電容-電壓技術（C-V technique）就是通過測量電容與電壓的關係來求得體系的有關性能參量的一種技術。
基本介紹
- 中文名：半導體電容-電壓技術
- 外文名：C-V technique
- 關係式：1/C2 = 2( Vbi –V)/(qεNdA2 )
- 學科：物理學
（1）對單邊突變的p+-n結，其勢壘電容C與電壓V之間的關係可表示為：1/C2 = 2( Vbi –V)/(qεNdA2 )，則可通過測量1/C2~V關係曲線的斜率和截距來求得n型一邊的摻雜濃度Nd和結的內建電勢Vbi 。對線性緩變結, 也可以通過測量1/C3~V關係曲線來求得Nd和Vbi 。
對於一般的p-n結或者金屬-半導體接觸，也可通過C-V曲線的測量來得到輕摻雜一邊的雜質濃度的分布N(W) ： N(W) = (2/qA2ε) [d(1/C2)/dV] 。
（2）對於MOS系統，通過其高頻C-V特性曲線的測量（或者再加熱測量）還可以得到其中的界面態和固定的與可動的電荷的數量；在MOS器件及其IC的製造過程中，C-V測量技術已經成為了一種常規的檢測手段，用來監控工藝的質量。
此外，通過測量瞬態的C-V關係（例如深能級瞬態譜[DLTS]技術），還可以獲得關於系統中界面態的信息。
