《新型氧化銅基p型氧化物半導體薄膜的研究》是依託復旦大學，由張群擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：新型氧化銅基p型氧化物半導體薄膜的研究
- 依託單位：復旦大學
- 項目類別：面上項目
- 項目負責人：張群
- 批准號：60671041
- 申請代碼：F0122
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2007-01-01 至 2009-12-31
- 支持經費：26（萬元）
項目摘要
P型透明氧化物半導體薄膜是透明電子學發展的瓶頸材料之一。本項目提出了基於我們近期在p型透明氧化物半導體靶材方面的探索，利用原理上為脈衝電子束的渠道火花燒蝕法研究開發具有層狀晶格結構的氧化銅基CuMO2(M=Mg,Ag,Ni等)p型透明氧化物半導體薄膜的構想；擬通過摻雜離子的電子結構及晶格結構的設計，拓展氧化銅基透明氧化物半導體材料體系；研究具有p型導電特性的靶材的合成技術和性質；研究渠道火花燒蝕法製備薄膜的條件，最佳化具有良好結晶性和光電特性的透明氧化物半導體薄膜的製備參數；系統分析各種製備條件對薄膜成分、結構及其性能的影響，揭示它們之間的內在相互關係；闡明在保持光學透明性的同時，通過摻雜離子種類、離子濃度和氧化程度等實現控制材料導電特性的機理；深入分析和理論計算所製備薄膜的電子態密度和能帶結構，揭示p型氧化物半導體的摻雜機制和載流子輸運機理。本項目是一項具有原創性和先進性的課題。
