張韻，男，博士，研究員，博士生導師。清華大學電子工程系電子科學與技術專業學士，喬治亞理工學院電子與計算機工程系博士。中組部“千人計畫”青年項目引進人才。中國科學院半導體研究所所長助理，“十二五”科技部“第三代半導體材料”總體專家組成員。
基本介紹
- 中文名：張韻
- 職業：研究員
- 學位/學歷：博士
- 專業方向：電子工程系電子科學與技術
人物履歷,研究領域,科研成果,
人物履歷
曾就職於美國高平（Kopin）半導體公司III-V部門從事研發工作。2012年初回國工作，就職於中國科學院半導體研究所。中組部“千人計畫”青年項目引進人才。中國科學院半導體研究所所長助理，“十二五”科技部“第三代半導體材料”總體專家組成員。目前科研重點是AlGaN/GaN基大功率高頻/電力電子器件、AlGaN基深紫外波段光電子材料與器件等。
研究領域
（1）半導體紫外光源領域：高Al組分AlGaN半導體材料MOCVD生長研究；UVB波段（280-320nm）AlGaN基紫外雷射二極體器件製備研究；UVC波段（200-280nm）AlGaN基高效紫外發光二極體器件製備及在污染物分解、殺菌消毒等領域的套用研究等。
（2）微電子器件領域：AlGaN/GaN基射頻/微波高電子遷移率場效應管（HEMT）材料生長及器件製備研究；AlGaN/GaN基增強型（E-mode）HEMT材料生長及器件製備研究；InGaN/GaN基射頻異質結雙極電晶體（HBT）材料生長及器件製備研究；AlN基體聲波濾波器製備研究等。
（3）第三代半導體單晶材料領域：高純半絕緣SiC單晶材料製備研究；AlN單晶材料製備研究等。
科研成果
在III族氮化物（GaN基材料）等第三代半導體材料及器件物理領域開展了多年研究，獲得了首個GaN基射頻異質結雙極電晶體（HBT）、高靈敏度深紫外雪崩光電二極體（APD）、高亮度深紫外發光二極體（LED）、電注入藍綠光半導體雷射器（LD）、光泵浦深紫外半導體雷射器等世界先進的研究成果，已在國際學術期刊發表論文30餘篇。2012年初入選中組部第二批“千人計畫”青年項目。
（1）提出紫外光加強濕法刻蝕方法以及雙台面耗盡層設計，降低GaN基紫外雪崩光電二極體的表面漏電流，在GaN體襯底上達到雪崩光電增益超過104並實現具備單光子探測能力的蓋革模式工作。
（2）在GaN體襯底上實現了420nm藍紫光和460nm藍光InGaN基半導體雷射器的室溫連續激射，證實漸變AlGaN電子阻擋層能夠大幅度提升InGaN基雷射器的性能。
（3）在藍寶石襯底上實現了最高回響頻率大於5.3GHz的GaN基射頻異質結雙極電晶體。並在GaN體襯底上達到了141KA/cm2的電流密度以及3.05MW/cm2的功率密度。
（4）在我國首次實現AlGaN基雷射器短於280納米深紫外UV-C波段光泵譜激射，並在280納米波段深紫外LED中實現100mA大電流注入下光功率輸出超過10mW，壽命（L80）超過3000小時。
