《砷化鎵的性質》是1990年科學出版社出版的圖書,作者是亞當斯等。
基本介紹
- 中文名:砷化鎵的性質
- 作者:亞當斯
- 譯者:周章文
- 出版社:科學出版社
- 出版時間:1990年10月
- ISBN:703001796X
《砷化鎵的性質》是1990年科學出版社出版的圖書,作者是亞當斯等。
《砷化鎵的性質》是1990年科學出版社出版的圖書,作者是亞當斯等。內容簡介 本書收集了有關砷化鎵材料的特性和數據,並對數據的來源和當前的研究動態作了概括的介紹。圖書目錄 第一章 砷化鎵的物理和熱學性質 J.C.Brice 第二章 砷化鎵的電阻率 D Lee.B.J.Sealy 第三章 砷化鎵的載流子濃度 R.S.Bhattacharya,I....
砷化鎵的外延生長按工藝可分為氣相和液相外延,所得外延層在純度和晶體完整性方面均優於體單晶材料。通用的氣相外延工藝為Ga/AsCl3/H2法,這種方法的變通工藝有Ga/HCl/AsH3/H2和Ga/AsCl3/N2法。為了改進Ga/AsCl3/H2體系氣相外延層的質量,還研究出低溫和低溫低壓下的外延生長工藝。液相外延工藝是用 Ga/GaAs熔池覆...
砷化鎵晶格是由兩個面心立方(fcc)的子晶格(格點上分別是砷和鎵的兩個子晶格)沿空間體對角線位移1/4套構而成。這種晶體結構在物理學上稱之為閃鋅礦結構。這類化合物以共價結合為主,但卻混雜有部分離子結合性質。這是由於V族元素的電負性比III族元素大,組成晶體時,部分電子將從電負性低的原子(III族元素)轉移...
砷化鎵較矽質在物理性質上要更脆,這一點使得其加工時比容易碎裂,所以,常把其製成薄膜,並使用襯底(常為Ge[鍺]),來對抗其在這一方面的不利,但是也增加了技術的複雜度。砷化鎵電池的技術發展現狀 GaAs太陽電池的發展是從上世紀50年代開始的,至今已有已有50多年的歷史。1954年世界上首次發現GaAs材料具有光伏...
砷化鎵光纖測溫系統,在光纖末端加入砷化鎵晶體,當光源發出多重波長的光照射到砷化鎵晶體時,該晶體會依據溫度吸收不同波長的入射光,同時將剩餘沒有吸收的波長的光反射回去。因此通過檢測反射光的光譜,即可換算出測量溫度。該方法為光纖單點測溫。砷化鎵光纖感測器是光探頭,帶隙隨溫度變化,可變光學濾波器,砷化鎵材料...
很多金屬的砷化物顯示金屬間化合物的性質。砷化物可由化學計量的金屬和砷直接化合而製得。砷化物中套用最廣的是砷化鎵,為優良的半導體材料。砷化物生物學抗癌效應的途徑 砷(As)化物具有廣泛的抗瘤譜,研究較多的是三氧化二砷(As₂O₃)有機砷-美拉砷醇(melarsoprol)及四硫化四砷(As₄S₄,雄黃...
《多通道砷化鎵光導開關的導通特性和壽命研究》是依託中國工程物理研究院流體物理研究所,由劉毅擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 砷化鎵光導開關(GaAs-PCSS)因具有回響快、抖動小、耐壓高、體積小、光電分離等優點,在緊湊型脈衝功率源、高功率超寬頻脈衝源、超快電子學、THz產生與探測等領域有著極其廣闊的...
與常規方法製備砷化鎵薄膜不同,使用金輔助分子束外延技術基於氣相-液相-固相技術製備的砷化鎵納米線晶體結構是纖鋅礦結構,納米線側面(sidefacets)的晶體學方向非常豐富。研究纖鋅礦晶體結構下具有不同側面晶體學方向的砷化鎵納米線中表面缺陷物理性質,比較其同閃鋅礦結構砷化鎵薄膜材料表面缺陷物理行為的一致與差異,對...
7.3砷化鎵的性質和砷化鎵合成的原理 7.3.1砷化鎵的化學性質 7.3.2鎵的製備和提純 7.3.3砷的製備和提純 7.3.4砷化鎵合成的原理 7.4矽片拋光的化學原理 7.4.1矽單晶的加工成形技術 7.4.2矽襯底的拋光 7.5複習思考題 第8章外延工藝中的化學基礎 8.1氣相拋光的化學原理 8.1.1氯化氫氣相拋光 8.1....
2.化合物半導體由兩種或兩種以上的元素化合而成的半導體材料。它的種類很多,重要的有砷化鎵、磷化錮、銻化錮、碳化矽、硫化鎘及鎵砷矽等。其中砷化鎵是製造微波器件和集成電的重要材料。碳化矽由於其抗輻射能力強、耐高溫和化學穩定性好,在航天技術領域有著廣泛的套用。3.無定形半導體材料 用作半導體的玻璃是一...
半導體化學的研究範圍可以概括為:①矽、鍺、砷化鎵等半導體材料的物理化學性質及其提純精製的化學原理,完整單晶體的製取、完整單晶層的生長以及微量雜質有控制地摻入方法。②半導體器件和積體電路製造技術如清洗、氧化、外延、製版、光刻、腐蝕、擴散等主要工藝過程及化學反應原理。③半導體器件及積體電路製造工藝中所用...
以砷化鎵(GaAs)為代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物的發現促進了微波器件和光電器件的迅速發展。主要種類 半導體材料可按化學組成來分,再將結構與性能比較特殊的非晶態與液態半導體單獨列為一類。按照這樣分類方法可將半導體材料分為元素半導體、無機化合物半導體、有機化合物半導體和非晶態與液態半導體。元素半導體 在元素周期表的...
耿氏效應(Gunn effect)是 1963年,由耿氏(J.B.Gunn) 發現的一種效應。當高於臨界值的恆定直流電壓加到一小塊N型砷化鎵相對面的接觸電極上時,便產生微波振盪。在N型砷化鎵薄片的二端製作良好的歐姆接觸電極,並加上直流電壓使產生的電場超過 3kV/cm時,由於砷化鎵的特殊性質就會產生電流振盪,其頻率可達10^9...
常見的半導體材料有矽、鍺、砷化鎵等,矽是各種半導體材料套用中最具有影響力的一種。簡介 物質存在的形式多種多樣,固體、液體、氣體、電漿等等。我們通常把導電性差的材料,如煤、人工晶體、琥珀、陶瓷等稱為絕緣體。而把導電性比較好的金屬如金、銀、銅、鐵、錫、鋁等稱為導體。可以簡單的把介於導體和絕緣...