二氧化矽薄膜介質材料、ilicon dioxide #ih、medium 5i}2一種高純氧化膜。具有介電性能穩定、耐潮性好、電容 溫度係數小和介質損耗角正切值小等優點。介甩常數3.67-- 5叩,}ga}z X n a擊穿電壓大於sn}}採用電子束蒸發 法、射頻濺射法、熱氧化法等製取， 卞要用於製作半琴體混合 積體電路和薄膜積體電路}; MCIS電容器和隔離絕肇盡雋泣
