《電化學間接超精細拋光新技術的研究》是依託廈門大學，由祖延兵擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：電化學間接超精細拋光新技術的研究
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：祖延兵
- 依託單位：廈門大學
- 負責人職稱：講師
- 批准號：59605017
- 研究期限：1997-01-01 至 1999-12-31
- 申請代碼：E0509
- 支持經費：12（萬元）
項目摘要
利用約束刻蝕劑層技術（CELT）的原理，實現了電化學間接技術對半導體材料的超精細拋光。探索了幾種電化學平整模板的製作工藝及性質。採用NaOH中和在O-IV恆電位條件下製得的TiO2膜電極性質穩定，光電轉換效率高，且表面平整。採用鈦酸乙酯熱分解法製得TiO2薄膜，其表面顆粒直徑在50納米左右。並表現出納米顆粒獨特的光電化學特性。對刻蝕體系的詳細研究表明，在對半導體矽進行拋光時，溴/亞砷酸體系較為全適；而對於砷化鎵，溴/丙烯酸體系效果最好。與哈爾濱工業大學合作研製了新一代的CELT技少加工裝置。對矽和砷化鎵的電化學拋光工藝進行了研究。拋光前後矽的表面粗糙度Ra值分別為30.6nm和4.1nm;砷化鎵分別為18.1nm和0.7nm。
