王守武(微電子學家、中科院院士):人物生平,主要成就,科學研究,論文著作,人才培養

王守武（1919年3月15日-2014年7月30日），江蘇蘇州人，半導體器件物理學家、微電子學家，中國半導體科學技術的開拓者與奠基人之一。

1941年王守武畢業於上海同濟大學，1945年赴美留學，1949年獲美國普渡大學博士研究生學位，1950年回國後先後任中國科學院套用物理所半導體研究室室主任；中國科學院半導體研究所副所長；中國科學院109廠廠長；中國科學院微電子中心名譽主任等職；1979年獲全國勞動模範稱號；1980年當選為中國科學院院士。

王守武主持研製成功中國第一隻砷化鎵半導體雷射器；主持研製成功4千位、16千位的DRAM大規模積體電路，在研究與開發中國半導體材料、半導體器件及大規模積體電路方面做出了重要貢獻。在中國科技大學兼職授課20餘年，培養了一批物理學家和半導體技術專家。1979年和1981年獲中國科學院科研成果一等獎；1985年兩次、1990年獲中科院科技進步獎二等獎；1987年獲國家科技進步獎二等獎。

基本介紹

中文名：王守武
國籍：中國
民族：漢族
出生地：江蘇省蘇州市
出生日期：1919年03月15日
逝世日期：2014年07月30日
職業：教學科研工作者
畢業院校：同濟大學
主要成就：1980年當選中國科學院院士
代表作品：《半導體的電子生伏打效應的理論》

人物生平,主要成就,科學研究,論文著作,人才培養,社會任職,獲獎記錄,個人生活,人物評價,人物影響,

人物生平

1919年3月15日，王守武出生於江蘇省蘇州市東山鎮，孩童時代常被瘧疾糾纏，身體狀況不好，智力也一度受到影響。上學後，經常性的病休，持續不斷的自學磨練，使王守武從小就養成了寡言、內向的性格，和善於獨立思考的習慣。

1923年，在他4歲時，父親赴上海與他人合股開辦機械廠，家人也隨之遷居。不到兩年，工廠倒閉，家裡分得不少機械加工工具，這卻使王守武在家有條件學會鉗工和配鑰匙、修理家庭用具、繞制變壓器等技藝，這培養和磨練他的動手能力。他喜愛數學的父親工作之餘，常給子女們講些趣味數學，或出一些智力測驗題讓孩子們回答，王守武隨哥姐們聽父親講過如何求圓周率π的問題，他雖聽不懂，但“π”這個無理數的特性，卻一直印在他的腦海之中。

1930年，在上海私立民智中國小讀書的王守武在《民智》第11期“男生專號”上刊登了短文《我們現在和將來的責任》。

1934年，父親自北平中央研究院工程研究所退休後返回上海，因留戀故鄉情，舉家又遷回蘇州。王守武也隨之轉入省立蘇州中學學習。

1935年，王守武考入同濟大學預科，次年進入工學院電工機械系學習。在同濟大學，王守武各門功課的學習都十分順利，成績優異。

1937年，日本帝國主義全面發動侵華戰爭，戰火很快燒到上海，8月，日機接連轟炸吳淞地區，同濟大學的建築均遭破壞。學校被迫從吳淞遷到上海公共租界，不久上海戰事日益激烈，此後學校幾度搬遷。由於故鄉蘇州淪陷，王守武一度與逃難中的父母失去聯繫。因為不知道何時才能和家裡聯繫上，他只能把手裡的錢省著用，吃飯通常是在街邊人力車夫和底層老百姓吃飯的小攤上。1941年春，同濟大學已第六次遷校至四川宜賓的李莊鎮。在顛沛流離的遷校過程中，王守武結束了大學學習。

1941年春天，王守武在昆明郊外的同濟大學臨時校舍里畢業後，就近在昆明入兄長王守競任總經理的中央機器廠當了公務員。一年後又入中國工合翻砂實驗工廠任工務主任。經過實踐，訥於言表的王守武自感不適合從事工廠管理工作，便申請重回母校，在已遷往四川李莊的同濟大學任教。

1945年10月王守武負笈遠行，橫渡大洋，入美國印第安那州普渡大學研究生院攻讀工程力學，導師R. M. Sturm，翌年6月榮獲碩士學位。王守武各門功課優異，尤以數學成績最好，受到老師和同學們的讚賞。校方為鼓勵王守武繼續深造，資助他攻讀博士學位。這時，正在興起的量子力學引起了王守武的興趣，便從工程力學轉向對微觀粒子運動規律的研究，導師H. M. James。兩年後王守武完成了題為《一種計算金屬鈉的結合能和壓縮率的新方法》的論文，獲得了博士學位。後經普渡大學工程力學系主任的敦聘，留校執教。這時他與同在普渡大學留學的葛修懷女士組成了溫馨的家庭，過著寧靜、舒適的生活。

1950年6月25日韓戰爆發。王守武借“回鄉侍奉孤寡母親”為由，向美國當局遞交了回國申請。獲得批准後，經印度駐美使館的協助，很快就辦完了離美手續。夫婦二人攜不滿周歲的女兒於同年10月離開美國，回歸故里。

1950年底王守武剛剛踏上祖國大地，上級就十分信賴地交給他一項緊急任務：為在抗美援朝前線的志願軍運輸隊設計一種特殊的車燈和路標，讓祖國“最可愛的人”在朝鮮前線既可夜裡行車，又不致被敵機發現，免遭轟炸。報國心切的王守武，立即在他任職的套用物理研究所，組織科研人員設計與製作。他依據光線在錐體表面定向反射的原理，使特殊設計的車燈光線在路標上的反射光只能定向地射到司機的眼裡，避免了敵機發現的可能性。設計製作完成後，進行了實地試驗，圓滿完成了任務。

1951年5月西藏和平解放後，當地政府發現藏民生活用燃料奇缺，能源不足，但高原陽光充足，便向中國科學院提出了為之設計製造太陽灶的請求。受命主持此項設計任務的王守武，考慮到製造一個大面積的拋物形反射鏡加工有困難，決定改用多個窄圓錐形反射面組成的反射系統，用調整每個圓錐面斜度的方法，使平行於主軸方向的光線，都反射到太陽灶的中心。設計製作成功後，用它可以在15分鐘內把一壺水燒開。這種太陽灶，在青藏高原長時期地發揮過它的作用。

1953年春中國科學院派員赴蘇聯考察，了解蘇聯科學研究工作的進展情況。訪蘇代表團回國後，報告了蘇聯在半導體科學技術上的巨大成就，以及飛速進展的情況。這一信息，使我國的科學工作者，特別是物理學工作者，進一步認識到半導體科學技術在社會主義建設事業中的重要性，應當大力推動這方面的工作。為此中國物理學會常務理事會決定，在1955年1月底召開一次全國性的半導體物理學討論會。

1954年作為討論會籌備組成員的王守武為了推動中國電子技術跟上時代的發展，他與同期歸國的黃昆、洪朝生、湯定元等專家一起合作翻譯了蘇聯半導體權威學者A．F. 約飛寫的《近代物理學中的半導體》一書，於1955年由科學出版社出版。1955年黃昆在北京大學物理系開設了《半導體物理學》的課程，這一新興課程也由他們四人合作講授。1956年1月這四位專家與後期回國的專家一起在物理學會年會上對“半導體”做了多方面的介紹，希望引起有關方面的重視。王守武的報告題目是：《半導體整流器》與《半導體的電子生伏打效應的理論》。

這期間作為半導體科學的開拓工作，王守武開展了硒與氧化亞銅整流器的製作條件與性能研究，並從理論上分析了有關半導體整流器的一些性能。其研究成果相繼在中國《物理學報》上發表。

1956年，是王守武科學研究工作中的一個關鍵的轉折點。因為在這一年，王守武應邀到京西賓館參加由周恩來總理主持的“全國十二年科學技術發展遠景規劃”的討論和制訂工作。在所確定的57項重大科技項目中，半導體科學技術的發展，被列為四大緊急措施之一。為了落實這項緊急任務，中央有關部門決定由黃昆、謝希德和王守武等知名學者，分別在培養人才和從事開拓性研究兩個方面進行突擊。王守武深知這一工作的重要性，毅然中斷了其他科研項目，全身心地投入到半導體的研究工作中來，組成了中國科學院套用物理所中中國第一個半導體研究室。

根據當時國外文獻的報導，鍺是製作電晶體最現實的材料。目標明確之後，在他與同事吳錫九研究員的組織領導下，集中了二機部華北無線電元件研究所、南京工學院等單位的40餘名科學工作者，開始了半導體鍺材料的研究工作。他一面抓鍺材料的提純，一面親自領導設計製造了我國第一台拉制半導體鍺材料的單晶爐，並於1957年底拉製成功了我國第一根鍺單晶；1958年8月，負責器件組工作的王守覺副研究員從蘇聯學習歸來，引來了合金擴散工藝，加速了我國第一批鍺高頻合金擴散電晶體的成功研製。作為研究室主任的王守武，在參與研製鍺高頻合金擴散管的同時，又參與了拉制矽單晶的組織領導工作，並具體解決了在拉制矽單晶過程中因坩堝底部溫度過高而引起的跳矽難題。

1957年林蘭英回國，王守武親自到她所住的賓館去動員她來半導體工作組工作，任材料研究組組長，具體實施了矽單晶的拉制方案。經王守武與林蘭英的共同努力，使得我國第一根矽單晶於1958年7月問世。為了促進我國第二代(電晶體型)電子計算機的研究，在王守武與有關同志的組織領導下，於1958年創建了我國最早的一家生產電晶體的工廠——中國科學院109工廠，從事鍺高頻電晶體的批量生產。在人員和設備都較困難的情況下，組織全廠人員奮戰，到1959年底，為研製109乙型計算機提供了12個品種、14.5萬多隻鍺電晶體，完成了該機所需的器件生產

1956年是王守武科學研究工作中的一個轉折點，人生旅途中的一個關鍵時代。因為在這一年，王守武應邀參加了“全國十二年科學技術發展遠景規劃”討論會。在所確定的57項重大科技項目中，半導體科學技術的發展被列為四大緊急措施之一，是抓緊實施的重點。為了落實這項緊急任務，中央有關部門決定由黃昆、謝希德和王守武等知名學者，分別在培養人才和從事開拓性研究工作兩個方面進行突擊。王守武深知這一工作的重要性，毅然中斷了其他科研項目，全身心地投入到“半導體”的研究工作中來。剛過而立之年的王守武，在團中央禮堂，在北京圖書館廣場，在天津，在上海，在大江南北……，搞演講，舉辦報告會，大力普及半導體科學知識，熱情宣傳“半導體”科學的廣闊未來。

在套用物理研究所王守武以電學研究組成員為主要對象，舉辦了半導體專業培訓班，繼而組建了中國第一個半導體研究室，擔當了研究室的主任。

根據當時國外文獻的報導，鍺是當時製作電晶體最為現實的材料。目標明確之後，在他與後來回國的吳錫九研究員的組織領導下，集中了二機部華北無線電元件研究所、南京大學、武漢大學等單位的40餘名科學工作者，開始了半導體鍺材料與鍺電晶體的研究工作。他一面抓鍺材料的提純，一面親自領導設計製造了中國第一台單晶爐，並於1957年底拉製成功了中國第一根鍺單晶；同年11月底到次年初王守武與同事合作，研製成功了中國第一批鍺合金結電晶體，並掌握了鍺單晶中的摻雜技術，能控制鍺單晶的導電類型、電阻率及少數載流子壽命等電學指標，達到了能自主生產不同器件的要求。

1958年8月領導器件組工作的王守覺從蘇聯學習歸來，引來了半導體“合金”加“擴散”的雙重工藝，促使電晶體的研製在提高工作頻率方面產生飛躍，加速了中國第一批鍺高頻合金擴散電晶體的研製。

作為研究室主任的王守武在參與研製鍺高頻合金擴散電晶體的同時，又參與了拉制矽單晶的組織領導工作，並親自解決了在拉制矽單晶過程中因坩堝底部溫度過高而引起的“跳矽”難題。

1957年春林蘭英教授自美國歸來，被任命為半導體研究室材料研究組組長。在她的領導下，重新設計製作拉制矽單晶的爐子。經王守武與林蘭英的共同努力，採用林蘭英從國外帶回的矽單晶做籽晶引向，1958年7月中國第一根矽單晶問世。

為了促進我國由電子管型轉向電晶體型的第二代電子計算機的研究，在王守武與有關同志的組織領導下，於1958年創建了中國最早的生產電晶體的工廠——中國科學院109廠。工廠剛一成立，立即開展鍺高頻電晶體的批量生產。在人員和設備都較困難的情況下，他組織全廠人員奮戰，到1959年底為研製109乙型計算機的計算技術研究所提供了12個品種、14萬5千多隻鍺高頻合金擴散電晶體，完成了該機所需的半導體器件的生產任務，及時為兩彈一星任務提供了技術保證。

1960年4月王守武受命籌建中國科學院半導體研究所，任籌委會副主任。1960年9月6日，在原套用物理研究所半導體研究室的基礎上半導體研究所正式成立，王守武被任命為首任業務副所長，負責全所的科研業務管理和開拓分支學科的組建工作。1962年王守武依據國家科委的決定，在半導體所籌建全國半導體測試中心，併兼任該中心主任。

1960年2月王守武加入了中國共產黨。

科學在不斷發展，半導體學科的分支也在不斷地拓展，1962年美國宣布用砷化鎵半導體材料製成第一隻半導體雷射器，在世界上產生了很大的影響。這類器件在體積、重量和發光效率等方面，均比其它雷射器優越，其套用前景也廣泛得多。遠見卓識的王守武，便於1963年組建了雷射器研究室，併兼任該研究室主任。當時半導體所的材料研究室在林蘭英研究員的領導下，研製成功了砷化鎵單晶材料，故可著手從事半導體砷化鎵雷射器的研製。在當時實驗室的條件下，用X射線來對單晶體進行定向比較困難，王守武創新了一種光學定向的新方法，大大加快了研製工作的進程，提高了各項工藝的成品率。在王守武的領導下，研究室於1964年元旦前夕研製成功了中國第一隻半導體雷射器。

此後，為了把這些科研成果迅速推廣到實際套用中去，王守武除了繼續從事研製新品種雷射器外，還親自指導並參與了雷射通訊機和雷射測距儀的研製工作。事隔不久，中國第一台雷射通訊機就誕生了，它可以在無連線的情況下，保密通話達3公里以上。為了提高雷射測距儀的可測距離，王守武提出並設計了從噪聲中提取信號的電路，裝上這個電路後，可以使雷射測距儀的測距能力提高一倍以上。這些研究成果，填補了國內空白，有力地支援了國家現代化建設和國民經濟建設。

正當王守武為發展我國半導體科學事業大顯身手、全力以赴地奉獻自己的聰明才智時，“文化大革命”開始了。王守武雖然處於被監督勞動的屈辱境地，但他對所從事的科學事業毫不忘情。在解除了領導職務的情況下，他留在研究室幫助改革工具，修理儀器。為了彌補雷射器件研究室缺少分析雷射特性手段的缺陷，他設計研製成功了雷射發散角分布測試儀。

1968年春當時的科委領導點名要王守武緊急完成一項從越南戰場運回的武器解剖任務。王守武毫不猶豫地登上了前往西安的航程。“文革”後期周恩來總理提出“要重視基礎理論研究”的號召。王守武面對半導體所的基礎理論研究隊伍已受到“文革”嚴重摧殘的困難局面，積極行動起來，著手基礎理論的研究工作，開展了對新發現的耿氏器件中疇的雪崩弛豫振盪的深入研究。依據這項工作寫成的論文，1975年在美國物理學會年會上宣讀後，得到國外同行的好評，並在當年的《中國科學》雜誌上發表。在這基礎上他開始用計算機模擬技術，對耿氏器件中高場疇的動力學進行分析研究，取得了系列成果，發表了多篇論文。

1978年10月中國科學院主要領導同志將王守武請到辦公室，要他出馬，改變現狀，全面負責4千位的MOS隨機存儲器這一大規模積體電路的研究。

王守武從穩定工藝入手，跟著片子的流程，對工藝線的每道工序進行認真細緻的檢查，詳盡地訂出各自的操作規程。他先從研製難度不大的256位中規模積體電路入手，以檢驗工藝流程的穩定性和可靠性。當其成品率達到97%以上時，王守武才讓投片試製4千位動態隨機存儲器。1979年9月28日，這種積體電路的批量成品率達20%以上，最高的達40%，為當時國內大規模積體電路研製中前所未有的最高水平。這一研製成果獲得了中科院1979年科研成果一等獎。1980~1981年在王守武和林蘭英的親自指導下，又研製成功了16千位的大規模積體電路。這一重要成果榮獲中科院1981年科研成果一等獎。

1973年起，領導研究半導體雷射器中的高場疇動力學和疇雪崩現象。1978年起領導研製半導體大規模積體電路及其工藝研究。

1979年底他榮獲全國勞動模範的光榮稱號。

1980年剛剛過完春節，上級要王守武去中國科學院109廠兼任廠長職務，開展4千位大規模積體電路的推廣工作，從事提高成品率、降低成本的積體電路大生產實驗。王守武一到109廠，就高標準地修改了廠房擴建工程的設計方案，用很少的資金、不太長的時間，就將老廠房改造成潔淨度達1000至10000級並有一定濕控、溫控的高淨化標準廠房。中科院109廠的這條年產上百萬塊中、大規模積體電路的生產線，就這樣在王守武的精心操持下宣布建成，其產品亦隨之進入市場，並接受了眾多用戶的考驗。1985年國內上百名專家齊集一堂，對王守武主持設計並建成的積體電路大生產實驗線及其成果進行了技術鑑定。這一成果於1985年獲中科院科技進步二等獎。

在用原有國產設備進行大生產實驗的同時，王守武還領導並參與了另一條引進現代化積體電路中試生產線的建設。1988年這條生產線通過了國家計委、國家科委、電子工業部、北京市、中國科學院等有關部門的領導和國內著名專家的驗收，並於1990年獲中科院科技進步二等獎。

在王守武的倡議下，1986年1月上級將半導體所從事大規模積體電路研究的全套人馬合併到109廠，組建中科院“微電子中心”。年事已高的王守武被任命為該中心的終身名譽主任。王守武自此離開現職，專事於學術研究工作。

1949年2月～1950年8月在普渡大學任教。1950年10月經香港入深圳回國。自同年11月起應聘在中科院套用物理研究所工作。1960年受命籌建中國科學院半導體研究所，任籌委會副主任。

1960年9月中國科學院半導體研究所成立，任首任主管業務的副所長。1960～1983年任中國科學院半導體研究所研究員、副所長。1980年3月～1985年12月兼任中科院109廠廠長。1980年當選為中科院學部委員（院士），開始任《半導體學報》主編。1956-1957年間，任清華大學無線電系半導體教研室主任。

主要成就

科學研究

研製成功中國第一隻鍺合金擴散電晶體

1957年在王守武和吳錫九的組織領導下，在中國科學院套用物理研究所半導體研究室開始了半導體鍺材料與鍺電晶體的研究工作。他親自領導設計製造了中國第一台單晶爐，拉製成功了中國第一根鍺單晶。研製成功了中國第一批鍺合金結電晶體，並掌握了鍺單晶中的摻雜技術。1958年在中國科學院109廠組織開展了鍺高頻電晶體的批量生產。到1959年底，為研製109乙型計算機的計算技術研究所，提供了12個品種、14萬5千多隻鍺高頻合金擴散電晶體，完成了該機所需的半導體器件的生產任務，及時為兩彈一星任務提供了技術保證。

成立全國半導體測試中心

1962年鍺、矽半導體材料和器件的生產在全國蓬勃發展起來，但是材料與器件質量的檢測手段遠不能適應客觀需要。王守武依據國家科委的決定，在半導體所籌建全國半導體測試中心，併兼任該中心主任。他領導並參與了對半導體材料的電阻率、少數載流子壽命以及鍺電晶體頻率特性的標準測試方法的研究，建立了相應的標準測試系統。他創造性地提出了一種用觸針分布電阻的光電導衰退來測量半導體中少數載流子壽命的新方法。測試中心建成後，經過全國評比，確立了它在國內的權威地位，並隨之承擔起了全國半導體材料與器件的參數測試中的仲裁任務。

研製成功中國第一隻半導體雷射器

王守武於1963年在半導體所組建了雷射器研究室，併兼任該研究室主任。王守武創新了一種砷化鎵光學定向的新方法，大大加快了研製工作的進程，提高了各項工藝的成品率。在王守武的組織領導下，研究室於1964年元旦前夕，研製成功了我國第一隻半導體雷射器，僅比美國晚了2年。王守武還親自指導並參與了雷射通訊機和雷射測距儀的研製工作。我國第一台雷射通訊機可以在無連線的情況下，保密通話達3公里以上。王守武提出並設計了從噪聲中提取信號的電路，使得雷射測距儀的測距能力提高一倍以上。這些研究成果填補了國內空白，有力地支援了現代化建設和國民經濟建設。

研製4K與16K位的DRAM大規模積體電路

1978年根據國家的重大需求，王守武承擔了4千位的MOS隨機存儲器這一大規模積體電路的研製任務。他從穩定工藝入手，跟著片子的流程，對工藝線的每道工序進行認真細緻的檢查；對所用的儀器設備，一件件、一台台地認真檢修、改造和革新；對所用超純水、試劑、超純氣體、光刻膠、超微粒乾版、版基玻璃等基礎材料，都一一進行認真測試，使之達到所需的質量標準。1979年9月28日，經過投片，這種積體電路的批量成品率達20%以上，最高的達40%，為當時國內大規模積體電路研製中前所未有的最高水平。此後一年內，又研製出16千位的MOS隨機存儲器大規模積體電路。

改建109廠，建成大規模積體電路生產線

1980年王守武兼任了中國科學院109廠廠長，承擔了將4千位大規模積體電路的擴大生產工作。王守武高標準地修改了廠房擴建工程的設計方案，還用很大精力抓原有生產線的技術改造。他組織有關人員重新改造了通風、排氣系統，完善了其他一些工藝設施。用很少的資金，不太長的時間，就將老廠房改造成潔淨度達1000至10000級並有一定濕控、溫控的高淨化標準廠房。工廠改造以後，以一個電視機用的積體電路品種進行流片試生產，一次就取得了晶片成品率達50%以上的可喜成果。這是我國第一條靠自己力量建立的年產上百萬塊中、大規模積體電路的生產線。

基礎研究方面

除了完成國家任務以外，王守武還指導和親自動手做了許多半導體器件和器件物理方面的基礎研究工作，其代表性的有：

在半導體性能測試方面，提出如：用觸針下分布電阻的光電導衰減來測量半導體中少數載流子壽命的方法，用雙脈衝法測量鍺、矽材料壽命方法，超高頻頻段內電晶體頻率特性的測量方法等。

半導體異質結雷射器性質的研究，如：AlGaAs/GaAs雙異質結雷射器低溫負阻的研究，雙異質結雷射器的張弛振盪、本徵自脈動和正弦調製行為等。

平面Gunn器件的研究，如：Gunn二極體中的雪崩弛豫振盪的研究，對Gunn器件中摻雜梯度引起的靜止疇的計算機模擬，平面Gunn器件中靜止疇的形成和轉變的實驗和計算機模擬等。

PNPN結構器件的研究，如：低閾值GaAs/AlGaAs PNPN負阻雷射器，GaAs/AlGaAs PNPN雷射器的自振盪頻率特性，GaAs/GaAlAs PNPN負阻雷射器的光開關、光雙穩特性，半導體雙穩雷射器的穩定性分析，GaAs/GaAlAs半導體淬滅型雙穩現象的實驗研究等。

器件物理和器件設計的計算機模擬，如：用計算機模擬技術研究薄膜SOI結構中各部分的電勢分布和載流子分布，雙層多晶矽電極間隙勢壘的兩維數值模擬等。

論文著作

王守武. 1956. 半導體的電子生伏打效應的理論. 物理學報, 12(1): 66.
王守武. 1958. 關於p-n合金結中少數載流子的注射理論. 物理學報, 14(1): 82.
王守武. 1963. 用觸針下分布電阻的光電導衰退來測量半導體中少數載流子的壽命. 物理學報, 19(3): 176.
王守武, 莊蔚華, 彭懷德, 莊婉如等. 1965. 砷化鎵p-n結的受激發射的光譜特性. 物理學報, 21(5): 1077.
王守武, 鄭一陽, 劉朝中. 1975. 平面Gunn器件中的雪崩弛豫振盪. 中國科學, (6): 577.
王守武, 吳榮漢, 朱其高, 張權生, 李照銀, 田慧良. 1979. 低閾值GaAs/GaAlAs PNPN負阻雷射器. 電子學報, (3): 35.
王守武, 潘國雄, 王重雲. 1980. Gunn器件中摻雜梯度引起的靜止疇的計算機模擬. 半導體學報, 1(3): 204.
王守武, 顧純學, 王仲明, 莊婉如, 楊培生. 1982. (AlGa)As/GaAs DH雷射器低溫負阻的研究. 半導體學報, 3(5): 366.
Wang S W, Wu R H, Zhu Q G, Zhang Q S, Li Z Y, Tian H L. 1982. GaAs/GaAlAs p-n-p-n negative-resistance laser with low threshold current density. IEEE Proc, 129 I (6): 306.
王守武，鄭一陽，郗小林，潘國雄，張進昌. 1983. 平面Gunn器件中靜止疇的形成和轉變. 半導體學報, 4(5): 422.
Wang S W, Zhang Q S, Li Z Y, Wu R H. 1985. Self-oscillation frequency characteristics of a GaAs/GaAlAs pn-pn laser. IEEE Proc, 132 (1)
王守武, 夏永偉, 孔令坤, 張冬萱. 1985. SOI結構中的薄體效應. 半導體學報, 6(3): 225.
王守武, 何乃明, 夏永偉. 1985. 雙層多晶矽電極間隙勢壘的兩維分析. 半導體學報, 6(4): 393.
王守武, 王仲明. 1985. 雙異質結半導體雷射器在階躍和正弦電流調製下的行為. 半導體學報, 6(6): 590.
王守武, 吳榮漢, 張權生, 洪堅, 李照銀. 1986. GaAs/GaAlAs pnpn負阻雷射器中的光開關、光雙穩特性. 半導體學報, 7(2): 147.
Wang S W, Wu R H, Zhang Q S, Hu D X. 1987. Optical bistability in a pnpn GaAs/GaAlAs laser diode. Solid-State Electronics, 30(1): 53.
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王守武. 1987. 大規模積體電路和短溝道效應. 物理, 16(5): 257.
王守武. 半導體器件研究與進展. 第一冊. 北京：科學出版社.

人才培養

1958年由中國科學院院長郭沫若任校長的中國科技大學成立，王守武被聘任該校物理系（二系）副主任和半導體專業的主任，並為高年級學生講授半導體物理（Ⅱ）課程，直到1980年止。這期間學校半導體專業的教學內容和科研方向都由王守武安排和制訂，包括安排學生去半導體研究所實習和做畢業論文。他的辛勞已結出豐碩的果實，他的學生不少現已成為半導體科技領域中的棟樑人才。

社會任職

時間	擔任職務	參考資料
1963年-1982年	中國物理學會常務理事
1978年-	中國電子學會半導體與集成技術專業分會主任委員
1978年-2014年	中國電子學會理事、常務理事
1980年-2014年	《半導體學報》主編
1983年	國務院電子振興領導小組積體電路顧問組組長
1986年1月	由109廠為主組建的“中科院微電子中心”名譽主任
1997年-2014年	美國《矽谷》雜誌總編
	第三屆全國人大代表
	第四屆全國人大代表
	第五屆全國政協委員
	第六屆全國政協委員
	第七屆全國政協委員
	中國科技大學兼職教授
	清華大學兼職教授
	北京大學兼職教授
	復旦大學兼職教授
	電子科技大學名譽教授

獲獎記錄

1979年因4千位MOS動態隨機存貯器的研製成功，“N溝MOS4096×1位動態隨機存貯器提高管芯成品率的研究”，獲1980年中國科學院科技成果獎一等獎，1980年因“16K位MOS動態隨機存貯器”的研製成功，獲中國科學院重大科技成果獎一等獎，1985年因建積體電路大生產工藝試驗線成功，“積體電路大生產試驗”獲中國科學院科技進步獎二等獎，因參與指導“半導體雙穩態雷射器的研究”獲中國科學院科技進步獎二等獎，1987年因參與“世界新技術革命和我國的對策”研究獲1987年國家科技進步獎二等獎，1990年因主持建成“積體電路中試生產線”獲中科院科技進步二等獎。

個人生活

1919年，王守武出生於蘇州名門望族東山莫釐王氏，祖父王頌蔚是晚清著名歷史學家、文學家，他崇尚實學，祖母謝長達是著名的蘇州女權運動先驅，曾組織成立放足會，宣傳婦女解放、女子獨立，與人籌資創辦振華女校。

王守武的父輩個個學有所長，幾乎都是中國近代科學初期的開創性人物。伯父王季烈是清末民初物理教育家，翻譯編寫了多部理科教材，是用“物理”來翻譯西文physics一詞的最早倡導者；叔叔王季點畢業於東京工業學院套用化學科，熱心於“實業救國”，曾創辦火柴公司及北京玉泉釀酒公司等企業，自任董事長，參與技術指導；叔叔王季緒是我國最早的機械工程專家之一，先後執教於北京大學、北平工業學院等，曾任北洋大學工學院代理院長；王守武的姑姑們也都接受過現代教育，她們或留學日本、美國，或考入清華大學等名校就讀。姑媽王季茝1918年在美國芝加哥大學獲得博士學位，是第一位華人女博士。

在親職教育上，王守武受父親王季同的影響很大。父親王季同在機械工程和數學方面造詣很高，曾赴英國任清政府駐歐洲留學生監督署隨員，到英吉利電器公司和德國西門子電機廠研究實習，是迄今所知中國學者最早在國際學術刊物上發表現代數學論文的人，曾參與中央研究院籌備工作，後任工程研究所專任研究員至退休。

王守武至今還記得父親當年曾講述如何求圓周率π、自然對數及對數的底等問題。王季同曾經從舊貨攤上買來一台舊的手搖計算機，他給孩子們演示怎樣用它來進行計算，諸如怎樣把自然對數的底e算出來。王家子女大都天資聰穎早慧，當王季同出智力測驗題目，哥哥姐姐們常會爭先回答，而王守武從小體弱多病，不愛活動，也不愛說話，那時在哥哥姐姐眼中，他是個木訥的弟弟。實際上，數學的種子已深埋在這個“笨小孩”的心中，上中學時，王守武就完成了關於圓周率π的一篇數學論文。

王家備有各種機械加工工具和材料，孩子們在一起配鑰匙、修理家庭用具、繞制變壓器、連線簡易電路、製作電磁鐵等等。在這樣的家族氛圍中，王家子女後來也都大有成就。王守武的兄弟姐妹共12人，早逝5人，長成7人。除王守武和王守覺這兩位中科院院士外，他們中有我國婦產科學奠基人之一、與林巧稚齊名、有“南王北林”之譽的留美醫學博士王淑貞；有1928年獲哥倫比亞大學哲學博士學位、中國第一位研究量子力學並卓有成就的學者王守競；有我國著名的也是最早的女物理學家之一、清華大學第一位女教授王明貞……

獲博士學位前，1948年5月，王守武與同窗三載的葛修懷女士結為伉儷。婚後，中國留學生便常來王家相聚，當時在普渡留學的鄧稼先便是王守武家的常客之一。總部設在芝加哥的中國留美科學工作者協會在普渡設立了分會，鄧稼先是普渡分會的幹事之一，王守武也因此參加了留美科協的活動。

人物評價

在中國半導體學界享有崇高威望的半導體物理學家、微電子學家的王守武，把發展中國半導體科學事業視為已任，兢兢業業為之奮鬥了一生。

他遠見卓識，富於開拓精神，勇於以發展國民經濟、增強綜合國力為出發點，開拓新領域，奪取新成果；他對工作十分認真，一絲不苟，重視實踐，講究實效，嚴格按科學規律辦事；他為人忠厚、誠實，待人溫情、謙和；他作風民主，平易近人，無論是在學術討論中，或做其他工作時，總是謙虛謹慎，平等待人，談泊名利。他的為人和他的科學成果一樣，贏得了人們的愛戴和敬重。

王守武先生虛懷若谷，克己奉公，嚴於律己，寬厚待人，對黨、對國家、對人民無限忠誠。他用無私奉獻譜寫了精彩人生，為我們樹立了光輝榜樣。他的一生是為科學事業不懈奮鬥的一生，他的逝世是科學界的一大損失。

王守武是我國著名的半導體器件物理學家、微電子學家。我國第一個半導體研究室、半導體器件工廠、半導體研究所和全國半導體測試中心的創建者。

人物影響

2006年11月起，王守武夫妻捐資40000元在湖北省鄂州市的澤林高中設立“英才獎學金”，專門獎勵成績優異、家境貧困的學子。

王守武(微電子學家、中科院院士)