氮化鋁晶體生長與套用,是科學出版社2021年出版的一本圖書,作者是宋波,韓傑才,劉夢婷
基本介紹
- 作者:宋波、韓傑才、劉夢婷
- 出版社:科學出版社
- ISBN:9787030696830
氮化鋁晶體生長與套用,是科學出版社2021年出版的一本圖書,作者是宋波,韓傑才,劉夢婷
氮化鋁晶體生長與套用,是科學出版社2021年出版的一本圖書,作者是宋波,韓傑才,劉夢婷內容簡介氮化鋁(AlN)是一種典型的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半導體材料。氮化鋁擁有熱導率高、熱膨脹係數低、介電常數高、抗腐蝕能力強、熱力學穩定性...
《氮化鋁單晶材料生長與套用》是2022年西安電子科技大學出版社出版的圖書。內容簡介 氮化鋁晶體具有寬頻隙、高熱導率、高擊穿場強等優勢,是製備紫外發光器件和大功率電力電子器件的理想材料。《氮化鋁單晶材料生長與套用》以作者多年的研究...
《氮化鋁單晶材料的生長及其光電特性的研究》是依託深圳大學,由鄭瑞生擔任項目負責人的面上項目。項目摘要 在我們已經獲得毫米級優質氮化鋁單晶體的前期研究基礎上,探索用物理氣相法生長厘米級氮化鋁單晶體和大尺寸氮化鋁單晶襯底材料的工藝...
《以金屬鋁和高純氮氣為原料PVT法生長氮化鋁晶體的方法》是哈爾濱化興軟控科技有限公司於2021年2月8日申請的專利,該專利公布號為CN112981533A,專利公布日為2021年6月18日,發明人是不公告發明人。 專利摘要 以金屬鋁和高純氮氣為原料...
《升華法生長氮化鋁單晶》是依託山東大學,由胡小波擔任項目負責人的面上項目。中文摘要 AlN單晶的熱導率大,晶格與GaN失配度小,是大功率GaN器件的理想襯底。利用AlN單晶為襯底材料有利於提高GaN器件的性能。.本研究擬採用升華法,通過...
以真空紫外線反射率量出單一的氮化鋁晶體上有6.2eV的能隙。理論上,能隙允許一些波長為大約200納米的波通過。但在商業上實行時,需克服不少困難。氮化鋁套用於光電工程,包括在光學儲存介面及電子基質作誘電層,在高的導熱性下作晶片...
《大尺寸AlN單晶材料製備技術研究》是依託深圳大學,由鄭瑞生擔任項目負責人的重點項目。項目摘要 氮化鋁(AlN)單晶材料在短波長光電子器件及新型電子器件方面有巨大的套用前景,大尺寸AlN單晶材料製備關鍵技術是當前亟待解決的重大科學問題。...
設計了國內首台氮化鋁晶體的PVT專用生長爐,現已實現生長爐的定型;帶領團隊形成了具有智慧財產權保護的氮化鋁晶體生長技術體系,製備出英寸級(最大3英寸)氮化鋁晶體,並在國際上首次實現1英寸無色氮化鋁晶體的製備;進行了基於氮化鋁晶體...
2020年1月:奧趨光電發布了面向5G射頻前端濾波器套用的4英寸/6英寸矽基氮化鋁薄膜模板。企業文化 企業願景——全球技術領先的寬禁帶半導體材料供應商、解決方案服務商。企業使命——用技術創新推動半導體材料進步,用領先產品為客戶創造價值...