余金中，男，1943年8月生，湖北鄂州人。1960年畢業於大冶一中，1965年中國科學技術大學物理系畢業，1967年半導體研究所研究生畢業，師從王守武院士。1982－1983、1987、1990-1991年留學日本理化學研究所和大阪大學，師從難波進教授，獲大阪大學工學博士學位。現任中國科學院半導體研究所學術委員、研究生院研究員，博士生導師。兼任浙江大學、山東大學、廈門大學、北京工業大學、華僑大學和河北大學兼職教授，《半導體光電子》、《飛通光電子技術》雜誌編委。美國國際光子工程協會(SPIE)、中國光學學會會員和中國電子學會高級會員。
基本介紹
- 中文名：余金中
- 出生地：湖北鄂州
- 出生日期：1943年8月
- 職業：中國科學院半導體研究所學術委員、研究生院研究員
人物經歷,研究方向,主要貢獻,獲獎記錄,
人物經歷
余金中，男，1943年8月生，湖北鄂州人。1960年畢業於大冶一中，1965年中國科學技術大學物理系畢業，1967年半導體研究所研究生畢業，師從王守武院士。1982－1983、1987、1990-1991年留學日本理化學研究所和大阪大學，師從難波進教授，獲大阪大學工學博士學位。1992和2001年作為訪問學者在美國矽谷和德國斯圖加特大學工作和講學。
余金中現任中國科學院半導體研究所學術委員、研究生院研究員，博士生導師。兼任浙江大學、山東大學、廈門大學、北京工業大學、華僑大學和河北大學兼職教授，《半導體光電子》、《飛通光電子技術》雜誌編委。美國國際光子工程協會(SPIE)、中國光學學會會員和中國電子學會高級會員。
研究方向
余金中長期從事半導體光電子學研究，目前著重研究矽基光電子集成、矽基光波導器件和SiGe/Si異質結和器件的生長、製備和特性表征。
主要貢獻
主要學術業績：
一、首先在國內實現了短波長雷射器的長壽命工作，促進了我國光通信的起步發展。主持長波長雷射器實用化研發，成功地轉化為高技術產品。
二、開展低能量無損傷乾法刻蝕研究，創新採用低能量大離子束流，實現了無損傷高速率刻蝕，為低閾值長壽命半導體雷射器的研製奠定了重要基礎。
三、1996年至今致力於矽基光電子學研究，合作設計加工出高水平的UHV/CVD系統，指導研究生外延出高質量SiGe/Si量子結構和器件，相關結果已被國外多次進行報導，並多次在國際會議上作邀請報告。
四、在國內率先主持開展SOI光波導研究，成功做出MMI耦合器和MZI熱光型和電光型光開關，回響速度快，為國際先進水平。
完成/在研主要項目
國家基金委重大項目“光子集成基礎研究" 課題"IV族基能帶工程材料和器件套用研究”（1998-2002）。
國家基金委重大項目"WDM全光網基礎研究"，課題"WDM全光網關鍵器件及基礎材料研究"（1999-2003）。
科技部973項目"支撐高速、大容量信息網路系統的光子集成基礎研究" 課題"OXC關鍵集成器件及增益非線性與噪聲動力學"（2001-2005）。
科技部863項目"通信用光電子材料、器件與集成技術" 課題"矽基高速波導光開關及其集成技術" （2002-2005）。
代表性論著
余金中，《半導體光電子技術》，2003，北京：化工出版社。
YU Jinzhong, Wei Hongzhen, Yan Qingfeng, Xia Jinsong, Zhang Xiaofeng, “Integrated MMIoptical couplers and optical switches in Silicon-on-insulator techlonogy”, J. of The Graduatte School of The Chinese Acadamy of Sciences, 2003，20（1）：1-4.
余金中，嚴清峰，夏金松，王小龍，王啟明，“SOI光電子集成”，功能材料和器件學報，2003，9（1）：1-7.
Jinzhong Yu, Changjun Huang, Buwen Cheng, Yuhua Zuo, Liping Luo and Qiming Wang，Type-II SiGe/Si MQWs (multi-quantum Wells) and Self-Organized Ge/Si Islands Grown by UHV/CVD System，International J. Modern Phys. ，2002，16(28&29): 4228-4233。
Erich Kasper 主編，余金中譯，王杏華，王莉，夏永偉校，《矽鍺的性質》，2002年9月第1版，北京：國防工業出版社。
Yu Jinzhong, Yu Zhou , Cheng Buwen , Li Daizhong , Lei Zhenlin , Wang Qiming，GeSi/Si heterostructures grown by a home-made UHV/CVD，Science Foundation In CHINA，1999，7（7）: 40-43。
J. Z. Yu, N. Masui, Y. Yuba, T. Hara, M. Hamagaki, Y. Aoyagi, K. Gamo, and S. Namba，Induced defects in GaAs etched by low energy ions in electron beam excited plasma (EBEP) system，Jpn. Appl. Phys.，1989，28(11): 2391-2395。
J. Z. Yu, T. Hara, M. Hamagaki, T. Yoshinaga, Y. Aoyagi and S. Namba，High-rate ion etching of GaAs and Si at low ion energy by using an electron beam excited plasma system，J. Vac. Sci. & Technol.，1988，B6(6): 1626-1631。
J. Z. Yu, T. Hara, M. Hamagaki, Y. Aoyagi and S. Namba，Damageless ion etching by high current low energy ion beam，Application of Ion Beams in Materials Science，1987: 271-276。
J. Z. Yu, Y. Aoyagi, S. Iwai, K. Toyada and S. Namba，Anodic oxidation of AlGaAs，J. Appl. Phys.，1985，56(6):1895-1896。
獲獎記錄
先後獲中國科學院重大項目二等獎、科技進步二等獎和兩次國家科技進步二等獎。1992年起享受國務院頒發的政府特殊津貼，2001年獲中國科學院華為優秀研究生導師獎。發表論文150多篇，SCI和EI收錄分別為55篇和43篇，被他人SCI引用60次,著作和譯著各一本。培養碩士生3名、博士生15名。
