《III族氮化物半導體單根納米線微腔電致發光和雷射》是依託北京大學，由戴倫擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名：III族氮化物半導體單根納米線微腔電致發光和雷射
- 依託單位：北京大學
- 項目負責人：戴倫
- 項目類別：面上項目
- 批准號：10374004
- 申請代碼：A2002
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2004-01-01 至 2006-12-31
- 支持經費：31（萬元）
項目摘要
以III族氮化物半導體這一在光電子領域中極有潛力的新型材料係為研究對象，採用基於氣-液-固生長機制的化學氣相沉積(CVD)和雷射輔助催化生長(LCG)法，在p-Si襯底上生長具有典型光學微腔結構的n型單晶納米線，並採用先進的納米加工手段，製備III族氮化物半導體納米線電致發光器件。結合申請者在III族氮化物半導體光學微腔和Si基納米材料電致發光以及微區螢光測量方面多年的研究經驗，研究此類微腔器件的電致發光及雷射特性。這種生長在Si襯底上的微腔發光器件易於實現與Si電子的集成.此外,光學微腔作為一種新型的高效發光器件，其研究本身將具有重要的科學意義和實用價值。本項目從材料系的選擇到研究方向都具有創新性，是進一步實現納米雷射陣列的基礎，在光電集成、光互連、光信息處理等方面具有廣泛的套用前景.
