-1),這對於以空穴為媒介的磁交換作用十分有利。 按照預定方案,以CuCrO2為基質分別製備了3d過渡金屬(Fe、Mn等)摻雜的納米粉體...
由於具有更好的空穴傳輸性能,硫化物寬禁帶半導體材料在替代氧化物半導體材料方面顯示出令人感興趣的潛力。通過磁控共濺射獲得了透明導電的Ba-Cu-S材料體系,分析表征了它們的化學成分比、光學和電學性能。研究表明,這些薄膜的導電率和透明度強烈依賴於它們的化學成分和基板溫度。研究獲得了透過率高達90%的P型導電薄膜,...
首先利用熱蒸發法在透明導電薄膜上生長ZnO納米桿,接著在納米桿上用化學溶液法製備PbS量子點薄膜,最後用電化學沉積或磁控濺射法製備Cu2O薄膜。結合第一性原理計算分析PbS量子點與ZnO納米桿之間的光誘導電荷轉移的微觀機理,研究PbS量子點的大小和結晶性能對光生載流子產生效率的影響,通過對量子點、Zn...
該裝備對於大規模製備LED 套用的ZnO 透明導電薄膜以及研究ZnO 寬禁帶半導體材料的物理特性、新功能、新套用、解決p 型摻雜等重大科學問題提供了強有力的支撐。☆ 利用特殊晶片補償低顯色性白光所缺乏的光譜的原理,在不降低光源效率和壽命的前提下,發明了提高白光光源顯色指數Ra>90同時光效>90Lm/W 的獨創性技術...
脈衝雷射沉積法製備矽基摻Mn矽酸鋅薄膜 紫外透明導電氧化鎵薄膜的製備及性能表征 直流反應磁控濺射製備氧化鉛薄膜 In-Al共摻製備高性能P型SnO_2透明導電薄膜 磁控濺射法製備P型Cu_2O薄膜 P型透明導電氧化物薄膜的研究 磁控濺射法沉積透明導電CdO薄膜的性能最佳化 p型Na:ZnO薄膜的製備及其表征 ...
研究課題 · 多層結構Ga203深紫外透明導電膜研究(10974077);基金來源:國家自然科學基金面上項目;資助金額:34萬。起止年限:2010.01-2012.12。· P型氧化鎵深紫外透明導電膜研究(2009ZRB01702);基金來源:山東省自然科學基金面上項目;資助金額: 5萬;起止年限:2010.01-2012.12。· 高透明高隔熱節能...
研究方向 1.氧化物半導體的製備及及光電特性研究 2.ZnO中的雜質缺陷行為研究及p型ZnO的製備 3.氧化物透明導電薄膜的製備 4.納米ZnO的製備及感測器的研製 研究工作 從事氧化物半導體薄膜材料的製備及其光電特性研究。發表論文 1. Xingping Peng, Jinzhang Xu, Hang Zang, Boyu Wang, and Zhiguang Wang, Structural...
研究方向 主要從事寬禁帶半導體薄膜與納米結構材料的製備及其在紫外探測器、薄膜電晶體、發光二極體、太陽能電池及鋰離子電池等方面的基礎套用研究。專利 [1] 朱麗萍, 曹鈴, 葉志鎮. 一種Li-F共摻雜生長p型ZnO晶體薄膜的方法.[2] 朱麗萍, 曹鈴, 葉志鎮. 一種氟摻雜生長n型透明導電ZnO晶體薄膜的方法.[3] 朱麗萍...
根據表面的XPS測試與分析,研究了玻璃表面易清潔和性能耐久性機理,成功地利用物理和化學方法在玻璃襯底上制出了減反射膜、防靜電膜、低輻射膜、截止紫外線膜和透明導電膜(TCO)等多種功能膜、複合膜,得到了新型節能鍍膜玻璃;通過TCO薄膜的XPS研究發現,摻雜量的不同可以使半導體薄膜在n和p型之間轉換, TCO膜與...
第二層為TCO,即透明氧化物導電膜,一方面光從它穿過被電池吸收,所以要求它的光透過率高;另一方面作為電池的一個電極,所以要求它能夠導電。TCO 一般製備成絨面,主要起到減少反射光從而增加光的吸收率的作用。太陽能電池就是以這兩層為襯底沉積形成的。太陽能電池的第一層為P層,即視窗層;其次是i 層,即...
4. 2006年,國家自然科學基金面上項目“p型GaN表面透明低阻歐姆接觸的離子注入製備和特性研究”,資助金額35萬元。5. 2010年,國家自然科學基金面上項目“透明導電氧化物基稀磁半導體的離子注入製備和特性研究”,資助金額48萬元。課題 同時,作為主要研究成員,還參加了一些重要課題的研究,如: 國家自然科學基金...
已有的研究工作:(1)半導體透明導電氧化物材料 採用固相合成技術,通過高價態差元素摻雜和多元化學固溶途徑,合成具有高透光率和高導電率的透明導電氧化物靶材,並進而利用脈衝雷射沉積技術生長高性能透明導電氧化物薄膜。該項研究主要作為電極材料套用於太陽能電池和平板顯示系統。該項研究獲得了江蘇省工業支撐計畫的...
9.3.1 納米結構的摻雜與接觸 9.3.2 同質結LED 9.3.3 異質結LED 9.3.4 雷射二極體(LD)9.3.5 光電探測器(PD)9.3.6 光伏太陽能電池 9.4 ZnO基透明導電薄膜和場效應器件 9.5 ZnO基壓電器件 9.6 ZnO基感測器件 9.7 ZnO基自旋器件 9.8 ZnO基光催化材料 9.9 小結 思考題 參考文獻 第10章 ...
國家重大科學研究計畫(973計畫)—子課題,適用於太陽能電池的透明導電薄膜的性能最佳化和新材料新結構探索,2012.01-2016.08,參加人 國家“863”計畫課題,ZnO納米線異質結構陣列紫外發射LED器件研究,2006.12-2008.12,參加人 獲獎記錄 教育部新世紀優秀人才支持計畫入選者 2006年度高等學校科學技術獎(自然科學獎)...