張興旺(中科院半導體研究所研究員、博士生導師)

張興旺，男，博士，研究員，博士生導師。1972年出生於安徽懷寧，分別於1994和1999年從蘭州大學物理系獲學士和博士學位。現任國際空間研究委員會中國委員會（CNCOSPAR）委員、中國真空學會薄膜專業委員會委員、中國空間科學學會微重力科學與套用研究專業委員會委員、中科院材料領域專家組專家。

基本介紹

• 中文名：張興旺
• 國籍：中國
• 出生地：安徽懷寧
• 出生日期：1972年
• 畢業院校：蘭州大學

人物履歷

1994和1999年從蘭州大學物理系獲學士和博士學位。

1999至2001年在香港中文大學電子工程系進行博士後研究，

2001至2004年任德國烏爾姆大學固體物理系博士後及洪堡學者，

於2004年7月入選中科院“百人計畫”，加入中科院半導體材料重點實驗室。

現任國際空間研究委員會中國委員會（CNCOSPAR）委員、中國真空學會薄膜專業委員會委員、中國空間科學學會微重力科學與套用研究專業委員會委員、中科院材料領域專家組專家。

研究領域

二維原子晶體材料與器件，光伏材料與器件，寬頻隙半導體材料與器件。

科研成果

發展了一種製備大面積、高質量六方氮化硼（h-BN）二維原子晶體的新方法，製備出毫米尺寸h-BN單晶疇。製備出光電轉換效率超過21%的平面異質結鈣鈦礦電池，被中國太陽能電池的最高紀錄表格收錄，也是世界上同類電池結構中的最高效率。首次成功製備出異質外延生長的立方氮化硼（c-BN）薄膜，相關結果在Nat.Mater.上發表後得到國際同行科學家的廣泛關注和高度評價，為實現c-BN薄膜作為高溫電子材料奠定了基礎。

主要貢獻

已主持或承擔科技部863、973計畫、國家重點研發計畫、國家自然科學基金等科研課題20餘項，在Nat.Mater.,Nat.Energy,Nat.Commun.Adv.Mater.,等國內外雜誌發表SCI論文140餘篇，論文被他引2300餘次，獲授權發明專利20項；曾獲北京市科學技術進步二等獎及中科院優秀研究生指導教師獎，指導的研究生4人獲中科院院長獎，5人獲中科院優秀畢業生，多人次獲國家獎學金。