深能級瞬態譜的作用: 能檢測半導體中微量雜質、缺陷的深能級及界面態。通過深能級瞬態譜儀對樣品的溫度掃描,可以給出表征半導體禁帶範圍內的雜質、缺陷深能級及界面...
1 簡介 2 電子-空穴複合 3 深能級雜質 4 深能級瞬態譜 深能級簡介 編輯 半導體中的深能級所包括的範圍十分廣闊,可以是單個的雜質原子或缺陷,也可以是雜質...
深能級測量是指半導休材料中深能級的測量。方法主要有:深能級瞬態譜、光致發光、光電流瞬態譜、光電容和定值光電導等。...
無接觸電阻率、擴展電阻、微波光電導衰減、霍爾效應、紅外光譜、深能級瞬態譜、正電子湮沒、螢光光譜、紫外-可見吸收光譜、電子束誘生電流、I-V和C-V等測試分析...
第十章,介紹的深能級瞬態譜法是材料科學與工程中較常用的現代測試技術。涉及到材料、特別是半導體材料的物化性分析,不過很少被其他教材選錄,故一併收入《現代材料...
6、聚乙炔半導體熱激電流譜研究,半導體學報,vol.9,no.6,19887、計算機控制和處理的深能級瞬態譜研究,電子學保,vol.16,no.4,1988...
發明了探測半導體中微量缺陷的深能級瞬態譜(DLTS)方法。發現了氫在矽中對受主雜質的鈍化作用。近期致力於亞微米MOS電晶體的可靠性研究。曾獲半導體工業協會(SIA)最...
2.4.2 深能級瞬態譜(DLTS)2.4.3 光致發光譜(PL)2.5 小結第3章 Iv族半導體材料中的位移損傷3.1 引言3.2 矽的位移損傷3.2.1 矽的輻射缺陷...
過熱點是一種冶金、電子工程的專業術語。用深能級瞬態譜(DLTS)和液晶顯示等技術分析了軟特性矽功率器件體內‘’過熱點‘’的微觀結構及形成原因。表明:在高溫擴散...
同時Si-G16電子順磁共振譜一也跟這種缺陷的負荷電態有關,深能級瞬態譜中Ec-0.43ev的電子能級與之也有聯繫。間隙型缺陷對材料的電學性能的影響較小。這是因為...
綜合物理性能測試儀(Physical Property Measurement system,PPMS) 深能級瞬態譜儀 少子壽命測試儀 元素分析儀(EA) 同步熱分析儀 紫外可見近紅外分光光度計 紅外光譜...
此外,通過測量瞬態的C-V關係(例如深能級瞬態譜[DLTS]技術),還可以獲得關於系統中界面態的信息。V百科往期回顧 詞條統計 瀏覽次數:次 編輯次數:4次歷史版本 ...
第7章 半導體深中心的表征7.1 深能級瞬態譜技術參考文獻7.2 熱激電流參考文獻詞條標籤: 社科書籍 , 出版物 , 書籍 圖集 半導體的檢測與分析圖冊 V百科往期...
(2)半導體器件物理:利用半導體測試方法,如電導譜和深能級瞬態譜等來研究多種有機半導體器件的載流子注入與傳輸、界面缺陷、電荷積累等,力求實現對器件性能進行有效...
研究了GeSi/Si量子阱的光電流吸收譜與外加電場的關係;採用導納譜、深能級瞬態譜、光電容譜等方法觀察到鍺矽量子阱、量子點中的載流子發射;用導納譜、電容-電壓譜...
同一裝置可通過更換過渡頭和樣品架而適用於多種實驗目的,如固體和液體樣品的正電子湮沒測量,穆斯堡爾譜測量,深能級瞬態譜測量,光學測量,電導測量和其它可將信息以...