《高自旋極化率過渡金屬鋁化物的結構和磁性質研究》是依託中南大學,由潘江陵擔任項目負責人的青年科學基金項目。
基本介紹
- 中文名:高自旋極化率過渡金屬鋁化物的結構和磁性質研究
- 項目類別:青年科學基金項目
- 項目負責人:潘江陵
- 依託單位:中南大學
《高自旋極化率過渡金屬鋁化物的結構和磁性質研究》是依託中南大學,由潘江陵擔任項目負責人的青年科學基金項目。
《高自旋極化率過渡金屬鋁化物的結構和磁性質研究》是依託中南大學,由潘江陵擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要半金屬材料是以電子的兩種自旋行為為特徵的新型功能材料。隨著自旋電子學的發展,新型磁性材料、磁性半導體材料和...
·新型材料的電子結構、磁結構研究 ·自旋、電荷、軌道有序問題 ·新的動力學模擬方法 ·納米顆粒、納米結構、納米陣列體系的理論研究 ·非共線的磁結構的理論 ·表面和界面的結構和動力學性質 ·介觀體系的量子輸運問題 ·生物大分子的結構、功能與性質 研究目標 ·進行與材料設計有關的電子結構和物性的計算 ·...
《平面構型Si基納米材料的自旋極化及電子輸運性質研究》是依託濟南大學,由張昌文擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 Si基納米材料是目前納米材料研究的最前沿領域之一,其特點在於結構新穎,物理內涵豐富,套用前景巨大。本項目擬對平面結構Si基納米材料的生長機理、磁學性能調控和器件設計展開系統研究:(1)研究Si基...
如將DMS材料用作磁性金屬與半導體的界面層,實現自旋極化的載流子向非磁性半導體中的注入,可用於自旋極化發光二極體的製造。而對於某些鐵磁層/無磁層的多層異質結構,如GaMnAs/AlGaAs/GaMnAs等,通過調節外部參數如溫度、電場等,可控制半導體層中的載流子濃度以及磁性層間的磁耦合,這種特性能夠套用於製造磁控、光控的...
通過引入各向異性的自旋波波長截止能量ECγ,改進了一種隧穿電子自旋極化輸運理論。這些研究工作對研製用於計算機的新一代磁動態隨機存儲器和磁頭及其它磁敏感器件等具有重要的實驗和理論價值。2003年12月他和研究生及合作者在非晶Co-Fe-B/Al-O/Co-Fe-B磁性隧道結和半金屬La-Sr-Mn-O複合磁性隧道結研究方面獲得了...
在材料研究的基礎上,我們利用紫外曝光套刻工藝製作了基於不同鐵磁電極材料的自旋極化電極並製備了水平結構底接觸有機單晶自旋二極體器件,並研究了其器件特性。主要包括:(1)利用真空熱蒸發方法製備了一系列的具有相似結構性能的8-羥基喹啉金屬配合物薄膜,如8-羥基喹啉鋁、8-羥基喹啉鎵、8-羥基喹啉鈹、8-羥基...
磁性材料俘導體界面的自旋注入是最基本的半導體自旋注入結構。作為自旋極化源的磁性材料有鐵磁金屬、磁性半導體和稀磁半導體三種。磁性半導體有較高的自旋注入效率,但是磁性半導體(如硫化銪)的生長極其困難,因此研究就集中在從稀磁半導體和鐵磁金屬向非磁半導體內的注入。稀磁半導體的鐵磁轉變溫度遠低於室溫,雖然理論...
近年來Guo等人針對該領域的一些核心問題,如:低維磁調製量子系統中的電子磁致輸運和自旋極化輸運作了較為系統的研究,取得了一系列具有創新意義的成果。先後提出了自旋過濾二極體和自旋過濾及電流雙重二極體的概念。探討了稀磁半導體異質結構及其超晶格結構中自旋輸運的電場效應、磁場效應、溫度效應、量子尺寸效應、層間耦合...
《異質周期結構稀磁半導體量子輸運性質研究》是依託吉林大學,由張明喆擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 稀磁半導體異質周期結構是一種量子有序態,自旋極化的電子-空穴對有效分離並周期排列,具有自旋相關的共振隧穿,通過外加電場, 磁場,光輻照可以操縱勢壘和勢阱,以及電子自旋和輸運,是研究量子有序態和自旋相關...
首先,通過第一性原理密度泛函理論,系統地研究了單層GaSe表面Fe原子吸附體系的幾何結構及自旋電子特性。計算發現,Fe單原子吸附的Fe/GaSe體系中Fe原子與最近鄰Ga,Se原子之間存在很強的反鐵磁耦合效應,使體系呈現100%自旋極化的半金屬性。對於Fe雙原子吸附體系,兩Fe原子之間的強相互作用導致費米能級附近的單自旋通道...
構建二維InSe/BP范德華異質結,可以提高InSe空穴遷移率3個數量級達104 cm2V-1s-1;范德華間隙過渡金屬原子Sc-Zn摻雜可以在InSe/BP中誘導出鐵磁、反鐵磁和順磁性;扶手椅型InSe納米帶是非磁直接帶隙半導體,具有高電子遷移率103 cm2V-1s-1,鋸齒形納米帶表現出本徵鐵磁性,自旋極化靈敏依賴於納米帶邊緣結構;...
Guo等人針對該領域的一些核心問題,如:低維磁調製量子系統中的電子磁致運輸和自旋極化運輸作了較為系統的研究,取得了一系列具有創新意義的成果。先後提出了自旋過濾二極體和自旋過濾及電流雙重二極體的概念。探討了稀磁半導體異質結構及其超晶格結構中自旋運輸的電場效應、磁場效應、溫度效應、量子尺寸效應、層間耦合效應...
構建二維InSe/BP范德華異質結,可以提高InSe空穴遷移率3個數量級達104 cm2V-1s-1;范德華間隙過渡金屬原子Sc-Zn摻雜可以在InSe/BP中誘導出鐵磁、反鐵磁和順磁性;扶手椅型InSe納米帶是非磁直接帶隙半導體,具有高電子遷移率103 cm2V-1s-1,鋸齒形納米帶表現出本徵鐵磁性,自旋極化靈敏依賴於納米帶邊緣結構;...
(iii) 陳麗, 李華, 董建敏, 潘鳳春, 梅良模, “原子簇La8-xBaxCuO6的原子磁矩和自旋極化的電子結構研究”, 物理學報, 2004,53(1),254-258 SCI (iv) 陳麗, 李華, “新型超導材料MgCNi3的電子結構和超導電性研究” 物理學報, 2004,53(3),922-926 SCI (v) Li CHEN, Hua LI and Liangmo MEI. ...