林蘭英（1918年2月7日—2003年3月4日），福建莆田人，半導體材料學家，中國科學院院士，中國科學院半導體研究所研究員。
1940年林蘭英從福建協和大學畢業後留校任教；1948年赴美留學，進入賓夕法尼亞州的迪金森學院數學系學習；1949年獲得迪金森學院數學學士學位，同年進入賓夕法尼亞大學研究生院，進行固體物理的研究，先後獲得碩士、博士學位；1955年博士畢業後，進入紐約長島的索菲尼亞公司任高級工程師進行半導體研究；1957年1月回到中國，並進入中國科學院物理研究所工作；1960年中國科學院半導體研究所成立後，林蘭英擔任該所研究員；1980年當選為中國科學院學部委員；2003年3月4日在北京逝世，享年85歲。
林蘭英主要從事半導體材料製備及物理的研究。在鍺單晶、矽單晶、砷化鎵單晶和高純銻化銦單晶和製備及性質等研究方面獲得成果，其中砷化鎵氣相和液相外延單晶的純度及電子遷移率，均曾達到國際先進水平。
基本介紹
- 中文名：林蘭英
- 國籍：中華人民共和國
- 民族：漢族
- 出生地：福建莆田
- 出生日期：1918年02月07日
- 逝世日期：2003年03月04日
- 職業：教育科研工作者
- 畢業院校：美國賓夕法尼亞大學
- 主要成就：賓夕法尼亞大學百年來首位女博士
1980年當選為中國科學院學部委員 - 代表作品：《林蘭英論文選》
人物生平,主要成就,科研成就,榮譽表彰,社會任職,個人生活,人物評價,後世紀念,
人物生平
1918年2月7日，農曆丁巳年十二月二十六日，林蘭英出生於福建莆田縣。幼年為了上學，經過一番絕食鬥爭，家人同意林蘭英上了礪青國小，林蘭英在礪青國小的成績始終在有著40多名男女學生的班中占居前兩名，校長彭介之決定保送她進入礪青中學。
1930年9月，林蘭英進入礪青中學國中部一年級，國中六個學期她都保持全年級第一。
1933年9月，林蘭英進入莆田中學高中部一年級，成了當時高一年級唯一的一名女生，後來由於莆田中學搞起了學生運動，林蘭英對運動本無興趣，轉學至莆田縣惟一的一所教會女子中學———鹹益中學就讀。
1936年，林蘭英考入福建協和大學（福建師範大學前身）物理系。
1940年，林蘭英從福建協和大學畢業後作為優秀生留校任助教，教授《普通物理學》、《高等數學》、《光學》、《物性聲學》、《電磁學》等課程。
1944年，林蘭英擔任福建協和大學講師。
1947年5月，福建協和大學與美國賓夕法尼亞州的迪金森學院建立互換留學生的關係。
1948年8月9日，林蘭英遠涉重洋到美國留學，進入國賓夕法尼亞州的迪金森學院數學系學習。
1949年，林蘭英獲得了迪金森學院數學學士學位，同時獲得美國大學榮譽學會迪金森分會獎勵她的一枚金鑰匙。同年深秋，林蘭英進入賓夕法尼亞大學研究生院，開始了固體物理的研究。
1951年，林蘭英獲得賓夕法尼亞大學固體物理學碩士學位。之後繼續攻讀博士學位，師從米勒教授。
1955年6月，林蘭英憑藉博士論文《弱X射線輻照引起氯化鉀和氯化鈉晶體的膨脹》獲得賓夕法尼亞大學固體物理學博士學位，是該校建校215年以來，第一位獲得博士學位的中國人，也是該校有史以來的第一位女博士。博士畢業後，導師推薦她去紐約長島專司半導體研究的索菲尼亞公司任高級工程師。之後，她被聘為從事半導體科研工作的索菲尼亞公司（Sylvania公司）高級工程師，靠林蘭英傑出的科學分析指導，公司成功地造出了第一根矽單晶，不久，又為公司申報了兩項專利，公司三次提高她的年薪。林蘭英回國時索菲尼亞公司給她年薪10000美元，回國後每月207元人民幣。
1956年6月，林蘭英以“母親重病”為由，向印度駐美國大使館提交回國申請，9月使館通知她填寫有關回國事宜的表格。
1957年1月29日，幾經周折抗爭，林蘭英乘坐的客輪安抵香港，在國務院辦公廳精心周密安排下，她走上了深圳羅湖橋頭，回到了中國，之後由大弟林文豪送她經上海去北京，進入中國科學院物理研究所工作，歷任研究員，副所長。
1960年，林蘭英擔任中國科學院半導體研究所研究員。
1980年，林蘭英當選為中國科學院學部委員。1980年11月，林蘭英赴朝鮮講學，一連講了6天，金日成專門抽時間接見了她。
2003年3月4日，林蘭英在北京因病醫治無效逝世，享年85歲。
主要成就
科研成就
- 科研綜述
林蘭英率先組織和領導了中國生長矽單晶、銻化銦、砷化鎵和磷化鎵單晶的研究，並首先獲得了上述半導體單晶。為在中國率先研究半導體積體電路和光電子器件的單位提供了多種半導體單晶材料，並向全國推廣上述單晶生長技術和相應的材料測試技術，為中國微電子學和光電子學的開創奠定了基礎。參與組織領導4千位16千位大規模積體電路-MOS隨機存儲器的研製，1980、1982年兩次獲得中國科學院科技進步一等獎。她指導的高純砷化鎵液相外延和氣相外延材料研究達到國際先進水平，其中高純砷化鎵氣相外延研究至今仍然保持著採用鹵化系統的國際最高水平。1987年首次在世界上在微重力條件下從熔體中生長砷化鎵單晶獲得成功。以後又相繼四次在中國返回式衛星上生長生長砷化鎵單晶，在空間晶體生長、材料物理研究及器件套用等方面取得諸多科研成果。利用空間生長的半絕緣砷化鎵製造的微波低噪聲場效應電晶體和模擬開關積體電路的特性及優質品率提高。
1958年秋天，中國第一根矽單晶誕生，長8厘米、直徑5.08厘米的圓柱體矽單晶。
1961年深秋，由林蘭英主持設計加工的中國第一台開門式矽單晶爐製造成功。
1962年春天，正式啟動拉制工作，中國第一根無位錯的矽單晶拉製成功。
1963年，東京舉辦國際工業博覽會，日本特邀這台矽單晶爐赴東京參展，後中國生產了900多台，遠銷東歐諸國。
1962年10月，一個半導體學術會議上，林蘭英拿出了砷化鎵單晶。經鑑定，砷化鎵單晶的電子遷移率達到當時國際上最高水平。
1964年，由她參與的中國第一隻砷化鎵二極體雷射器問世。
“文革”開始那年，她還與中國第一位女院士林巧稚一同登上天安門城樓，事後便跌於“文革”的沼澤中。
1973年，還在“文革”風雨中的她，第一次提出用汽相外延和液相外延法製取砷化鎵單晶，後來，砷化鎵汽相外延電子遷移率連續4年居國際最高水平，至今還處於國際領先地位。
80年代，她開創性地提出在太空微重力條件下拉制砷化鎵的構想。1987年8月，中國終於在第九顆返回式人造衛星上拉制出了第一塊高質量低缺陷的砷化鎵單晶。
1982年，高純LPEGaAs生長及性質，晶體生長雜誌，
1989年，太空GaAs製備與性質，材料科學文集
1993年，林蘭英論文選，福建科學技術出版社
- 承擔項目
1959-1964，直拉矽和區熔矽晶體生長，主持
1977-1980，高純VPE和LPEGaAs外延材料生長，主持
1985-1990，LCSSI-GaAs晶體生長，主持
1987-1994，空間GaAs材料生長和性質，主持
- 科研成果獎勵
林蘭英先後四次獲中國科學院科技進步獎一等獎，兩次獲國家科學技術進步獎二、三等獎。
| 時間 | 項目名稱 | 獎勵名稱 |
|---|---|---|
1980年—1981年 | 4K和16K矽DRAM及提高成品率研究 | 中國科學院科學技術進步獎，一等 |
1986年 | 砷化鎵材料質量提高研究 | 國家科學技術進步獎，二等 |
1989年 | 太空GaAs生長及性質研究 | 中國科學院科學技術進步獎，一等 |
榮譽表彰
| 時間 | 榮譽/表彰 |
|---|---|
1980年 | 中國科學院學部委員 |
1996年 | 何梁何利基金科學與技術進步獎 |
1998年 | 霍英東成就獎 |
社會任職
| 時間 | 擔任職務 |
|---|---|
1975年—1993年 | 中華人民共和國第四、五、六、七屆全國人民代表大會代表 |
1978年—1985年 | 中國電子材料行業協會主任委員 |
1980年—1996年 | 中國科學技術協會副主席（第二至四屆） |
1986年 | 國家自然科學基金委員會委員 |
個人生活
林蘭英有兩個弟弟、四個妹妹。妹妹因是女兒身而被送了人。林蘭英幼年倖免被送人的命運，得益於她是長女。封建家庭里“長子”或“長女”，都意味著必須擔負責任和義務。林蘭英幼年的責任和義務是做家務、看護弟弟。她6歲就熟悉家務，可做好供全家人吃的兩大鍋飯。
幼年的林蘭英勤勞敏學，心靈手巧，許多事她做起來輕鬆自如，尤其是刺繡剪紙，做得格外漂亮，剪出的“公雞報曉”、“嫦娥奔月”、“喜鵲登枝”等名目繁多的窗花，總讓堂姐妹們格外羨慕。在那個封建的深宅大院裡，她與堂姐妹們的不同之處是她嚮往外面的世界。一天，她對後院蓋起的兩座小新樓細細觀望，不小心被三祖父看見了。三祖父便擠兌她說：“你看什麼？你將來是要嫁出去的人，這房上的瓦一片也不是你的！”
但最後的難度還在聯邦調查局的刁難。她早就是聯邦調查局“心中有數”的人物。幾經阻攔無效後，他們來了最後一招兒———在她登船之前將她的行李物品翻了個遍。見無利可圖又對她搜身，只搜出一張6800美元的旅行支票。這支票被海關無理扣留，直到23年後的1980年，由中國銀行出面才將其索回……
最讓林蘭英沒料到是，“文革”後，美國聯邦調查局還在留意她。敏感的聯邦調查局知道“文革”中的林蘭英有過這樣那樣的不如意，便打她的主意，拉她去美國定居。他們通過林蘭英在美的一位朋友來中國做她的工作，林蘭英謝絕了他們的好意，說：“我林蘭英既然在20年前毅然回到了中國，20年後的今天，就更不會回到美國去了。”
林蘭英多次接待過美國訪華代表團。一次，一個美國代表團的客人問她：“您為什麼不願回美國去呢？如果現在有意，我會安排您在美國的一切所需。”林蘭英笑了笑說：“中國現在更需要我。我願意並更樂意與美國合作搞半導體科學研究。”
1957年林蘭英剛到在中國科學院物理所工作才一星期，就得了急性腹膜炎，動了手術。此事驚動了周總理，她一上手術台，日理萬機的周總理親自打去電話，指示醫院“只能治好，不能出意外”，並說這是一項政治任務。
1964年，林蘭英去捷克參加國際半導體會議，會議期間，她與英國科學家西爾索相遇。西爾索極為傲慢，林蘭英曾在這之前在莫斯科講學時見過他。頭天，林蘭英做了有關銻化銦遷移率的報告。第二天，他們一起共餐，西爾索質問道：“你們銻化銦的樣品是不是蘇聯給的？”
西爾索的問話大傷林蘭英的自尊，她據理反駁：“這都是我們自己做的。作為科學家，你怎么可以信口雌黃，說是蘇聯給的？！”
這事一直讓她記憶不忘，總想有機會以事實回擊西爾索，“報復”他一下。1979年，西爾索來中國參觀半導體材料砷化鎵，林蘭英有意避而不見，只將材料樣品擺出來讓西爾索看，西爾索這才驚訝中國有世界領先的砷化鎵。他似乎覺得15年前冒犯了林蘭英，便向黃昆所長問及她，所長以“林博士很忙”搪塞了他。西爾索悟出林蘭英的用意，這事也讓他記憶終生。
1974年林蘭英才住上有暖氣的房子。
人物評價
林蘭英是中國半導體材料科學的奠基人和開拓者，她帶動同事一起創造了多個“新中國的第一”，受到全世界科學家關注，在砷化鎵晶體太空生長和性質研究諸方面取得了舉世矚目的成就，被譽為“中國太空材料之母”。（新浪新聞評）
後世紀念
- 林蘭英院士塑像
