《半導體物理學（下冊）》是2009年高等教育出版社出版的圖書，作者是葉良修。
基本介紹
- 書名：半導體物理學（下冊）
- 作者：葉良修
- ISBN：9787040266252
- 頁數：604頁
- 定價：84.00元
- 出版社：高等教育出版社
- 出版時間：2009年6月
內容簡介,目錄,
內容簡介
《半導體物理學(下)》共十七章，分上下兩冊出版。上冊主要涉及一些比較基本的內容，包括結構和結合性質，半導體中的電子狀態，載流子的平衡統計，過剩載流子，接觸現象，半導體表面和MIs結構，微結構和趟品格，半導體的光吸收，半導體的光發射等十章。下冊則收入一些專題，包括載流子的散射，熱現象，複雜能帶輸運，熱載流子，強磁場下的輸運和磁光現象，半導體中自旋相關的現象，非晶念半導體等七章。《半導體物理學(下)》可供已學過同體物理的大學生、研究生以及有關方面的研究人員閱讀、參考。
目錄
符號表
第11章 載流子的散射
§11.1 散射率
§11.2 禁止庫侖勢和電離雜質散射
§11.3 聲學波形變勢散射
§11.4 聲學波壓電散射
§11.5 光學波形變勢散射和等價谷間散射
§11.6 極性光學波及其散射
§11.7 電漿振盪和電漿激元散射
§11.8 栽流子之間的散射
§11.9 其它晶格缺陷的散射
§11.10 半導體中的各種散射機制
第11章 參考文獻
第12章 半導體中的熱現象
§12.1 半導體的熱導
§12.2 熱電效應及其相互聯繫
§12.3 溫差電動勢率
§12.4 熱磁效應
§12.5 聲子曳引效應
第12章 參考文獻
第13章 複雜能帶中的輸運現象
§13.1 多谷帶的電導、霍爾效應和磁阻
§13.2 半導體中的壓阻效應
§13.3 聲電效應
附錄13.1 Herring-Vogt變換
第13章 參考文獻
第14章 熱載流子和相關現象
§14.1 熱載流子和載流子溫度模型
§14.2 能量弛豫機制和能量損失率
§14.3 蒙特卡羅模擬
§14.4 和谷間轉移相關的熱載流子輸運現象
§14.5 雪崩擊穿和碰撞電離
§14.6 熱載流子的擴散
§14.7 雷射產生的熱載流子的弛豫
§14.8 研究載流子動態過程的超快光譜方法
§14.9 量子阱中熱載流子的弛豫
§14.1 0量子阱中熱激子的動態過程
§14.1 1量子點中電子空穴的弛豫
附錄14.1 第二類修正貝塞爾函式
第14章 參考文獻
第15章 強磁場輸運和磁光現象
§15.1 磁量子化和自旋分裂
§15.2 縱向振盪磁阻
§15.3 橫向振盪磁阻
§15.4 量子霍爾效應
§15.5 迴旋共振
§15.6 磁-聲子效應和強微波輻照場下的零磁阻
§15.7 振盪磁吸收
§15.8 幾種其它磁光效應
第15章 參考文獻
第16章 半導體中自旋相關的現象
§16.1 自旋及其在磁場中的行為
§16.2 自旋-軌道相互作用
§16.3 稀磁半導體及其鐵磁性
§16.4 電子自旋的光取向及自旋相關的光學現象
§16.5 自旋霍爾效應和其它自旋相關的輸運現象
§16.6 自旋極化的電注入和探測
§16.7 自旋極化的弛豫
§16.8 核自旋超精細相互作用
§16.9 自旋和量子計算
§16.10 自旋共振和自旋一核雙共振在半導體中的套用
第16章 參考文獻
第17章 非晶態半導體
§17.1 非晶態半導體的結構
§17.2 非晶態半導體中的電子狀態
§17.3 非晶態半導體中的輸運現象
§17.4 非晶態半導體的光吸收
§17.5 非晶態Si、Ge中的隙態和摻雜效應
§17.6 硫系非晶態半導體
第17章 參考文獻
索引
《半導體物理學(上冊)》的若干修改
感謝
