設計規則最佳化

隨著版圖的特徵尺寸不斷縮小,尤其是在20nm及以下節點,193nm浸沒式光刻機已經達到了解析度極限。儘管採用了先進的SMOOPC,版圖上仍然有一些難以解決的壞點。為了解決這一問題,從改變設計尺寸的角度,開發出了一種新的光刻最佳化方法。該方法基於光刻最佳化仿真反饋的信息,重新定義相應的版圖設計規則。這種新型的智慧型化最佳化方法被稱為版圖設計規則的最佳化(design rule optimization, DRO)。

DRO同步進行目標圖形、光源、掩模圖形,以保證整體工藝視窗最大。DRO的最終最佳化結果包括版圖設計規則相關參數、目標圖形、更新後的測量參數、最佳化後的光源和掩模圖形組成。DRO還有另外一個獨特的優勢,就是設計最佳化的過程中不需要增加器件尺寸,保證了晶片的尺寸儘可能小的初衷。

基本介紹

  • 中文名:設計規則最佳化
  • 外文名:design rule optimization, DRO

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