蔡端俊，男，博士，廈門大學物理科學與技術學院教授，專業方向是三維半導體(GaN/ZnO 納米柱陣列)材料合成及其新器件之研究等。
基本介紹
- 中文名：蔡端俊
- 學位/學歷：博士
- 職業：教師
- 專業方向：三維半導體(GaN/ZnO 納米柱陣列)材料合成及其新器件之研究等
- 職稱：教授
- 任職院校：廈門大學
個人經歷,研究領域,主講課程,學術成果,發表文章,在研基金,
個人經歷
2016- 兼任美國杜克大學化學系，高級訪問學者。
2015- 廈門大學物理與機電工程學院、半導體光電子材料與高效轉換器件協同創新中心，教授。
2013- 兼任台灣大學電機系、光電資訊工程研究所，客座副教授。
2011-2012 廈門大學物理與機電工程學院、半導體光子學研究中心，副教授。
2009-2010 法國里昂第一大學，凝聚態及納米材料研究中心，博士後研究員。
2008-2009 葡萄牙國立科英布拉大學物理學系，計算物理研究中心，博士後研究員。
2007-2008 台灣大學物理學系，博士後研究員。
2006 廈門大學物理學系凝聚態專業，理學博士。
現為美國物理學會、美國生物物理學會會員。任Appl. Phys. Lett., J. Phys. Chem., J. Appl. Phys., Opti. Comm. 等雜誌專家審稿人。曾為廈門市京劇愛好者協會、台灣大學國劇社、台北市琴鑼國劇團、台北市響宴國劇社、醉霜國劇研究會會員。擔任程派入口網站“秋風起”－程腔原韻版版主。
研究領域
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（1）三維半導體(GaN/ZnO 納米柱陣列)材料合成及其新器件之研究
（2）超細金屬納米線材料（Cu納米線網路、合金納米線）及透明電極套用之研究
（3）二維半導體薄層材料（BN）合成及其光電子器件之研發
（4）深紫外（DUV）氮化物半導體LED結構器件及套用之研發
（5）先進納米微觀表征技術之研發
（7）微觀結構材料第一性原理模擬計算
主講課程
《LED與光伏系統》 固體與微電子學專業研究生 選修課程
《半導體中的缺陷》固體與微電子學專業研究生 選修課程
《半導體科學與技術講座》物理學各專業 選修課程
《國劇賞析》 全校性通識課程
學術成果
曾承擔台灣國科會“奈米尺度半導體材料及組件之物性”重大研究計畫之子課題，葡萄牙－法國聯合國家科技基金“Study of Bioluminescence Processes”課題項目等。
發表文章
T. C. Zheng, W. Lin, R. Liu, D. J. Cai, J. C. Li, S. P. Li and J. Y. Kang*, “Improved p-type conductivity in Al-rich AlGaN using multidimensional Mg-doped superlattices”, Scientific Reports (2016, in press).
H. C. Wang, H. M. Xu, C. P. Wu, A. M. Soomro, H. Z. Guo, T. B. Wei, S. P. Li, J. Y. Kang, and D. J. Cai*, “Family of Cu@metal nanowires network for transparent electrodes on n-AlGaN”, Physica Status Solidi B (2016, in press).
C. P. Wu, A. M. Soomro, F. P. Sun, H. C. Wang, C. Liu, X. D. Yang, J. Y. Kang, and D. J. Cai*, “Seven-inch large-size synthesis of monolayer hexagonal BN film by low pressure CVD”, Physica Status Solidi B (2016, in press).
H. M. Xu, H. C. Wang, C. P. Wu, N. Lin, A. M. Soomro, H. Z. Guo, C. Liu, X. D. Yang, Y. P. Wu, D. J. Cai*, and J. Y. Kang, "Direct synthesis of graphene 3D-coated Cu nanosilks network for antioxidant transparent conducting electrode", Nanoscale 7, 10613–10621 (2015).
X. H. Chen, H. M. Xu, N. Lin, F. C. Xu , H. Y. Chen, D. J. Cai* and J. Y. Kang, "Ideal square quantum wells achieved in AlGaN/GaN superlattices using ultrathin blocking-compensation pair", Applied Physics Letters 106,111604 (2015).
D. J. Cai*, N. Lin, H. M. Xu, C. H. Liao and C. C. Yang, “Extraordinary N atom tunneling in formation of InN shell layer on GaN nanorod m-plane sidewall”, Nanotechnology 25, 495705 (2014).
X. L. Zhuo, J. C. Ni, J. C. Li, W. Lin, D. J. Cai, S. P. Li, and J. Y. Kang, “Band engineering of GaN/AlN quantum wells by Si dopants”, Journal of Applied Physics 115, 124305 (2014).
T. C. Zheng, W. Lin, D. J. Cai, W. H. Yang, W. Jiang, H. Y. Chen, J. H. Li, S. P. Li and J. Y. Kang, "High Mg effective incorporation in Al-rich AlxGa1 − xN by periodic repetition of ultimate V/III ratio conditions", Nanoscale Research Letters 9, 40 (2014).
J. Zhou, Q. C. Huang, J. C. Li, D. J. Cai*, and J. Y. Kang, “The InN epitaxy via controlling In bilayer”, Nanoscale Research Letters 9, 5 (2014).
N. Lin, J. J. Wu, H. M. Xu, N. L. Liu, T. C. Zheng, W. Lin, C. Liu and D. J. Cai*, “In situ self-release of thick GaN wafer from sapphire substrate via graded strain field engineering”, Applied Physics Letters 104, 012110 (2014).
H. Z. Guo, N. Lin, Y. Z. Chen, Z. W. Wang, Q. S. Xie, T. C. Zheng, N. Gao, S. P. Li, J. Y. Kang, D. J. Cai* and D. L. Peng, “Copper Nanowires as Fully Transparent Conductive Electrodes”, Scientific Reports 3, 2323 (2013)
D. J. Cai*, M. A. L. Marques, and F. Nogueira, “Full Color Modulation of Firefly Luciferase through Engineering with Unified Stark Effect”. Journal of Physical Chemistry B 117 , 13725–13730 (2013).
D. J. Cai­*, X. H. Chen­, H. M. Xu­, N. Lin­, F. C. Xu­, and H. Y. Chen, “Abruptness Improvement of the Interfaces of AlGaN/GaN Superlattices by Cancelling Asymmetric Diffusion”，Japanese Journal of Applied Physics 52, 08JB30 (2013).
W. Lin, W. Jiang, N. Gao, D. J. Cai*, S. P. Li, and J. Y. Kang, “Optical isotropization of anisotropic wurtzite Al-rich AlGaN via asymmetric modulation with ultrathin (GaN)m/(AlN)n superlattices”, Laser & Photonics Reviews 7, 572 (2013).
X. H. Chen, N. Lin, D. J. Cai*, Y. Zhang, H. Y. Chen, and J. Y. Kang, “Symmetrically abrupt GaN/AlGaN superlattices by alternative interface–interruption scheme”, Journal of Materials Research 28, 716 (2013).
Q. C. Huang, S. P. Li, D. J. Cai*, and J. Y. Kang, “Kinetic behavior of nitrogen penetration into indium double layer improving the smoothness of InN film”, Journal of Applied Physics 111, 113528 (2012).
D. J. Cai, M. A. L. Marques and F. Nogueira, “pH sensitivity of color shift of firefly chromophore due to electrostatic field from neighboring water-ions”, Luminescence 27, 103 (2012).
B. B. Zhang, W. Lin, S. P. Li, Y. Zheng, Xu. Yang, D. J. Cai*, and J. Y. Kang, “Ohmic contact to n-AlGaN through bonding state transition at TiAl interface”, Journal of Applied Physics 111, 113710 (2012).
D. J. Cai, M. A. L. Marques and F. Nogueira, “Accurate color tuning of firefly chromophore by modulation of local polarization electrostatic fields”, Journal of Physical Chemistry B 115, 329 (2011).
D. J. Cai, M. A. L. Marques, B. F. Milne and F. Nogueira, “Bioheterojunction Effect on Fluorescence Origin and Efficiency Improvement of Firefly Chromophores”, Journal of Physical Chemistry Letters, 1, 2781 (2010).
在研基金
深紫外LED外延生長及套用技術研究（2011~2013）
國家高技術研究發展計畫“863計畫”
ZnO/ZnSe納米同軸異質結能帶調控及近全光譜太陽能電池（2011~2013）
中央高校基礎創新科研基金
氮化物納米線的正交量子阱限制效應研究（2012~2014）
中央高校青年科研基金
AlGaN 基量子阱的界面陡峭技術及其增強量子限制效應（2013~2015）
核殼結構合金Cu納米線合成及AlGaN基深紫外LED透明歐姆電極研究（2016~2019）
國家自然科學基金
