介質薄膜是指在混合積體電路中，除SiO, SiO2, BaTiO3‑、Y2O3、Si3N4 ,鉭基介質薄膜以外的其它介質薄膜。
基本介紹
- 中文名：介質薄膜
- 外文名：dielectric film-miscellaneous
- 學科：材料技術
- 領域：工程技術
簡介,舉例,性能,方法,套用,
簡介
介質薄膜是指在混合積體電路中，除SiO, SiO2, BaTiO3‑、Y2O3、Si3N4 ,鉭基介質薄膜以外的其它介質薄膜。
舉例
如Al,Hf、Nb、Zr等金屬的陽極氧化介質薄膜，輝光放電製成的聚合物介質薄膜以及氮化鋁薄膜等。陽極氧化物的介電常數如下:Al203 10,HfO2 45,Nb2O5 41,WO3 42。
性能
在薄膜電路中，使用的A1、Nb、Zr等金屬薄膜，是在電解液中用陽極氧化形成。薄膜的厚度取決於外加電壓。每伏電壓形成的介質厚度稱為陽極化常數。鋁的為1. 36nm/V。
方法
有機聚合物薄膜的製備方法有：
(1)將聚合物的溶液攤開，然後將溶劑揮發，製得介質薄膜;
(2)將有機單體攤開，而後加熱或用紫外線使其聚合。
套用
常用的有機薄膜是聚對亞苯(基)二甲基。其它介質薄膜主要用於製作薄膜電容器。如Al-A12O3-Al薄膜電容器是一種廉價電容器。Al2O3薄膜也可用作絕緣層。
