《紫外光電子器件——氮化物技術及套用》是2018年2月化學工業出版社出版的圖書,作者是[德]麥可·尼塞爾(Michael Kneissl)。
基本介紹
- 中文名:紫外光電子器件——氮化物技術及套用
- 作者:[德]麥可·尼塞爾(Michael Kneissl)
- 出版時間:2018年2月
- 出版社:化學工業出版社
- 頁數:400 頁
- ISBN:9787122303592
- 定價:198 元
- 開本:16 開
- 裝幀:平裝
《紫外光電子器件——氮化物技術及套用》是2018年2月化學工業出版社出版的圖書,作者是[德]麥可·尼塞爾(Michael Kneissl)。
《紫外光電子器件——氮化物技術及套用》是2018年2月化學工業出版社出版的圖書,作者是[德]麥可·尼塞爾(Michael Kneissl)。內容簡介本書全面介紹了基於Ⅲ族氮化物的紫外LED、雷射器和探測器的新技術,涵蓋...
《氮化物深紫外發光材料及器材》共8章,內容包括:氮化物半導體材料性質及外延生長理論,氮化物半導體材料製備及表征方法,深紫外發光二極體的量子效率與結構設計、關鍵製備工藝、封裝技術、套用,以及當前氮化物深紫外發光二極體的一些研究前沿和熱點。圖書目錄 目錄 “先進光電子科學與技術叢書”序 前言 第1章 氮化物半導體...
全書共8章,內容包括:氮化物半導體材料性質及外延生長理論,氮化物半導體材料製備及表征方法,深紫外發光二極體的量子效率與結構設計、關鍵製備工藝、封裝技術、套用,以及當前氮化物深紫外發光二極體的一些研究前沿和熱點。目錄 “先進光電子科學與技術叢書”序 前言 第1章 氮化物半導體材料性質 1 1.1 III族氮化物半導體的...
該類螢光粉的陰離子基團含有高負電荷的N,電子雲膨脹效應使得其激發光譜向近紫外、可見光等長波方向移動,可以被200~500納米範圍內藍光和紫外激發發光,發射光主波長分布在590~720納米較寬範圍內,具備顯色性好、發光效率高的特點,安全性能好、無毒、環保,且基質具有緊密的網路結構,物理化學性質穩定。因此,氮化...
氮化鎵基發光二極體,電子學術語,GaN 是一種寬頻隙化合物半導體材料,具有發射藍光、高溫、高頻、高壓、大功率和耐酸、耐鹼、耐腐蝕等特點,是繼鍺、矽和砷化鎵之後最主要的半導體材料之一。使得它在藍光和紫外光電子學技術領域占有重要地位,也是製作高溫、大功率半導體器件的理想材料。1背景介紹 半導體材料的發展 半導...
《氮化物半導體THz電子器件關鍵技術研究》是依託西安電子科技大學,由楊林安擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 本項目針對GaN基IMPATT、GunnDiode和RTD器件在太赫茲源技術中的廣闊套用前景和器件實現中所面臨的關鍵技術難點,基於前期工作中所取得的研究成果,提出了包括p型肖特基接觸DDR結構IMPATT、InGaN背勢壘平面結構Gunn...
GaN材料系列具有低的熱產生率和高的擊穿電場,是研製高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前,隨著 MBE技術在GaN材料套用中的進展和關鍵薄膜生長技術的突破,成功地生長出了GaN多種異質結構。用GaN材料製備出了金屬場效應電晶體(MESFET)、異質結場效應電晶體(HFET)、調製摻雜場效應電晶體(MODFET)等新型...
氮化銦(InN)是氮化物半導體材料的一種。常溫常壓下的穩定相是六方纖鋅礦結構,是一種直接帶隙半導體材料。結構 氮化銦是一種新型的三族氮化物材料。這種材料的引人之處在於它的優良的電子輸運性能和窄的能帶,有望套用於製造新型高頻太拉赫茲通信的光電子器件。氮化銦納米結構是研製相關量子器件的基礎。然而,一直以來...
圖1為2017年5月以前的技術中的紫外AlGaNLED外延結構,如圖1所示,該結構包含緩衝層101,非摻雜AltGa1-tN層102,N型摻雜AluGa1-uN層103,AlxGa1-xNAl量子阱層104、AlyGa1-yNAl量子壘層105,AlzGa1-zN電子阻擋層106,P型摻雜AlvGa1-vN層107以及P型摻雜GaN層108。雖然,紫外深紫外鋁鎵氮AlGaNLED套用廣泛。但...
因此綜合看來c-BN是性能最為優異的第三代半導體材料,不僅能用於製備在高溫、高頻、大功率等極端條件下工作的電子器件,而且在深紫外發光和探測器方面有著廣泛的套用前景。事實上,最早報導了在高溫高壓條件下製成的c-BN發光二極體,可在650℃的溫度下工作,在正向偏壓下二極體發出肉眼可見的藍光,光譜測量表明其最短...
《氮化物寬禁帶半導體材料與電子器件》可供微電子、半導體器件和材料領域的研究生與科研人員閱讀參考。圖書目錄 《半導體科學與技術叢書》出版說明 序言 第1章 緒論 1 參考文獻 4 第2章 III族氮化物半導體材料的性質 6 2.1 III族氮化物的晶體結構和能帶結構 6 2.1.1 GaN、AlN和InN 6 2.1.2 氮化物合金材料的...
本書基於國內外寬禁帶半導體紫外光電探測材料及器件的發展現狀和趨勢,從材料特性、探測器設計、器件工藝和紫外光電回響特性等方面詳述了寬禁帶半導體紫外光電探測器所面臨的關鍵科學技術問題、主要技術成果、產業套用情況和發展前景。本書可為從事寬禁帶半導體紫外光電材料和器件研發、生產的科技工作者、企業工程技術人員和...
本書重點分析了這類新型器件的電學與光學特性,並討論了不同器件在可見光通信套用中所具有的顯著優勢。 本書取材新穎,內容翔實,集成了國際上氮化物發光器件領域全前沿的熱點方向與研究成果。適用於從事發光器件和可見光通信系統研究的廣大工程技術人員閱讀,也可作為通信、電子、光學等專業和相關培訓班的教學參考書。作...
這種生長在Si襯底上的微腔發光器件易於實現與Si電子的集成.此外,光學微腔作為一種新型的高效發光器件,其研究本身將具有重要的科學意義和實用價值。本項目從材料系的選擇到研究方向都具有創新性,是進一步實現納米雷射陣列的基礎,在光電集成、光互連、光信息處理等方面具有廣泛的套用前景.
可以實現粒子數的反轉,量子阱與超晶格間的耦合實現阱間的電子傳輸;3、通過自洽計算,設計量子阱寬度和勢壘寬度,希望能夠實現在近紅外到中遠紅外的激射發光。這個研究實現對材料發光波長的剪裁,具有很好的套用前景,如在無線通信,衛星信號的傳遞,光感測器,紅外探測器,醫用成象系統和其它光電子器件等領域。
7.6.2 MicroLED顯示技術發展趨勢 268 7.6.3 半導體雷射器發展趨勢 269 參考文獻 270 第8章 氮化鎵單晶材料的套用——電力電子和微波射頻器件 297 8.1 套用市場分析 299 8.1.1 電力電子器件套用市場分析 299 8.1.2 微波射頻器件套用市場分析 ...
本學科長期致力於新一代信息光電技術研究,發展出五個富有活力的研究方向:1. 半導體光電子科學與技術;2. 半導體異質結構電子學;3. 半導體納米結構與納電子學;4. 現代固體電子套用技術;5. 半導體光電器件產業化技術。這些研究方向互相關聯,互相滲透,構成了涵蓋套用基礎、高技術和產業化技術研究,比較完整的信息...
天野浩長期致力於氮化物半導體材料與器件研究,特別是氮化鎵材料生長和器件製備研究。人物經歷 1960年9月11日,天野浩出生於日本靜岡縣濱松市。1979年,從靜岡縣立濱松西高中畢業。1983年,獲得日本名古屋大學電子工程學士學位。1985年,獲得名古屋大學電氣電子工程碩士學位。1988年,任名古屋大學工學部研究助理。1989年,獲得...
(1)半導體紫外光源領域:高Al組分AlGaN半導體材料MOCVD生長研究;UVB波段(280-320nm)AlGaN基紫外雷射二極體器件製備研究;UVC波段(200-280nm)AlGaN基高效紫外發光二極體器件製備及在污染物分解、殺菌消毒等領域的套用研究等。(2)微電子器件領域:AlGaN/GaN基射頻/微波高電子遷移率場效應管(HEMT)材料生長及器件...
3. 新型襯底上氮化物光電子器件 科研項目 1. 863項目“功率型白光LED產業化關鍵技術開發”(2008-2010);2. 國家發改委項目“100lm/W功率型LED產業化量產技術開發”(2009-2011);3. 國家自然科學基金項目“提高垂直結構LED外量子效率的新型微納技術研究”(2012-2014)代表論著 1. P. Ma, Jingbo Li, ...
預計,在今後的10~20年中,大尺寸的、協變襯底的製備技術將獲得突破,並且廣泛套用於大失配異質結材料生長及其相聯繫的光電子器件製造。世界各國現在又投入了大量的人力、財力和物力,並且以期望取得GaN基高功率器件的突破,居於此領域的制高點。氮化物襯底材料的評價因素及研究與開發GaN、AlN、InN及其合金等材料,是作為...
1. 氮化物半導體材料與器件(發光器件、探測器件、電子電力器件)2. 氧化鋅納米結構材料製備技術與套用 3. 新型太陽能材料與電池製備技術 完成項目 1.國家高新技術研究發展計畫項目(863計畫) “面向新型綠光器件的高In組分氮化物材料的生長技術研究”2.廣東省中國科學院全面戰略合作(省院產學研)項目 “大尺寸圖形襯底...
gan基材料具有禁頻寬度大、熱導率高、電子飽和漂移速度大和介電常數小等特 點,gan 基材料可以用於製造藍、綠、紫和白光二極體,藍色和紫色雷射器,以及高頻、大功率電子器件和紫外光探測器等等。二極體的製造技術已經比較成熟並且已經初步商品化。雷射器的進展也非常迅速,正在走向商品化。其他器件如 gan 基的 fet、...
(1)三維半導體(GaN/ZnO 納米柱陣列)材料合成及其新器件之研究 (2)超細金屬納米線材料(Cu納米線網路、合金納米線)及透明電極套用之研究 (3)二維半導體薄層材料(BN)合成及其光電子器件之研發 (4)深紫外(DUV)氮化物半導體LED結構器件及套用之研發 (5)先進納米微觀表征技術之研發 (6)生物蛋白質分子...
藍雷射的套用領域 電訊 信息技術 環境監測 電子設備 醫療診斷 微型投影機及顯示器 目前商品化的藍光光碟產品 Blu-ray Disc HD DVD THD 相容 BD 和 HD DVD 的 THD 華納家庭視頻公司(WHV)在CES2007 (8,Jan,2007)宣布了會發展——整合了BD與HD DVD內容的“Total Hi Def Disc”(也稱為 Total HD 或 THD...
SOI襯底上單電子電晶體的研製,參與。9.973項目:寬頻光纖與無線信息網路中的光子集成與微納光電集成基礎研究, 技術骨幹。10.973項目:矽基微納光波導傳輸與單片光電集成技術,骨幹 11.863重點項目:高效氮化物LED材料及晶片關鍵技術,骨幹。12.北京市科技計畫項目:藍寶石圖形襯底驗證及套用技術,技術骨幹 ...
張榮在解決基礎物理問題、攻克材料製備難題的基礎上,研製成功新型高性能紫外探測和固態光源器件,開拓高靈敏空天日盲紫外探測成像等套用領域,取得了系統性、創造性成就,產生重大社會經濟效益。他帶領課題組突破了一批高質量氮化物半導體材料製備核心技術,成功研製出技術指標先進的一系列新材料和新型器件;建立了一系列氮化物...
1995年畢業於南京大學物理系,同年進入總裝防化研究院工作,主要研究和開發熱釋光固體探測器;2004年在北京大學半導體光電子專業獲理學博士學位, 同年回總裝防化研究院進行氮化物紫外光探測器在核爆探測方面的研究;2005年任職於北京睿源固態照明科技有限公司,主要從事藍光紫光LED的MOCVD外延的研發工作;2006年受聘為北京...
物理學院凝聚態物理研究所 —— 講師 2001.1 - 2002.8 上海藍光科技有限公司 LED晶片部 —— 高級工程師 2000.7 - 2002.8 北京大學 凝聚態物理博士後流動站 —— 博士後 研究方向 III族氮化物器件物理,包含GaN基垂直結構 LED;GaN基微納米出光結構;GaN基微納米器件;調節生物節律的LED光源等等。
承擔中國科學院套用研究與發展重點項目“GaN/SiC/Si 異質外延材料的生長與研究”以及863 項目“高亮度藍光、綠光LED 的產品開發和規模化生產關鍵技術的研究”中“氮化物立方GaN 藍、綠光發光器件研製與產品開發”子課題,並順利完成。參與和承擔“氮化鎵雷射器”、“氮化鎵紫外探測器”“GaN/Si基材料生長與研究”等多...