《新型半導體材料及其器件的電檢測磁共振技術》是付濟時為項目負責人，北京大學為依託單位的面上項目 。
基本介紹
- 中文名：新型半導體材料及其器件的電檢測磁共振技術
- 項目類別 ：面上項目
- 項目負責人：付濟時
- 依託單位 ：北京大學
- 批准號：19574005
- 申請代碼：A2007
- 負責人職稱：副教授
- 研究期限：1996-01-01至1998-12-31
- 支持經費：8(萬元)
項目摘要
完成了C60薄膜二極體、GaN發光二極體、Au/超薄富矽SiO2/n(+)So、Au/超薄氮氧化矽/P-So等新型半導體薄膜材料以其器件的磁共振以及電檢測磁共振的研究，對目前國內工藝條件所製備的材料及其器件尚未能觀察到它們的電子順磁共振信號。而在所完成的10nm的矽量子線材料的電子順磁共振研究中首次觀察到了其內的本徵順磁缺陷；在摻Au/SiO2薄膜的非線性光學特性研究中，對高摻雜濃度的材料得到了高達10^（-6）esu的三階非線性光學報化率，另外還觀察到Fe-N薄膜材料的強鐵磁性。為該課題及後續研究所研製的L波段的譜儀已通過性能測試，如能推廣將取得一定的經濟效益。
