《砷化鎵的性質》是1990年科學出版社出版的圖書,作者是亞當斯等。
基本介紹
- 中文名:砷化鎵的性質
- 作者:亞當斯
- 譯者:周章文
- 出版社:科學出版社
- 出版時間:1990年10月
- ISBN:703001796X
《砷化鎵的性質》是1990年科學出版社出版的圖書,作者是亞當斯等。
砷化鎵以及其他Ⅲ-Ⅴ族化合物具有直接躍遷的能帶結構,在光電套用方面處於有利的地位。常用的光電器件有:AlxGaAs/GaAs和InGaxPAsy/InP兩種結構的雙異質結雷射器,紅外和可見光發光管,砷化鎵太陽電池。在微波器件方面,砷化鎵的高遷移率和...
《砷化鎵的性質》是1990年科學出版社出版的圖書,作者是亞當斯等。內容簡介 本書收集了有關砷化鎵材料的特性和數據,並對數據的來源和當前的研究動態作了概括的介紹。圖書目錄 第一章 砷化鎵的物理和熱學性質 J.C.Brice 第二章 砷化鎵...
砷化鎵存儲器是指採用砷化鎵半導體存儲器件和外圍電路組成的高速存儲器。按照其存儲方式分為高速隨機存儲器與快速串列電荷耦合存儲器兩種類型。簡介 存儲器是一種利用半導體技術製成的存儲數據的電子設備。其電子電路中的數據以二進制方式存儲...
砷化鎵較矽質在物理性質上要更脆,這一點使得其加工時比容易碎裂,所以,常把其製成薄膜,並使用襯底(常為Ge[鍺]),來對抗其在這一方面的不利,但是也增加了技術的複雜度。砷化鎵電池的技術發展現狀 GaAs太陽電池的發展是從上世紀...
《多通道砷化鎵光導開關的導通特性和壽命研究》是依託中國工程物理研究院流體物理研究所,由劉毅擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 砷化鎵光導開關(GaAs-PCSS)因具有回響快、抖動小、耐壓高、體積小、光電分離等優點,在緊湊型...
很多金屬的砷化物顯示金屬間化合物的性質。砷化物可由化學計量的金屬和砷直接化合而製得。砷化物中套用最廣的是砷化鎵,為優良的半導體材料。砷化物生物學抗癌效應的途徑 砷(As)化物具有廣泛的抗瘤譜,研究較多的是三氧化二砷(As...
等,常用的有FEMAG、CGSIM、CrysMAS等。現狀與展望 磷化鎵單晶是化合物半導體中生產量僅次於砷化鎵的單晶材料。全世界單晶年產量1973年約1噸,1980年發展到10噸,進入90年代接近20噸。磷化鎵單晶材料和外延材料均已達到工業生產規模。
為了研究摻雜層對單電子量子相干性的影響,我們在非摻雜和摻雜砷化鎵異質結中,製備了納米級別的門型量子點器件,做了多項對比研究。我們表征了單電子的量子輸運特性,研究了單電荷探測器的反作用,以及微波腔的傳輸性質。在這些準備工作的...
在本項目研究中,我們主要研究具有纖鋅礦晶體結構的砷化鎵納米線中表面缺陷及其對納米陣列光伏電池的輸出特性影響。通過光致發光譜,x射線光電子能譜獲得纖鋅礦結構砷化鎵納米線表面缺陷的物理性質和起源,進一步,結合系統的鈍化研究,獲得纖...
7.2.1鍺的化學性質 7.2.2高純鍺製備的化學原理 7.3砷化鎵的性質和砷化鎵合成的原理 7.3.1砷化鎵的化學性質 7.3.2鎵的製備和提純 7.3.3砷的製備和提純 7.3.4砷化鎵合成的原理 7.4矽片拋光的化學原理 7.4.1矽單晶的加工...
半導體化學的研究範圍可以概括為:①矽、鍺、砷化鎵等半導體材料的物理化學性質及其提純精製的化學原理,完整單晶體的製取、完整單晶層的生長以及微量雜質有控制地摻入方法。②半導體器件和積體電路製造技術如清洗、氧化、外延、製版、光刻、...
其中砷化鎵是製造微波器件和集成電的重要材料。碳化矽由於其抗輻射能力強、耐高溫和化學穩定性好,在航天技術領域有著廣泛的套用。3.無定形半導體材料 用作半導體的玻璃是一種非晶體無定形半導體材料,分為氧化物玻璃和非氧化物玻璃兩種...
對刻蝕體系的詳細研究表明,在對半導體矽進行拋光時,溴/亞砷酸體系較為全適;而對於砷化鎵,溴/丙烯酸體系效果最好。與哈爾濱工業大學合作研製了新一代的CELT技少加工裝置。對矽和砷化鎵的電化學拋光工藝進行了研究。拋光前後矽的表面粗糙...
以砷化鎵(GaAs)為代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物的發現促進了微波器件和光電器件的迅速發展。主要種類 半導體材料可按化學組成來分,再將結構與性能比較特殊的非晶態與液態半導體單獨列為一類。按照這樣分類方法可將半導體材料分為元素半導體、無機...
當高於臨界值的恆定直流電壓加到一小塊N型砷化鎵相對面的接觸電極上時,便產生微波振盪。在N型砷化鎵薄片的二端製作良好的歐姆接觸電極,並加上直流電壓使產生的電場超過 3kV/cm時,由於砷化鎵的特殊性質就會產生電流振盪,其頻率可達10^...
書後有附錄,附錄A是《半導體物理與器件》的主要符號表,附錄B是常用物理常數表,附錄c是鍺、矽、砷化鎵主要物理性質表,附錄D是求擴散結雜質濃度梯度的圖表和方法。對《半導體物理與器件》各章內容可以單獨選擇或任意組合使用。《半導體...
5.2.1基本性質 5.2.2磷化鎊的發光機理 5.3氮化鎵 5.4磷砷化鎵 5.5鎵鋁砷 5.6其它發光材料 5.6.1其它Ⅲ一V族固溶體 5.6.2碳化矽 5.6.3硫化鋅、硒化鋅 5.7半導體發光材料的比較 第六章 氣相外延生長 6.1鹵化物氣相外延 6.1.1GaASP的...