紫外光刻膠UV resist用紫外光作曝光光源的光刻膠。一般是指分光感度波長為sao一450nin的近紫外抗蝕劑紫外光刻膠有負性、正性和止一負性兩用三類。負性的代表品種是聚乙烯醇肉桂酸醋、環化橡膠系抗蝕劑、止性代表品種是重氦茶釀系抗蝕劑，正負性抗蝕劑是為丁兼顧其既有.卜性又有負性的性能，往往會給全面照顧抗蝕劑套用上帶來一些難題，目前尚未商品化、
紫外光刻膠UV resist用紫外光作曝光光源的光刻膠。一般是指分光感度波長為sao一450nin的近紫外抗蝕劑紫外光刻膠有負性、正性和止一負性兩用三類。負性的代表...
光刻膠是微電子技術中微細圖形加工的關鍵材料之一,特別是近年來大規模和超大規模積體電路的發展,更是大大促進了光刻膠的研究開發和套用。印刷工業是光刻膠套用的...
正性光刻膠也稱為正膠。正性光刻膠樹脂是一種叫做線性酚醛樹脂的酚醛甲醛,提供光刻膠的粘附性、化學抗蝕性,當沒有溶解抑制劑存在時,線性酚醛樹脂會溶解在顯影...
負性光刻膠又稱光致抗蝕劑,是一種由感光樹脂、增感劑(見光譜增感染料)和溶劑三種主要成分組成的對光敏感的混合液體。...
光刻負膠,樹脂是聚異戊二烯,一種天然的橡膠;溶劑是二甲苯;感光劑是種經過曝光後釋放出氮氣的光敏劑,產生的自由基在橡膠分子間形成交聯。從而變得不溶於顯影液。...
正型光刻膠 由光分解劑和鹼性可溶性樹脂及溶劑組成,為重氮茶醒磺酸醋及線性酚醛製成。...
引起光刻膠的流動,使圖形精度降低,解析度變差。另外還可以用深紫外線(DUV,Deep Ultra-Violet)堅膜。使正性光刻膠樹脂發生交聯形成一層薄的表面硬殼,增加光刻膠...
曝光光源波長分為紫外、深紫外和極紫外區域,光源有汞燈,準分子雷射器等。光刻機光刻機種類 編輯 a.接觸式曝光(Contact Printing):掩膜板直接與光刻膠層接觸。...
正性光刻膠,樹脂是一種叫做線性酚醛樹脂的酚醛甲醛,提供光刻膠的黏附性、化學抗蝕性,當沒有溶解抑制劑存在時,線性酚醛樹脂會溶解在顯影液中;感光劑是光敏化合物...
ultra}iolel photograpl:io resin指對紫外光敏感的感光樹脂,與可見光相比,紫外光的波長較短,能量較高,適應的光敏結構較多,多用於}c求加I_精度較高的光刻膠和...
光刻(英語:photolithography)工藝是半導體器件製造工藝中的一個重要步驟,該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結構,然後通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉移...
紫外曝光機,也稱光刻機、掩模對準曝光機、曝光系統、光刻系統等,是印刷線路板(PCB)製作工藝中的重要設備。一般的光刻工藝要經歷矽片表面清洗烘乾、塗底、旋塗光...
光刻技術是指在光照作用下,藉助光致抗蝕劑(又名光刻膠)將掩膜版上的圖形轉移到基片上的技術。其主要過程為:首先紫外光通過掩膜版照射到附有一層光刻膠薄膜的...
紫外清洗機又名紫外臭氧清洗機,或者UV清洗機,小型的也有叫紫外臭氧清洗儀或者紫外臭氧清洗器,英文名稱為UV OZONE CLEANING SYSTEM。 光清洗技術的套用範圍十分廣泛,...
具備很高的解析度,就必須要掌握高密度刻線技術(如每毫米幾千條等距離平行線),要刻這么多的線數,就必須有高強度的短波紫外光源(200~300毫微米)對應的光刻膠進行...
紫外光清洗技術是利用有機化合物的光敏氧化作用達到去除黏附在材料表面上的有機物質,經過光清洗後的材料表面可以達到"原子清潔度"。UV光源發射波長為185nm和254nm的...
UV—LIGA技術使用紫外光源對光刻膠曝光,光源來自汞燈,所用的掩膜板是簡單的掩膜板。該工藝分為兩個主要的部分:厚膠的深層UV 光刻和圖形中結構材料的電鍍。其...