負性光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種由感光樹脂、增感劑（見光譜增感染料）和溶劑三種主要成分組成的對光敏感的混合液體。
基本介紹
- 中文名：負性光刻膠
- 外文名：photoresist
- 又稱：光致抗蝕劑
- 組成成分：感光樹脂、增感劑和溶劑
簡介,原理,
簡介
感光樹脂經光照後，在曝光區能很快地發生光固化反應，使得這種材料的物理性能，特別是溶解性、親合性等發生明顯變化。經適當的溶劑處理，溶去可溶性部分，得到所需圖像（見圖光致抗蝕劑成像製版過程）。光刻膠廣泛用於印刷電路和積體電路的製造以及印刷製版等過程。光刻膠的技術複雜，品種較多。根據其化學反應機理和顯影原理，可分負性膠和正性膠兩類。光照後形成不可溶物質的是負性膠；反之，對某些溶劑是不可溶的，經光照後變成可溶物質的即為正性膠。利用這種性能，將光刻膠作塗層，就能在矽片表面刻蝕所需的電路圖形。基於感光樹脂的化學結構，光刻膠可以分為三種類型。①光聚合型，採用烯類單體，在光作用下生成自由基，自由基再進一步引發單體聚合，最後生成聚合物，具有形成正像的特點。②光分解型，採用含有疊氮醌類化合物的材料，經光照後,會發生光分解反應,由油溶性變為水溶性，可以製成正性膠。③光交聯型，採用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料,在光的作用下,其分子中的雙鍵被打開，並使鏈與鏈之間發生交聯，形成一種不溶性的網狀結構，而起到抗蝕作用，這是一種典型的負性光刻膠。柯達公司的產品KPR膠即屬此類。感光樹脂在用近紫外光輻照成像時，光的波長會限制解析度（見感光材料）的提高。為進一步提高解析度以滿足超大規模積體電路工藝的要求，必須採用波長更短的輻射作為光源。由此產生電子束、X 射線和深紫外(<250nm)刻蝕技術和相應的電子束刻蝕膠，X射線刻蝕膠和深紫外線刻蝕膠，所刻蝕的線條可細至1□m以下。
