半導體物理學基礎教程

半導體物理學基礎教程

《半導體物理學基礎教程》是2005年國防工業出版社出版的圖書,作者是馮文修。

基本介紹

  • 書名:半導體物理學基礎教程
  • 作者:馮文修
  • ISBN:9787118035599 [十位:7118035599]
  • 頁數:254
  • 定價:¥28.00
  • 出版社國防工業出版社
  • 出版時間:2005年01月
  • 重約:0.400KG
內容提要,圖書目錄,

內容提要

本書全面地論述了半導體物理的基礎知識;比較詳細地討論了半導體中載流子的統計分布、半導體的導電性、非平衡載流子、半導體表面及接觸界面特性、半導體的光電效應等;綜合討論了半導體的熱電、磁電、壓阻等物理效應;簡要介紹了低維半導體物理前沿學科的一些基本知識。每章後附有練習題。
本書可供半導體器件物理、微電子技術、電子科學與技術、套用物理等工科或以工為主理工結合的專業的本科生作教材;也可供理科相關專業的本科生和研究生及電子類的科技人員參閱。

圖書目錄

第1章 半導體晶體結構
1.1 晶體結構的基本概念
1.2 晶體的結合
1.3 晶體中的熱缺陷及位借
1.4 合金
第2章 半導體能帶
2.1 電子波函式與薛丁格方程
2.2 薛丁格方程在晶體能帶中的套用
2.3 半導體中的電子的運動 導體、半導體、絕緣體的區別
2.4 迴旋共振及n型矽的實驗結果
2.5 矽、鍺和砷化鎵能帶結構簡介
2.6 半導體中雜質和缺陷的能級
習題
第3章 半導體中載流子的統計分布
3.1 費米分布及玻耳茲曼分布
3.2 半導體載流子的統計
3.3 本徵半導體的載流子濃度
3.4 雜質半導體的載流子濃度
3.5 雜質半導體載流子濃度及費米能級隨溫度的變化關係
3.6 簡併半導體的載流子濃度
第4章 半導體的導電性
4.1 半導體的導電原理
4.2 載流子的漂移移動 遷移率及散射機構
4.3 遷移率與雜質濃度和溫度的關係
4.4 電阻率及其與雜質濃度和溫度的關係
4.5 玻耳茲曼方程 電導率統計式
4.6 強電場下熱載流子及耿氏效京戲
第5章 非平衡載流子
5.1 非平衡載流子與準費米能級
5.2 非平衡載流子壽命
5.3 非平衡載流子複合
5.4 陷阱效應
5.5 非平衡載流子的擴散
5.6 載流子既漂移又擴散的運動 愛因斯坦關係
5.7 連續性方程
習題
第6章 半導體表面及接觸界面特性
6.1 半導體表面態
6.2 表面電聲效應
6.3 金屬與半導體接觸的物理特性
6.4 金屬與半導體接觸的電流—電壓特性
6.5 MIS結構的電容—電壓特性
6.6 Si-SiO2系統的性制裁
習題
第7章 半導體的光電性質及光電效應
7.1 半導體的光吸收
7.2 半導體的光電導
7.3 半導體的光伏特效應
7.4 半導體發光及半導體雷射
習題
第8章 半導體的熱電、磁電及壓阻效應
8.1 半導體熱傳導和熱電效應
8.2 半導體的霍耳效應、磁阻效應及熱磁效應
8.3 壓阻效應
習題
第9章 低維半導體物理簡介
9.1 半導體超晶格
9.2 低維半導體結構中的電子輸運
9.3 低維半導體電子器件
習題
本章參考文獻
附錄1 薛丁格方程的建立及其在一維周期勢場模型下的解
附錄2 雜質能級被電子占據的機率
附錄3 玻耳茲曼方程的建立及電導率的統計理論
附錄4 擴散理論及熱電子發射理論
附錄5 常用物理常數和能量表達變換表
附錄6 矽、鍺和砷化鎵半導體性質表
參考文獻

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