寬頻隙半導體材料是室溫下禁頻寬度大於2.2 eV的半導體。主要用於短波長發光器件、紫外光探測和高溫、高功率電子器件。
中文名稱 | 寬頻隙半導體材料 |
英文名稱 | wide band-gap semiconductor materials |
定 義 | 室溫下禁頻寬度大於2.2 eV的半導體。主要用於短波長發光器件、紫外光探測和高溫、高功率電子器件。 |
套用學科 | 材料科學技術(一級學科),半導體材料(二級學科),化合物半導體材料(三級學科) |
寬頻隙半導體材料是室溫下禁頻寬度大於2.2 eV的半導體。主要用於短波長發光器件、紫外光探測和高溫、高功率電子器件。
中文名稱 | 寬頻隙半導體材料 |
英文名稱 | wide band-gap semiconductor materials |
定 義 | 室溫下禁頻寬度大於2.2 eV的半導體。主要用於短波長發光器件、紫外光探測和高溫、高功率電子器件。 |
套用學科 | 材料科學技術(一級學科),半導體材料(二級學科),化合物半導體材料(三級學科) |
室溫下,Si的帶隙為1.1eV,GaAs的帶隙為1.43eV,一般把室溫下帶隙大於2.0eV的半導體材料歸類於寬頻隙半導體,寬頻隙半導體在藍、紫光和紫外光電子器件,高頻、高溫...
寬頻隙半導體材料是室溫下禁頻寬度大於2.2 eV的半導體。主要用於短波長發光器件、紫外光探測和高溫、高功率電子器件。...
寬頻隙半導體技術國家重點學科實驗室依託西安電子科技大學,是在寬禁帶半導體材料與器件教育部重點實驗室的基礎上,2007年國家批准建設的國家級重點實驗室,2008年實驗室...
寬頻隙半導體材料可能具有室溫或者更高溫度的鐵磁性依賴,大量不同的材料製備方法被成功地用於研究寬頻隙DMS的合成。常見的半導體材料製備手段,如分子束外延(MBE),金屬...
第三代,高溫、寬頻隙半導體材料,主要指的是III族氮化物,碳化矽(SiC),氧化鋅(ZnO)和金剛石等,它們不僅是研製高頻大功率、耐高溫、抗輻照半導體微電子器件、電路的...
二維原子晶體材料與器件,光伏材料與器件,寬頻隙半導體材料與器件 [1] 。張興旺科研成果 編輯 發展了一種製備大面積、高質量六方氮化硼(h-BN)二維原子晶體的新...
半導體材料的表征、半導體材料的套用四個主要研究方向;主要開展寬頻隙半導體、Si基半導體等材料及器件研究,特別是相關半導體的異質結、超晶格、量子阱、量子點等結構的...
南京大學物理系教授,理學博士,博士生導師。1998 年至 2000 年在美國 WISCONSIN 大學作訪問研究。目前主要從事寬頻隙半導體材料的生長與器件的研製。...
2010年4月起任中國科學技術大學副校長。長期從事材料物理教學和過渡金屬氧化物、寬頻隙半導體與新概念太陽能電池研究工作。在國際學術期刊上發表論文80餘篇。...
由寬頻隙半導體材料製作發射區,以窄帶隙材料製作基區的雙極型電晶體成為異質結雙極型電晶體。 1、分類 按異質結數目:單異質結電晶體(SHBT)---只有發射結為異質...
2007年11月-現在:深圳大學材料學院工作,從事半導體光電薄膜材料製備、物性及套用研究。呂有明主要科研領域及方向 (1)寬頻隙半導體薄膜材料與器件;...
郝霄鵬,男,1972年8月出生,工學博士,教授,博士生導師。 獲教育部2007年度“新世紀優秀人才”。主要從事寬頻隙半導體晶體的生長以及低維材料的製備及套用研究,作為...
碳化矽單晶系第三代高溫寬頻隙半導體材料。隨著第三次照明科技革命,市場套用前景誘人。該產品的產能、品質已接近無色透明寶石級水平,達到美國Cree公司2001年水平,並已...
1.Cox和Strack方法:Cox和Strack在研究GaAs材料的歐姆接觸時,給出了一種測試方法...歐姆接觸以外,採用窄帶隙半導體構成的緩變異質結,也可以實現對寬頻隙半導體的...
西安電子科技大學教授郝躍和他帶領的寬禁帶半導體技術科研團隊,依託寬頻隙半導體技術國家重點學科實驗室,開展寬禁帶半導體材料與器件的套用基礎研究,實驗室已成為國內外...
氧化鋅是一種眾所周知的寬頻隙半導體材料(室溫下3.4 eV,晶體),它有很多套用,如透明導體,壓敏電阻,表面聲波,氣體感測器,壓電感測器和UV檢測器。並因為可能套用於...
1、 寬頻隙半導體2、 有機自旋電子學3、 有機半導體材料與器件4、材料物理韓聖浩科研項目 編輯 “8-羥基喹啉金屬配合物混合晶體的物理性質研究” 國家自然科學基金...
1995年本科畢業於中國科學技術大學材料科學與工程系;1998年獲中國科學技術大學凝聚...目前主要從事的科研領域包括寬頻隙半導體材料及器件,鐵電材料學,圖形化結構,高...
1998.7~2000.6 北京大學化學院稀土材料國家重點實驗室 博士後 [1] 1984.7~1998...主持國家自然科學基金項目 “金剛石寬頻隙半導體雜質、缺陷電子性質研究(10774091)...
SiC一維納米材料由於自身的微觀形貌和晶體結構使其具備更多獨特的優異性能和更加廣泛的套用前景,被普遍認為有望成為第三代寬頻隙半導體材料的重要組成單元。...
“光催化材料性能的微結構調控”(項目批准號2007CB613303)的支持,研究發現了寬頻隙半導體光催化材料光催化還原降解全氟辛酸的新途徑,成為國際上這一前沿研究領域的...