《無磁性離子摻雜半導體材料的缺陷和磁性研究》是依託南京大學，由徐慶宇擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名：無磁性離子摻雜半導體材料的缺陷和磁性研究
- 項目類別：青年科學基金項目
- 項目負責人：徐慶宇
- 依託單位：南京大學
- 批准號：50802041
- 申請代碼：E0207
- 負責人職稱：教授
- 研究期限：2009-01-01 至 2011-12-31
- 支持經費：20（萬元）
項目摘要
自旋電子學是當前磁學研究領域的前沿課題，它與半導體緊密結合。自旋電子學的重要問題就是如何實現半導體材料內部的高效率的自旋注入。由於半導體材料相互間本身能帶的匹配，如果我們能實現在半導體材料中實現內稟的鐵磁性，那么將在半導體材料中實現高效率的自旋注入，從而為將來的自旋電子學打下堅實的材料基礎。目前困擾的最主要問題就是如何在半導體實現室溫的鐵磁性。理論預言了磁性摻雜ZnO的鐵磁性。但是實驗結果卻千差萬別，到目前為止，仍然沒有任何公認的關於ZnO通過磁性摻雜獲得內稟鐵磁性的報導。理論的計算表明，磁性摻雜在ZnO中只有反鐵磁交換作用，無法實現鐵磁性。但是ZnO本身的缺陷，Zn位上的缺陷，將導致鐵磁性。為了真正解決在半導體中實現室溫鐵磁性的問題，我們將深入研究純ZnO中的缺陷種類，以及如何實現和控制缺陷類型和密度，確立ZnO中缺陷形態對磁性性質的影響，從而期望真正實現在半導體中的室溫鐵磁性。
