《積體電路製造工藝技術體系》是2016年科學出版社出版的圖書，作者是嚴利人、周衛。
《積體電路製造工藝技術體系》是2016年科學出版社出版的圖書，作者是嚴利人、周衛。內容簡介本書從三個方面系統地論述積體電路的製造技術。首先是製造對象，對工藝結構及結構所對應的電子器件特性進行深人的分析與揭示。其次是生產制...
單片積體電路工藝 利用研磨、拋光、氧化、擴散、光刻、外延生長、蒸發等一整套平面工藝技術，在一小塊矽單晶片上同時製造電晶體、二極體、電阻和電容等元件，並且採用一定的隔離技術使各元件在電性能上互相隔離。然後在矽片表面蒸發鋁層並...
積體電路焊接工藝，bonding technique of integrated circuit，積體電路製造中的焊接工藝包括兩方面，一是電路晶片焊接，另一是內引線焊接。晶片焊接 將分割成單個電路的晶片，裝配到金屬引線框架或管座上。晶片焊接工藝可分為兩類。①低熔點...
積體電路技術包括晶片製造技術與設計技術，主要體現在加工設備，加工工藝，封裝測試，批量生產及設計創新的能力上。為什麼會產生積體電路？我們知道任何發明創造背後都是有驅動力的，而驅動力往往來源於問題。那么積體電路產生之前的問題是什麼...
《積體電路晶片製造工藝技術》是2011年5月高等教育出版社出版的圖書，作者是李可為。本書主要講述積體電路晶片製造工藝。內容簡介 《積體電路晶片製造工藝技術》主要有13章，內容包括積體電路晶片製造工藝概述、氧化技術、擴散技術、光刻技術...
把這些連通孔填充連線起來的工藝在積體電路製造中叫做嵌入法，其英文的名稱是Damascene process。嵌入法是Damascene process的意譯。嵌入是一種很古老的手工藝製作工藝，它相當於中國景泰藍工藝中的“掐絲”工藝，即將金或銅線鑲嵌到工藝品表面...
《 積體電路製造技術——原理與工藝（第二版）》是2016年電子工業出版社出版的圖書，作者是王蔚。圖書內容 全書共分5個單元，第一單元，主要介紹單晶矽襯底結構特點，體矽和外延矽片的製造方法；第二單元~第五單元，主要介紹矽晶片製造...
合理地安排工藝步驟、選擇合適的金屬化體系來保證成品率是突破該技術的關鍵問題。圖1-5是美國AD公司的三軸單片集成式MEMS加速度計的版圖照片，它將三個單軸的MEMS加速度計結構及其相應的讀出電路都集成在一個單片上。
《MOS積體電路工藝與製造技術》是2012年上海科學技術出版社出版的圖書，作者是潘桂忠。內容簡介 本書編著者潘桂忠。 《MOS積體電路工藝與製造技術》內容系統地介紹了矽積體電路製造技術中的基礎工藝，內容包括矽襯底與清洗、氧化、擴散、...
全書從積體電路的製造工藝流程出發，系統介紹積體電路製造工藝的原理、工藝技術和操作方法等。全書共分4個模組11章，第1個模組為基礎模組，介紹積體電路工藝發展的狀況及典型電路的工藝流程；第2個模組為核心模組，重點介紹薄膜製備、光刻、...
《積體電路製造技術——原理與工藝（修訂版）》是2013年電子工業出版社出版的圖書，作者是王蔚、田麗、任明遠 。內容簡介 本書按照教育部本科生“模擬電子技術”的課程要求編寫而成。全書系統地介紹了模擬電子電路的基礎知識，並著重講述...
本書主要面向高職高專微電子技術專業學生，同時也可以作為積體電路製造企業工藝工程師和技師的參考書，還可以作為積體電路製造企業教育培訓和資格認證的教材。目錄 第1章 半導體產業概況 1.1 半導體產業的發展歷程 1.2 電路集成 1.3 ...
根據基本單元庫描繪出高達360餘種電路晶片工藝剖面結構。然後根據電路晶片工藝剖面結構和製造技術，介紹了40餘種典型積體電路製造技術，並描繪出工藝製程中各個工序的平面結構和工藝剖面結構。《MOS積體電路結構與製造技術》技術含量高，非常...
《積體電路製造工藝與工程套用》是2019年10月機械工業出版社出版的圖書，作者是溫德通。內容簡介 本書以實際套用為出發點，對積體電路製造的主流工藝技術進行了逐一介紹，例如應變矽技術、HKMG技術、SOI技術和FinFET技術，然後從工藝整合的...
《積體電路製造工藝》是2007年電子工業出版社出版的圖書，該書作者是史小波。內容提要 本書可作為高職高專微電子及電子信息類專業的教學用書，也可作為有關技術人員學習積體電路製造工藝的參考資料。本書共8章，介紹了積體電路的基本概念...
1958年,傑克·基爾比在鍺材料上用5個元件實現了一個簡單的振盪器電路，成為世界上第一塊積體電路。這一發明揭開了20世紀信息革命的序幕，標誌著電子時代的到來。隨著以計算機和通信技術為代表的高科技產品在國防科技、工業生產和日常生活中...
《半導體工藝與積體電路製造技術》是2023年科學出版社出版的圖書。內容簡介 《半導體工藝與積體電路製造技術》將系統地介紹微電子製造科學原理與工程技術，覆蓋積體電路製造所涉及的晶圓材料、擴散、氧化、離子注入、光刻、刻蝕、薄膜澱積、測試...
所有的器件和互連線都需安置在一塊半導體襯底材料之上，這些組件通過半導體器件製造工藝（例如光刻等）安置在單一的矽襯底上，從而形成電路。簡介 積體電路設計最常使用的襯底材料是矽。設計人員會使用技術手段將矽襯底上各個器件之間相互電...
《積體電路製造技術/前沿電子信息專業教材系列》把積體電路的工藝技術分類為圖形化（光刻）、加法（薄膜的技術）、減法（刻蝕技術）、乘除法（離子注入、silicide）及其積體電路工程學（良率、可靠性）和積體電路後勤工作（超淨問、IC衍生...
IC製造中最普通的外延反應是高溫CVD系統。工藝簡介 在一些正處於研究階段的套用中，外延能達到製造未來高性能IC的要求。例如用來獲得低的接觸電阻的抬高的源漏結構（S/D）。通過在器件的源端、漏端和柵區域澱積外延矽可以形成抬髙的源...
1.1積體電路的發展歷程 1.2積體電路晶片製造工藝流程 1.2.1外延工藝 1.2.2擴散工藝和離子注入技術 1.2.3氧化工藝 1.2.4光刻工藝 1.2.5刻蝕技術 1.2.6薄膜澱積工藝 1.2.7測試 1.2.8封裝 1.3積體電路的生產環境 1.3...
第4章 半導體的高溫摻雜 第5章 離子注入低溫摻雜 第6章 薄膜氣相澱積工藝 第7章 圖形光刻工藝原理 第8章 掩模製備工藝原理 第9章 超大規模集成工藝 第10章 晶片產業質量管理 第11章 現代積體電路製造技術術語詳解 附錄 ……
該項目通過產學研合作研究與集中開發，在22-14納米積體電路先進製造技術中創新研發了高k金屬柵、22納米平面器件集成、14納米三維FinFET等核心器件的關鍵工藝技術，形成了成體系的自主智慧財產權體系，獲得發明專利授權674 件，含美國專利授權256...
我國內地積體電路產業技術水平近年來顯著提升，最高設計水平已經達到90nm、5000萬門水平；製造方面已經有量產的300mm（12英寸）生產線3條、200mm（8英寸）生產線16條，製造工藝已經達到最高90nm、主流技術0.18μm的技術水平。而截至2007...
半導體晶片（也稱為積體電路，Integrated Circuit, IC）生產主要分為 IC 設計、 IC 製造、 IC 封測三大環節。 IC 設計主要根據晶片的設計目的進行邏輯設計和規則制定，並根據設計圖製作掩模以供後續光刻步驟使用。 IC 製造實現晶片電路圖...
CMOS，全稱Complementary Metal Oxide Semiconductor，即互補金屬氧化物半導體，是一種大規模套用於積體電路晶片製造的原料。採用CMOS技術可以將成對的金屬氧化物半導體場效應電晶體（MOSFET）集成在一塊矽片上。該技術通常用於生產RAM和交換套用...
