氮化鋁膜是指用氣相沉積、液相沉積、表面轉化或其它表面技術製備的氮化鋁覆蓋層。氮化鋁(AIN)是AI-N二元系中唯一穩定的相,它具有共價鍵、六方纖鋅礦結構,在常壓下不能熔化,而是在2500K分解它的直接能帶間隙高達6.2eV,也可以通過摻雜成為寬頻隙半導體材料。
基本介紹
- 中文名:氮化鋁膜
- 外文名:aluminium nitride film
- 學科:材料工程
- 領域:工程技術
氮化鋁膜是指用氣相沉積、液相沉積、表面轉化或其它表面技術製備的氮化鋁覆蓋層。氮化鋁(AIN)是AI-N二元系中唯一穩定的相,它具有共價鍵、六方纖鋅礦結構,在常壓下不能熔化,而是在2500K分解它的直接能帶間隙高達6.2eV,也可以通過摻雜成為寬頻隙半導體材料。
氮化鋁膜是指用氣相沉積、液相沉積、表面轉化或其它表面技術製備的氮化鋁覆蓋層。氮化鋁(AIN)是AI-N二元系中唯一穩定的相,它具有共價鍵、六方纖鋅礦結構,在常壓下不能熔化,而是在2500K分解它的直接能帶間隙高達6.2e...
氮化鋁材料(aluminium nitride material)有陶瓷型和薄膜型兩種。氮化鋁熱導率高、絕緣性能好,電阻率高達4×106Ω·cm。熱膨脹係數小(2.65~3.80)×10-6K-1,化學性能穩定,在1000℃時才與空氣發生氧化。在真空中可穩定到1500℃。緻密型氮化鋁是抗水的,幾乎不與濃無機酸發生反應。密度為3.26g/cm3,熔點...
《FBAR中氮化鋁薄膜的製備及其聲學特性的研究》是依託南京大學,由公勛擔任項目負責人的青年科學基金項目。項目摘要 FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator),薄膜體波諧振器,是通過在半導體基板如矽,砷化鎵等上面生長壓電薄膜製成的新興器件。由FBAR構成的濾波器有高頻化、小型化和輕量化的特點,是唯一能夠滿足未來無線...
《氧化鋅和氮化鋁薄膜製備與表徵實例》是2015年6月冶金工業出版社出版的圖書,作者是趙祥敏、趙文海。內容簡介 《氧化鋅和氮化鋁薄膜製備與表徵實例》以實例的形式,介紹了用磁控濺射法製備氧化鋅(ZnO)薄膜、氮化鋁(AlN)薄膜和ZnO/AlN複合膜的詳細工藝和性能表征。全書共分8章,第1章主要介紹ZnO的晶體結構、...
氮化鋁晶體生長與套用,是科學出版社2021年出版的一本圖書,作者是宋波,韓傑才,劉夢婷 內容簡介 氮化鋁(AlN)是一種典型的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半導體材料。氮化鋁擁有熱導率高、熱膨脹係數低、介電常數高、抗腐蝕能力強、熱力學穩定性高等優異特性。本書系統、深入地介紹了氮化鋁晶體的基本性質、生長方法和具體套用。全書...
介質薄膜是指在混合積體電路中,除SiO, SiO2, BaTiO3‑、Y2O3、Si3N4 ,鉭基介質薄膜以外的其它介質薄膜。舉例 如Al,Hf、Nb、Zr等金屬的陽極氧化介質薄膜,輝光放電製成的聚合物介質薄膜以及氮化鋁薄膜等。陽極氧化物的介電常數如下:Al203 10,HfO2 45,Nb2O5 41,WO3 42。性能 在薄膜電路中,使用的A1、Nb...
氮化鋁陶瓷 (Aluminum Nitride Ceramic)是以氮化鋁(AIN)為主晶相的陶瓷。結構 AIN晶體以〔AIN₄〕四面體為結構單元共價鍵化合物,具有纖鋅礦型結構,屬六方晶系。化學組成 AI 65.81%,N 34.19%,比重3.261g/cm3,白色或灰白色,單晶無色透明,常壓下的升華分解溫度為2450℃。為一種高溫耐熱材料。熱膨脹...
《AlN/金剛石新型層狀複合結構上SAW高溫敏感特性研究》是依託上海交通大學,由韓韜擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 高聲速、固有損耗低的氮化鋁(AlN)壓電薄膜具有作為耐高溫聲表面波感測器敏感材料的潛力。國際上這方面的研究剛剛起步,亟待在層狀複合界面結構器件的精確建模、高質量擇優取向AlN薄膜的高溫性能劣化...
1.氮化鋁薄膜製備及磁性元素摻雜改性研究,國家自然科學基金(10864004),2009.1-2011.12,26.0萬,主持人。2. ⅡA族和ⅣA族元素摻雜及缺陷誘導AlN稀磁半導體的理論和實驗研究,國家自然科學基金 (11164026)2012.1-2015.12,58萬,主持人 3. LED外延生長用SiC襯底製備技術研究(2011AA03A102),863子項目,...
研究方向:電子材料及器件、敏感與智慧型材料、聲表面薄膜材料及器件、壓電複合薄膜材料 研究內容1:聲表面波器件用氧化鋅薄膜、聲表面波濾波器建模與分析、薄膜聲表面波器件的製備、薄膜體聲波諧振器的研究、PZT鐵電薄膜結晶取向的研究、氮化鋁薄膜的製備與研究、CoFe2O4磁電薄膜的製備及性能研究。研究內容2:PZT多層結構...
2020年1月:奧趨光電發布了面向5G射頻前端濾波器套用的4英寸/6英寸矽基氮化鋁薄膜模板。企業文化 企業願景——全球技術領先的寬禁帶半導體材料供應商、解決方案服務商。企業使命——用技術創新推動半導體材料進步,用領先產品為客戶創造價值 企業核心價值觀—— “創新成就美好生活(Innovation for a better life)”人...
砷化鎵鋁,是一種半導體,其化學式為AlGaAs。它的晶格常數非常接近砷化鎵,但是擁有更大的禁頻寬度。它的禁頻寬度位於1.42eV到2.16eV之間。砷化鎵鋁多用於製造光電探測器和雷射二極體。二極體雷射裝置由n-型和p-型半導體聯接而成, 其雷射工作物質為固體狀態的砷化鎵鋁(AlGaAs),所發出的光具有相干性和單色性,但...
目前國際上產生克爾光頻梳最常用的材料是氮化矽材料,但目前國內生長的氮化矽薄膜普遍面臨著以下問題:富矽,存在多光子吸收;厚度小,難以實現反常色散;薄膜應力大,容易產生裂痕。中國科院學半導體所利用金屬有機化合物化學氣相沉積(MOCVD)方法生長的氮化鋁膜處於國際領先水平,具有優良的光學品質和非線性特性,膜厚...