《p型GaN表面透明低阻歐姆接觸的離子注入製備和特性研究》是依託武漢大學，由石瑛擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：p型GaN表面透明低阻歐姆接觸的離子注入製備和特性研究
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：石瑛
- 依託單位：武漢大學
- 批准號：10675094
- 申請代碼：A3003
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2007-01-01 至 2009-12-31
- 支持經費：35（萬元）
項目摘要
GaN材料和器件的研究開發具有巨大的套用前景，基於GaN開發全固態半導體白光照明將帶來一場照明革命。但是現有GaN基LED的發光功率和輸出效率還不足以滿足作為固態照明光源的要求，這是因為在p型GaN上實現透明低阻歐姆接觸仍是未解決的科學難題。本研究在用MBE方法製備出的高質量p-GaN上製備Ni/Au金屬電極，通過對其進行Be、Mg、Zn等Ⅱ族元素和Pt、Re等高功函式金屬的離子注入，探索金屬/p-GaN接觸的作用機制，促進低阻歐姆接觸並提高電極的光透射率，實現p-GaN表面高透光率、低電阻率歐姆接觸的離子注入製備，研究揭示電極材料與p-GaN接觸的機制和特性、提高GaN基LED的發光亮度。在此基礎上開展p-GaN表面摻雜銦氧化物的Ni、Cu、Zn、Ga等元素的離子注入摻雜研究，促進透明導電氧化物與p-GaN材料的低阻歐姆接觸，為製備高效率GaN基LED提供新的途徑和科學依據。
