《透明氧化物半導體CuAlO2薄膜外延生長及其p型摻雜研究》是依託蘭州大學，由蘭偉擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：透明氧化物半導體CuAlO2薄膜外延生長及其p型摻雜研究
- 依託單位：蘭州大學
- 項目負責人：蘭偉
- 項目類別：青年科學基金項目
- 批准號：50802037
- 申請代碼：E0207
- 負責人職稱：副教授
- 研究期限：2009-01-01 至 2011-12-31
- 支持經費：20（萬元）
項目摘要
性能優異的高質量p型透明氧化物半導體（TOS）外延薄膜的製備是當前透明電子學發展中亟待解決的關鍵問題之一。CuAlO2由於具有比較優異的光電綜合性質而成為p 型TOS的重要候選材料。本項目提出使用最新研發的聚合物輔助沉積（PAD）技術在藍寶石單晶襯底上外延生長CuAlO2薄膜，通過對製備工藝的最佳化和改進，元素比例的調控，獲得透明和導電性能較好的p型CuAlO2外延薄膜。在此基礎上，通過PAD技術實現金屬離子替位p型摻雜，通過可控氮化處理實現N元素有效摻雜，製備具有良好透明和導電特性的高質量摻雜CuAlO2外延薄膜。系統研究各種工藝條件對摻雜薄膜成分、結構及其光電性能的影響，揭示它們之間的內在相互關係；闡明受主雜質在CuAlO2外延薄膜中的特徵、變化規律、能帶結構和摻雜機理等基本問題。因此，開展本項目的研究工作不僅具有很強的科學意義，也具有重要的套用價值。
