浸沒式光刻，將某種液體充滿投影物鏡最後一個透鏡的下表面與矽片之間，通過改變折射率來增加系統的數值孔徑的光刻技術。可以將光刻的特徵尺寸從193納米減小到45納米以下，大大提高其解析度。
基本介紹
- 中文名：浸沒式光刻
- 類型：光刻技術
浸沒式光刻，將某種液體充滿投影物鏡最後一個透鏡的下表面與矽片之間，通過改變折射率來增加系統的數值孔徑的光刻技術。可以將光刻的特徵尺寸從193納米減小到45納米以下，大大提高其解析度。
浸沒式光刻，將某種液體充滿投影物鏡最後一個透鏡的下表面與矽片之間，通過改變折射率來增加系統的數值孔徑的光刻技術。可以將光刻的特徵尺寸從193納米減小到45納米以下，大大提高其解析度。...
浸沒式光刻技術也稱為浸入式光刻技術。一般特指193nm浸入式光刻技術。在浸入式光刻技術之前，繼436nm、365nm、248nm之後，採用的是193nm乾式光刻技術，但在65 納米技術節點上遇到了困難，試驗了很多技術（如157nm乾式光刻技術等）但都...
浸沒式光刻機是採用折射和反射相結合的光路設計且曝光區域與光刻機透鏡之間充滿水的光刻設備。浸沒式光刻機是採用折射和反射相結合的光路設計可以減少投影系統光學元件的數目，控制像差和熱效應，實現1.35的數值孔徑NA。浸沒式光刻機工作...
浸沒式光刻技術是指在投影物鏡最後一個透鏡的下表面與矽片上的光刻膠之間充滿高折射率的液體 (多為水)。浸沒式光刻技術是近年來提出的延伸193 nm光刻的關鍵技術。根據瑞利判據，浸沒式光刻機的解析度R和焦深DOF由以下兩式定義 其中，...
世界三 大光刻機 生產商ASML，Nikon和Cannon的第 一 代 浸 沒 式 光 刻 機 樣 機 都 是 在 原 有193nm乾式光刻機的基礎上改進研製而成，大大降低了研發成本和風險。因為浸沒式光刻系統的原理清晰而且配合現有的光刻技術變動不...
《浸沒流場及納米氣泡對45納米光刻分辯率的影響》是依託浙江大學，由傅新擔任項目負責人的重大研究計畫。項目摘要 浸沒式光刻是光刻技術發展的趨勢和前沿，在光刻分辯率不斷逼近22納米物理極限過程中，浸沒流場及流場中納米氣泡對曝光的影響...
浸沒式光刻是目前積體電路製程中實現45nm以下線寬曝光的主流技術。如何在保證曝光質量的前提下儘可能地提高矽片掃描速度，是提高浸沒式光刻機整機產率的關鍵，也是浸沒式光刻機技術發展面臨的主要挑戰：掃描曝光過程中，浸沒液體與矽片之間發生...
因此浸沒式光刻延長了193nm光刻的使用壽命。超純水在浸沒液中的廣泛使用還有其他方面的考慮。沖洗一直是積體電路製造中的標準工藝步驟，去離子水可以流入每條工藝線，因此採用超純水作為浸沒液與現有的管道系統兼容，不會產生額外的污染。此外...
k₁越大對應的光刻工藝就越容易；k₁的極限是0.25，小於0.25的光刻工藝是不可能的。從32nm半周期節點開始（對應20nm邏輯節點），即使使用1.35NA的193nm浸沒式光刻機，k₁因子也小於0.25。一次曝光無法分辨32nm半周期的圖形，...
因此在193nm浸沒式光刻工藝中，光刻膠脫氣有可能會在浸沒液中形成氣泡，影響曝光成像的質量。但是實驗並沒有在暴露於水中的光刻膠上發現氣泡，研究人員初步分析有可能是脫氣很少，或者脫氣的組分是水溶性的。儘管如此，為防止意外情況，...
掩模上的圖案和晶圓上圖像尺寸的比例可以通過光學系統來調節，先進光刻系統中的比例是4∶1。在193nm浸沒式光刻機中，晶圓與投影透鏡之間填充了水，其他光刻機仍然是空氣。考慮掩模上兩個相鄰的點A與B，它們在晶圓表面成的像是A′與B...
工程師不得不使用已有的193nm浸沒式光刻機從事32nm至10nm邏輯器件光刻工藝的研發[1]。這時，光刻工藝解析度的提高完全依賴於所謂的解析度增強技術，包括最佳化光照條件使得圖形的解析度達到最佳、光學鄰近效應修正和添加曝光輔助圖形。2010年左右...
（1） 建立更準確的針對化學放大膠的模型 （2） 建立浸沒式光刻中水與光刻膠相互作用的模型 （3） 光刻膠和抗反射塗層相互作用的模型 （4） 新型光刻膠工藝中的模型，如負顯影工藝光刻膠模型；多層光刻膠或抗反射圖層模型。
4.4.5193nm浸沒式光刻膠 4.4.6正性負顯影光刻膠 4.5極紫外光刻膠 4.5.1基於斷鏈作用的非化學放大光刻膠 4.5.2聚合物型化學放大光刻膠 4.5.3正性極紫外化學放大光刻膠 4.5.4負性有機小分子型光刻膠 4.5.5正性...
雙重光刻是把設計版圖拆分放置在兩塊掩模上，使用兩次光刻技術，將圖形轉移到襯底上。雙重光刻中，第一次光刻使用第一塊掩模版，光刻完成後，做刻蝕，把光刻膠上的圖形轉移到下面的硬掩模上，然後旋塗光刻膠使用第二塊掩模完成第二次...
去離子水沖洗單元是指把光刻膠中容易釋放到水中的化學成分沖洗掉的工藝單元。隨著193nm浸沒式光刻機的廣泛使用，浸沒式曝光工藝對勻膠顯影機提出了新的要求。浸沒式光刻是在純淨水下對光刻膠進行步進-掃描式曝光，曝光後經常會有水滴...
液體管理系統（fluid management system），封閉在氮氣氣體的環境中，以便可以控制污染和濕度。液體管理系統保持在靠近移動基底的位置，其高度通過數字測微計進行調節。晶圓相對於液體管理系統的速度由位移平台控制。如圖1所示。浸沒式光刻（...
二元掩模（Binary Intensity Mask，BIM），也稱為雙極型掩模，是指由透光與不透光兩種部分組成的光掩模版。二元掩模版是使用最多的一種掩模版，被廣泛用於365nm（I線）至193nm的浸沒式光刻。二元掩模是相對於移相掩模而言的。最常用的...
《套用矢量成像模型的光源-掩模最佳化技術基礎研究》是依託北京理工大學，由馬旭擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 45nm-16nm浸沒式光刻系統的解析度增強技術是當前國際前沿課題。其中光源-掩模最佳化（source-mask optimization，簡稱SMO）...
隨著版圖的特徵尺寸不斷縮小，尤其是在20nm及以下節點，193nm浸沒式光刻機已經達到了解析度極限。儘管採用了先進的SMO和OPC，版圖上仍然有一些難以解決的壞點。為了解決這一問題，從改變設計尺寸的角度，開發出了一種新的光刻最佳化方法。該...
第三部分是為浸沒式光刻工藝配套的單元，包括晶圓表面水沖洗單元、背清洗單元等。第四部分是和光刻機在線上的接口界面（interface），包括暫時儲存晶圓的緩衝盒（buffer）、晶圓邊緣曝光（wafer edge exposure，WEE）和光刻機交換晶圓的接口等...
WEI YAYI WEI YAYI，男，中國科學院大學專職教師。研究方向 193nm浸沒式光刻工藝；計算光刻；光刻材料研發；光刻設備研發 教授課程 超大規模積體電路先進光刻理論與套用 專業研討課 超大規模積體電路先進光刻理論與應 用 ...
採用浸沒式光刻的45納米處理技術 — 在更小的空間內放入更多電晶體，以更少的功耗提供更出色的處理器性能AMD的高能效處理器為技術合作夥伴提供更具能源效率的選擇，幫他們創造出外形小巧、安靜、頗具吸引力的解決方案，使企業和消費者均...
極紫外套刻誤差是指極紫外光刻技術中的套刻誤差大小。簡介 極紫外套刻誤差通常是指EUV和193浸沒式的混合套刻誤差（MMO）。當極紫外光刻套用到積體電路製造工藝中，其必須和193浸沒式混合使用，即關鍵層使用EUV技術進行曝光，其他光刻層仍...