《纖鋅礦結構砷化鎵納米線表面缺陷研究》是依託中國科學院合肥物質科學研究院,由李新化擔任項目負責人的面上項目。
基本介紹
- 中文名:纖鋅礦結構砷化鎵納米線表面缺陷研究
- 項目類別:面上項目
- 項目負責人:李新化
- 依託單位:中國科學院合肥物質科學研究院
《纖鋅礦結構砷化鎵納米線表面缺陷研究》是依託中國科學院合肥物質科學研究院,由李新化擔任項目負責人的面上項目。
《纖鋅礦結構砷化鎵納米線表面缺陷研究》是依託中國科學院合肥物質科學研究院,由李新化擔任項目負責人的面上項目。項目摘要表面缺陷的存在是造成砷化鎵基納米器件光電轉換性能較低的主要原因之一。與常規方法製備砷化鎵薄膜不同,使用金...
《纖鋅礦結構砷化鎵納米線中類EL2中心深能級缺陷研究》是依託中國科學院合肥物質科學研究院,由李新化擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 類EL2中心深能級缺陷的存在是引起砷化鎵一維納米光伏器件光電轉換性能較低的可能原因之一。同時,與常規方法製備砷化鎵薄膜的晶體結構不同,使用金輔助分子束外延技術基於VLS...
氮化鎵是一種無機物,化學式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發光二極體中。此化合物結構類似纖鋅礦,硬度很高。氮化鎵的能隙較寬,為3.4eV,可以用在高功率、高速的光電元件中,例如氮化鎵可以用在紫光的雷射二極體,可以在不使用非線性半導體泵浦固體雷射器...
4.1.1 壓電納米發電機的概念 4.1.2 電極一納米線界面處的肖特基勢壘 4.1.3 電荷的產生和輸出過程 4.1.4 n型材料納米發電機的原理 4.2 p型材料納米發電機 4.2.1 輸出信號的性質 4.2.2 p型和n型納米線的檢驗標準 4.3 基於其他纖鋅礦結構納米線的納米發電機 4.4 基於橫向固定納米線...
《纖鋅礦結構砷化鎵納米線表面缺陷研究》是依託中國科學院合肥物質科學研究院,由李新化擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 表面缺陷的存在是造成砷化鎵基納米器件光電轉換性能較低的主要原因之一。與常規方法製備砷化鎵薄膜不同,使用金輔助分子束外延技術基於氣相-液相-固相技術製備的砷化鎵納米線晶體結構是纖鋅礦結構,...
研究方向 半導體多層結構中的電子態及其輸運性質 半導體納米線中的電子態 科研項目 1.內蒙古大學高層次人才引進科研啟動項目:項目名稱:“應變對半導體異質結構光學聲子及電子平行輸運性質的調製”;獲批經費:5萬元;起止時間:2010年12月- 2013年12月。2.國家自然科學基金(青年基金)項目名稱:“聲子散射下半導體核...
1. 國家自然科學基金面上項目“無序對InGaN量子阱/納米線異常發光性質的影響”。2. 國家自然科學基金重大研究計畫項目“無序對石墨烯體系中電子結構和量子效應的影響”。3. 國家科技部973項目“全組分可調III族氮化物半導體光電功能材料及其器件套用”。歡迎對以上工作感興趣的有志青年學生(者)報考我的博士研究生或...
典型的半導體主要是由共價鍵結合的晶體。如矽、鍺的晶體具有金剛石結構(圖1),Ⅲ-Ⅴ化合物以及一些Ⅲ-Ⅵ化合物具有閃鋅礦結構(圖2)或纖鋅礦結構(圖3)。這些都是最典型的共價鍵結合的晶體結構,其中每個原子由四個共價鍵與近鄰原子相結合。研究半導體原子狀態和電子狀態以及各種半導體器件內部電子過程的學科。是...
我國自80年代中期開始研究氮化矽技術。主要是研究減重效率最高的結構氮化矽材料-多孔氮化矽材料,關於氮化矽複合材料的研究剛剛起步,多孔氮化矽複合材料材料組成體系的理論設計與試驗設計相關研究很少,尚處於摸索階段,受國內外相關研究資料較少的影響,這方面我國的研究一直處於相對落後地位,許多研究單位以及學者多把研究...